一种盆栽根系保护种植盆及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种盆栽根系保护种植盆及其使用方法，涉及盆栽生长培育领域，旨在解决当前的盆栽根系由于浇水过量而导致烂根死亡的问题，其技术方案要点是：一种盆栽根系保护种植盆，包括盆体

【技术实现步骤摘要】
一种盆栽根系保护种植盆及其使用方法


[0001]本专利技术涉及盆栽生长培育领域，更具体地说，它涉及一种盆栽根系保护种植盆及其使用方法
。

技术介绍

[0002]在种植和培育花卉
、
绿植等过程中会出现很多导致植物死亡的因素，而在盆栽培养中，对于植物根部的保护非常重要，在对植物根系的保护中，既要使根系自由生长，又要防止烂根等常见现象，而造成烂根的重要因素之一是浇水过量
。
[0003]浇水过量导致烂根的根本原因在于过量的水分堆积在根部时
,
由于隔绝了外在的空气，导致根部无法进行有氧呼吸
,
因此植物的根系会进行无氧呼吸
,
不仅会消耗体内的营养物质
,
还会产生产生丙酮酸或酒精
,
从而导致根系腐烂
。
[0004]为解决这一问题，有着各种控制浇水速度的方式和使植物根系接触空气的方式，其中滴灌法为一种常见的控制浇水速度的方式，滴灌法可以确保浇水量适中，但是由于滴灌只湿润部分土壤，因此会限制根系的发展
。
[0005]半水半土培养法是一种常见的使植物根系接触空气的方式，通过在土层底部设置水层，使植物根系向水层生长，因此根系可以钻出土壤底部蓬勃生长，并与空气直接接触，但是由于水层内水量不易控制且变化速度快，水量过多会淹没根部，导致烂根，水分过少则会使根系缺水，影响根系的正常生长
。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种盆栽根系保护种植盆及其使用方法
。
[0007]本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种盆栽根系保护种植盆，包括盆体
、
设置于盆体顶部的滴漏管，所述盆体包括位于顶部的泥土腔和位于底部且与泥土腔连通的储水腔，所述泥土腔内填充泥土，所述滴漏管靠近盆体侧设置有开关，所述盆体外壁套设有浮力腔，所述浮力腔底部开设有回收孔，所述储水腔底部设置有虹吸排水组件，所述盆体和浮力腔之间设置有浮块组件，所述浮块组件固定连接于盆体底部，当水漫过虹吸排水组件后，储水腔内的根系随着水的流走而漏出水面与空气接触，盆体上浮以关闭滴漏管，当储水腔停止排水时，盆体下沉以开启滴漏管，泥土腔减缓水进入储水腔速度，储水腔蓄水速度小于浮力腔排水速度，盆体复位，根系随水积蓄再次进入淹没状态
。
[0008]通过采用上述技术方案，使根系在趋水性的作用下向储水腔生长，储水腔内的根系在虹吸效应
、
浮力作用和泥土对水的阻碍与滞留作用下，维持一个在逐渐淹没状态
、
逐渐暴露空气状态
、
完全通气状态三态的循环，避免根系长时间被水淹没或长时间缺水，满足根系正常生长需求的同时，保护了根系的健康
。
[0009]本专利技术进一步设置为：所述泥土腔与储水腔的连通处设置有连通板，所述连通板与盆体内壁固定连接，所述连通板上开设有若干根系孔，所述根系孔用于供盆栽根系穿过
。
[0010]通过采用上述技术方案，泥土腔减速水流速度，从而加长储水腔进入排水状态的时间，使植物根系充分接触水分，连通板阻碍泥土从泥土腔中进入储水腔，保证虹吸排水组件畅通，同时提供给盆栽根系进入储水腔的通道
。
[0011]本专利技术进一步设置为：所述虹吸排水组件包括开设于储水腔底部的排水口
、
与排水口连通且位于储水腔内的倒
U
形管
。
[0012]通过采用上述技术方案，在水面高度低于倒
U
形管内最高点时，排水口处于无作用状态，维持储水腔内的储水环境，在水面高度高于倒
U
形管内最高点时，虹吸现象产生，排水口开始排水
。
[0013]本专利技术进一步设置为：所述倒
U
形管远离排水口的出口靠近储水腔底部，所述倒
U
形管的最高点靠近泥土腔
。
[0014]通过采用上述技术方案，提高倒
U
形管虹吸效应触发的高度，增加储水腔内最大储水量，使根系可以被水淹没，同时增加虹吸现象发生时的最大排水量，使根系充分接触空气
。
[0015]本专利技术进一步设置为：所述浮块组件包括若干气囊
、
与气囊连通且位于气囊靠近盆体顶面一侧的气囊管，所述气囊管在远离气囊一端固定连接有用于调节气囊体积的调节把手
。
[0016]通过采用上述技术方案，气囊提供浮力，在排水口排水时抬升盆体，同时确保排水口远离水面以正常触发虹吸效应，调节把手根据盆栽重量调节气囊提供的浮力大小
。
[0017]本专利技术进一步设置为：若干所述气囊沿盆体横截面阵列设置且固定连接于盆体底部，若干所述气囊之间留有供水从排水口流出的空隙
。
[0018]通过采用上述技术方案，阵列设置保障盆体上浮与下沉的垂直性，空隙确保排水过程通畅和虹吸效果的正常触发
。
[0019]本专利技术进一步设置为：所述盆体外壁固定连接有若干滑块，所述浮力腔内壁沿盆体运动方向开设有若干滑槽，所述滑块与滑槽侧壁接触
。
[0020]通过采用上述技术方案，滑块与滑槽的配合使盆体上浮与下沉过程具有垂直性，滑块与滑槽侧壁接触减小摩擦力对盆体运动的影响
。
[0021]本专利技术进一步设置为：所述回收孔的孔径小于排水口的孔径，所述回收孔开设的位置远离排水口在浮力腔底部的投影
。
[0022]通过采用上述技术方案，使水从排水口排出后可以正常积蓄于浮力腔中为盆体运动提供浮力
。
[0023]本专利技术进一步设置为：所述浮力腔外壁设置有通气管，所述浮力腔侧壁开设有若干通孔一，所述储水腔侧壁开设有若干通孔二，所述通孔一的开设位置高于通孔二的开设位置，所述通孔二的开设位置高于倒
U
形管的最高点，所述通孔一和通孔二之间连通有弹性软管，所述弹性软管与通气管连通
。
[0024]通过采用上述技术方案，通过通气管向储水腔内补气，进一步确保根系与空气的接触，使盆体在上浮过程中，通孔一与通孔二的距离减小，弹性软管回归静置状态，从而增大通气管向储水腔内的排气量，使根系在离开水环境后进入氧气充足的环境
。
[0025]本专利技术还提供一种盆栽根系保护种植盆的使用方法，具体步骤如下：
[0026]步骤一：根据盆体
、
泥土腔及盆栽重量，确定所需气囊体积并通过调节把手进行调
节；
[0027]步骤二：开启滴漏管的水源和通气管的气源，滴漏管向盆体滴水，储水腔内缓缓积水直到水淹没倒
U
形管，在虹吸作用下水进入浮力腔；
[0028]步骤三：气囊和水提供浮力使盆体上浮抵住滴漏管开关，滴漏管关闭，弹性软管恢复到静置状态，向储水腔内的通气量增大；
[0029]步骤四
:
回收孔缓慢排出浮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种盆栽根系保护种植盆，包括盆体
(11)、
设置于盆体
(11)
顶部的滴漏管
(12)
，其特征在于：所述盆体
(11)
包括位于顶部的泥土腔
(17)
和位于底部且与泥土腔
(17)
连通的储水腔
(18)
，所述泥土腔
(17)
内填充泥土，所述滴漏管
(12)
靠近盆体
(11)
侧设置有开关
(19)
，所述盆体
(11)
外壁套设有浮力腔
(21)
，所述浮力腔
(21)
底部开设有回收孔
(22)
，所述储水腔
(18)
底部设置有虹吸排水组件，所述盆体
(11)
和浮力腔
(21)
之间设置有浮块组件，所述浮块组件固定连接于盆体
(11)
底部，当水漫过虹吸排水组件后，储水腔
(18)
内的根系随着水的流走而漏出水面与空气接触，盆体
(11)
上浮以关闭滴漏管
(12)
，当储水腔
(18)
停止排水时，盆体
(11)
下沉以开启滴漏管
(12)
，泥土腔
(17)
减缓水进入储水腔
(18)
速度，储水腔
(18)
蓄水速度小于浮力腔
(21)
排水速度，盆体
(11)
复位，根系随水积蓄再次进入淹没状态
。2.
根据权利要求1所述的一种盆栽根系保护种植盆，其特征在于
:
所述泥土腔
(17)
与储水腔
(18)
的连通处设置有连通板
(23)
，所述连通板
(23)
与盆体
(11)
内壁固定连接，所述连通板
(23)
上开设有若干根系孔
(24)
，所述根系孔
(24)
用于供盆栽根系穿过
。3.
根据权利要求1所述的一种盆栽根系保护种植盆，其特征在于：所述虹吸排水组件包括开设于储水腔
(18)
底部的排水口
(25)、
与排水口
(25)
连通且位于储水腔
(18)
内的倒
U
形管
(26)。4.
根据权利要求3所述的一种盆栽根系保护种植盆，其特征在于：所述倒
U
形管
(26)
远离排水口
(25)
的出口靠近储水腔
(18)
底部，所述倒
U
形管
(26)
的最高点靠近泥土腔
(17)。5.
根据权利要求1所述的一种盆栽根系保护种植盆，其特征在于：所述浮块组件包括若干气囊
、
与气囊连通且位于气囊靠近盆体
(11)
顶面一侧的气囊管
(29)
，所述气囊管
(29)
在远离气囊一
(27)
端固定连接有用于调节气囊体积的调节把手
(30)。6.
根据权利要求5所述的一种盆栽根系保护种植盆，其特征在于：若干所述气囊沿盆体
(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：张红，杨明，
申请(专利权)人：杭州盛庄花卉有限公司，
类型：发明
国别省市：