本实用新型专利技术涉及一种链式硅片吸杂装置，属于光伏硅片和电池制备技术领域。包括磷源涂覆机构、硅片输送机构、退火炉；所述的硅片输送机构上沿其输送方向依次设有磷源涂覆机构和退火炉；所述的磷源涂覆机构包括两根相对转动的涂覆滚筒和磷源供给器，两根涂覆滚筒并排设置且侧面相互贴合，涂覆滚筒上方设有向两根涂覆滚筒之间投放磷源的磷源供给器。本实用新型专利技术通过磷源涂覆机构将磷浆或磷液涂抹到硅片上形成磷浆层，然后再将硅片送入退火炉中进行退火处理，有效降低硅片中的金属杂质，提高由N型硅片制备的异质结电池的质量。片制备的异质结电池的质量。片制备的异质结电池的质量。
【技术实现步骤摘要】
一种链式硅片吸杂装置
[0001]本技术属于光伏硅片和电池制备
，具体的说，涉及一种链式硅片吸杂装置。
技术介绍
[0002]在单晶硅片的制程过程中，由于硅料中不可能完全无杂质，且在加工过程或者制程管控中可能带进一定比例的金属杂质，这些金属杂质在硅片中很容易形成晶体缺陷，高金属含量的N型硅片用于制备异质结电池时就会造成效率低下。
技术实现思路
[0003]为了解决上述问题，本技术提出了一种链式硅片吸杂装置。有效降低硅片中的金属杂质，提高由N型硅片制备的异质结电池的质量。
[0004]为达到上述目的，本技术按如下技术方案实施的：
[0005]一种链式硅片吸杂装置，包括磷源涂覆机构1、硅片输送机构2、退火炉3；所述的硅片输送机构2上沿其输送方向依次设有磷源涂覆机构1和退火炉3；所述的磷源涂覆机构1包括两根相对转动的涂覆滚筒4和磷源供给器5，两根涂覆滚筒4并排设置且侧面相互贴合，涂覆滚筒4上方设有向两根涂覆滚筒4之间投放磷源的磷源供给器5。
[0006]优选的，所述的涂覆滚筒4的外表面设置有由吸水性良好的软绒丝或者纤维丝制成的浸涂层6。
[0007]优选的，所述的退火炉3前后两端分别设置有进料口和出料口，硅片输送机构2将硅片从进料口导入，从出料口导出，退火炉3内均匀间隔设置有加热灯管7。
[0008]优选的，所述的退火炉3内设有用于检测其内部温度的热电偶8。
[0009]优选的，所述的退火炉3侧壁包括由石英玻璃材料制成的内层9和由保温隔热材料制成的外层10。
[0010]本技术的有益效果：
[0011]本技术通过磷源涂覆机构将磷浆或磷液涂抹到硅片上形成磷浆层，然后再将硅片送入退火炉中进行退火处理，有效降低硅片中的金属杂质，提高由N型硅片制备的异质结电池的质量。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1是本技术结构示意图；
[0014]图中，1、磷源涂覆机构；2、硅片输送机构；3、退火炉；4、涂覆滚筒；5、磷源供给器；
6、浸涂层；7、加热灯管；8、热电偶；9、内层；10、外层；
具体实施方式
[0015]为了使本技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，下面将结合附图，对本技术的优选实施例进行详细的说明，以方便技术人员理解。
[0016]由图所示，一种链式硅片吸杂装置，包括磷源涂覆机构1、硅片输送机构2、退火炉3；硅片输送机构2采用滚筒输送机，输送速度稳定可控，所述的硅片输送机构2上沿其输送方向依次设有磷源涂覆机构1和退火炉3，磷源涂覆机构1位于硅片输送机构2的上方，硅片输送机构2从退火炉3穿过；所述的磷源涂覆机构1包括两根相对转动的涂覆滚筒4和磷源供给器5，两根涂覆滚筒4并排设置且侧面相互贴合，涂覆滚筒4与硅片输送机构2之间的间隙与需要涂覆的硅片的厚度相匹配，涂覆滚筒4上方设有向两根涂覆滚筒4之间投放磷源的磷源供给器5，工作时，磷源供给器5以滴液的方式将磷浆或磷液按照恒定的速度逐渐滴落至两根涂覆滚筒4之间，涂覆滚筒4通过外部驱动驱使转动，硅片放置在硅片输送机构2进行输送，硅片经过涂覆滚筒4时，相对转动的涂覆滚筒4将磷浆或磷液均匀的涂抹到硅片上，形成磷浆层。相对转动的两根涂覆滚筒4，对硅片进行了前后两侧涂抹，涂抹更加均匀，相比于同向转动，两根涂覆滚筒4相对转动时磷浆或磷液在涂覆滚筒4的附着量更加精确，有效保证了磷浆层厚度的均一性。硅片输送机构2继续向前输送硅片，将硅片送入退火炉3进行退火，有效降低金属杂质在硅片中形成的晶体缺陷，提高由N型硅片制备的异质结电池的质量。
[0017]在本实施例中，所述的涂覆滚筒4的外表面设置有由吸水性良好的软绒丝或者纤维丝制成的浸涂层6，使涂覆滚筒4与硅片柔性接触，在涂抹磷浆或磷液时硅片不会产生损伤或者挤压，有效避免磷浆或磷液在涂覆滚筒4表面出现流淌导致的涂抹不均的问题。
[0018]在本实施例中，所述的退火炉3前后两端分别设置有进料口和出料口，硅片输送机构2将硅片从进料口导入，从出料口导出，退火炉3内均匀间隔设置有加热灯管7，加热灯管7与外部电源连接，通过加热灯管7产生的热量对经过的硅片进行加热退火，加热灯管7内采用氖气或者疝气等带有保护气体的灯管，可以根据温度的设定来调节不同的加热功率，使用更加方便。
[0019]作为优选，退火炉3内设有用于检测其内部温度的热电偶8，热电偶8采用R型热电偶8，热电偶8的数量可以根据退火炉3的大小和所需测温点进行不同数量的设置，可以为1个，也可以设置有2
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50个不同的分散点分别进行温度监控，同时，也可以采用红外测温等进行测温监控，便于工作人员对退火炉3内温度进行及时调整。
[0020]作为优选，退火炉3侧壁包括由石英玻璃材料制成的内层9和由保温隔热材料制成的外层10，外层10用来保温恒定炉内的温度，内层9用来保证炉内的洁净度和温度，有效确保硅片退火时退火炉3温度处于正确范围内。
[0021]最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本技术进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其做出各种各样的改变，而不偏离本技术权利要求书所限定的范围；附图尺寸与具体实物无关，实物尺寸可任意变换。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种链式硅片吸杂装置，其特征在于：包括磷源涂覆机构（1）、硅片输送机构（2）、退火炉（3）；所述的硅片输送机构（2）上沿其输送方向依次设有磷源涂覆机构（1）和退火炉（3）；所述的磷源涂覆机构（1）包括两根相对转动的涂覆滚筒（4）和磷源供给器（5），两根涂覆滚筒（4）并排设置且侧面相互贴合，涂覆滚筒（4）上方设有向两根涂覆滚筒（4）之间投放磷源的磷源供给器（5）。2.根据权利要求1所述的一种链式硅片吸杂装置，其特征在于：所述的涂覆滚筒（4）的外表面设置有由吸水性良好的软绒丝或者纤维丝制成的浸涂...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈志军，许堃，李安君，吴超慧，
申请(专利权)人：云南宇泽半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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