【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅半导体装置
[0001]本专利技术涉及碳化硅半导体装置
。
技术介绍
[0002]以往，作为将碳化硅
(SiC)
作为半导体材料的碳化硅半导体装置，公知有
SiC
‑
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
：具备由金属
‑
氧化膜
‑
半导体这三层结构构成的绝缘栅的
MOS
型场效应晶体管
)。
在
SiC
‑
MOSFET
中，在有源区与边缘终端区之间的中间区域，栅极绝缘膜在半导体基板的正面上从有源区延伸，在该栅极绝缘膜上隔着场氧化膜而设置有栅极流道
。
[0003]对以往的碳化硅半导体装置的结构进行说明
。
图
13
是示出从半导体基板的正面侧观察以往的碳化硅半导体装置而得的布局的一部分的俯视图
。
图
13
示...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，所述碳化硅半导体装置在由碳化硅构成的半导体基板具有供主电流流通的有源区
、
包围所述有源区的周围的终端区
、
以及设置在所述有源区与所述终端区之间的中间区域，所述碳化硅半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区，其设置在所述半导体基板的内部；第二导电型的第二半导体区，其从所述有源区遍及所述中间区域地设置在所述半导体基板的第一主面与所述第一半导体区之间；第一导电型的第三半导体区，其在所述有源区中选择性地设置在所述半导体基板的第一主面与所述第二半导体区之间；栅极绝缘膜，其与所述第二半导体区的在所述第一半导体区与所述第三半导体区之间的区域接触地设置，并且覆盖所述半导体基板的第一主面；栅电极，其隔着所述栅极绝缘膜而设置在所述第二半导体区的在所述第一半导体区与所述第三半导体区之间的区域之上；第二导电型的第四半导体区，其在所述中间区域中设置在所述半导体基板的第一主面与所述第二半导体区之间，并且第二导电型的第四半导体区的杂质浓度比所述第二半导体区的杂质浓度高；场氧化膜，其在所述中间区域中设置在所述半导体基板的第一主面的所述栅极绝缘膜之上；栅极多晶硅布线层，其设置在所述场氧化膜上，并且包围所述有源区的周围，所述栅极多晶硅布线层在内侧的端部与所述栅电极连结，并且在深度方向上隔着所述场氧化膜和所述栅极绝缘膜而与所述第四半导体区对置；层间绝缘膜，其覆盖所述栅电极和所述栅极多晶硅布线层；第一接触孔，其在深度方向上贯通所述层间绝缘膜而使所述半导体基板的第一主面露出；第一电极，其经由所述第一接触孔与所述第二半导体区
、
所述第三半导体区以及所述第四半导体区电连接；以及第二电极，其设置在所述半导体基板的第二主面；所述栅极多晶硅布线层比所述场氧化膜的内侧的端部更向内侧延伸，所述栅极多晶硅布线层的内侧...
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