一种大耦合容差的光混频器模块制造技术

本发明专利技术提供了一种大耦合容差的光混频器模块，包括混频器壳体，所述混频器壳体上表面中部安装有折射面耦合的光电探测器，所述折射面耦合的光电探测器的前方耦合双透镜，所述混频器壳体上开设有矩形波导口，所述混频器壳体的上表面中部放置有石英衬底微带线，所述混频器壳体的上表面中部安装有折射面耦合的光电探测器；本发明专利技术采用了折射面耦合的光电探测器，提高了耦合容差大和耦合效率，且该折射面耦合的光电探测器是单行载流子光电探测器，由于单行载流子输运加上耦合效率高，最终提高了光混频器模块的输出功率；本发明专利技术可以兼容双透镜系统耦合

【技术实现步骤摘要】
一种大耦合容差的光混频器模块


[0001]本专利技术涉及一种光混频器模块，具体为大耦合容差的光混频器模块，属于混频器模块

。

技术介绍

[0002]高速无线数据链路
、
隐藏物体检查
、
化学指纹识别
、
太空探索，这些都是太赫兹
(THz)
的重要应用领域，但是，这些应用都迫切需要提高太赫兹功率和扫频范围，以增强
THz
系统的功能
。
[0003]在
THz
低频段，雪崩二极管
、
耿氏二极管
、
谐振隧穿二极管和肖特基倍频器可以提供高功率输出
、
高频谱纯度和良好的频率可调性；在
THz
高频段，低温下工作的太赫兹量子级联激光器
(QCL)
可以提供亚瓦级的相干辐射，并具有宽广的频率调谐范围，而光混频产生太赫兹，兼具了两者的优点，成为室温
、
高功率
、
高稳定性以及可广泛调谐的太赫兹源的理想选择，同样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种大耦合容差的光混频器模块，包括混频器壳体
(1)
，其特征在于：所述混频器壳体
(1)
上表面中部安装有折射面耦合的光电探测器
(7)
，所述折射面耦合的光电探测器
(7)
的前方耦合双透镜，所述混频器壳体
(1)
上开设有矩形波导口
(2)
，所述混频器壳体
(1)
的上表面中部放置有石英衬底微带线
(3)
，所述混频器壳体
(1)
的上表面中部安装有折射面耦合的光电探测器
(7)
，所述折射面耦合的光电探测器
(7)
粘贴于所述石英衬底微带线
(3)
的右端，并用金线将光电探测器芯片和石英衬底微带线
(3)
连接，所述混频器壳体
(1)
的一侧连接有
LC
的尾纤适配器
(10)。2.
根据权利要求1所述的大耦合容差的光混频器模块，其特征在于：所述混频器壳体
(1)
的上表面垂直于折射面耦合的光电探测器
(7)
和石英衬底微带线
(3)
连接方向的一侧粘贴有打线电容
(5)
和打线电阻
(6)
，所述混频器壳体
(1)

【专利技术属性】
技术研发人员：付孟博，陶冶，刘志忠，牛嘉琪，王梦宾，卢娟，王文亭，张薇，祝宁华，
申请(专利权)人：雄安创新研究院，
类型：发明
国别省市：