一种射频功率放大器增益温度补偿电路制造技术

本实用新型专利技术涉及射频功率放大器增益温度补偿电路，包括：射频功率放大器集成电路，射频功率放大器集成电路包括：放大模块，放大模块的输入端连接输入信号，放大模块的输出端连接输出信号，射频功率放大器集成电路还包括：电阻器件；电阻器件连接于放大模块的输出端和输出信号之间；和/或，电阻器件连接于放大模块的输入端和输入信号之间。实施本实用新型专利技术的射频功率放大器增益温度补偿电路，具有以下有益效果：通过砷化镓半导体电阻器件对温度的固有物理特性，抵消放大模块对温度的增益衰退，控制放大模块的输出幅度，实现射频功率放大器集成电路的增益温度补偿功能，实施简单易实现，且效果稳定，不额外耗费大量版图面积，控制了成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器增益温度补偿电路


[0001]本技术涉及射频功率放大器领域，更具体地说，涉及一种射频功率放大器增益温度补偿电路。

技术介绍

[0002]射频功率放大器用于放大射频频率范围内的无线电信号，增益是其主要参数之一，用于描述输出信号强度相对输入信号强度的放大倍数。现有的射频功率放大器常使用砷化镓材质集成电路实现，具备工作频率高、输出功率大等优点，然而受砷化镓材质半导体器件自身特性制约，在高于室温的工作温度下存在增益下降的现象，而在低于室温的工作温度下存在增益升高的现象。系统设计需要这种增益差保持在一定范围内，所以需要使用辅助手段缩小高温、低温的增益差。
[0003]现有的技术手段主要是通过调整不同温度下的工作电流，以缩小高温、低温的增益差，一般而言，增大工作电流会提高放大器的增益，因此需要减小低温下的工作电流，增大高温下的工作电流。该方案需要增加额外的一组电路调节不同温度的工作电流，并且可能对射频功率放大器集成电路的其他参数在高温、低温的特性产生负面影响。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种射频功率放大器增益温度补偿电路。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种射频功率放大器增益温度补偿电路，包括：射频功率放大器集成电路，所述射频功率放大器集成电路包括：放大模块，所述放大模块的输入端连接输入信号，所述放大模块的输出端连接输出信号，其特征在于，所述射频功率放大器集成电路还包括：电阻器件；
[0006]所述电阻器件连接于所述放大模块的输出端和输出信号之间；
[0007]和/或，所述电阻器件连接于所述放大模块的输入端和输入信号之间；
[0008]所述放大模块和所述电阻器件为砷化镓材质半导体器件；
[0009]所述电阻器件的阻值随着温度升高而减小。
[0010]在一些实施例中，所述放大模块与所述电阻器件集成在同一块砷化镓材质集成电路中。
[0011]实施本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路，具有以下有益效果：通过砷化镓半导体电阻器件对温度的固有物理特性，抵消放大模块对温度的增益衰退，控制放大模块的输出幅度，实现射频功率放大器集成电路的增益温度补偿功能，实施简单易实现，且效果稳定，不额外耗费大量版图面积，控制了成本。
附图说明
[0012]下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：
[0013]图1是本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路的实施例一的系统框图；
[0014]图2是本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路的实施例二的系统框图；
[0015]图3是本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路的实施例三的系统框图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]如图1
‑
图3所示，本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路，包括：射频功率放大器集成电路100，射频功率放大器集成电路100包括：放大模块101，放大模块101的输入端连接输入信号，放大模块的输出端连接输出信号，射频功率放大器集成电路100还包括：电阻器件102；电阻器件102连接于放大模块的输出端和输出信号之间；和/或，电阻器件102连接于放大模块101的输入端和输入信号之间；放大模块101和电阻器件102为砷化镓材质半导体器件；电阻器件102的阻值随着温度升高而减小。
[0018]具体的，放大模块101的输入端接入输入信号，输入信号为射频信号，放大模块101还与供电模块103和射频信号地104连接，其中，供电模块103为放大模块101提供供电信号，射频信号地104用于为放大模块101提供射频信号参考地。放大模块101主要功能是放大输入的射频输入信号并输出，放大模块101采用现有技术，可以为任意现有的射频信号放大电路。放大模块101和电阻器件102为砷化镓材质半导体器件，放大模块101的输出信号受到温度的影响，当工作温度升高时，输出信号幅度降低，增益下降；当工作温度下降时，输出信号幅度升高，增益上升。而串联于放大模块101的电阻器件102具有相反的温度特性，作为半导体器件的电阻器件102，温度越高，电阻值越小，温度越低，电阻值越大。
[0019]在部分实施例中，电阻器件102串联于放大模块101的输出信号侧，即电阻器件102串联于放大模块101的输出端和输出信号之间。当温度升高时，电阻器件102阻值变小，放大模块101的输出信号经过电阻器件102时损耗变小，增益下降幅度缩小；当温度降低时，电阻器件102阻值变高，则放大模块101的输出信号经过电阻器件102时损耗变大，增益上升幅度缩小。
[0020]在部分实施例中，电阻器件102串联于放大模块101的输入信号侧，即电阻器件102串联于放大模块101的输入端和输入信号之间。当温度升高时，电阻器件102阻值变小，输入信号损耗缩小，放大模块101增益下降幅度缩小；当温度降低时，电阻器件102阻值变大，输入信号损耗增大，放大模块101增益上升幅度缩小。
[0021]在部分实施例中，可以在放大模块101的输入信号侧和输出信号侧均串联电阻器件102，以使放大模块101的增益差被部分或者完全抵消，达到更好的增益温度补偿效果。
[0022]放大模块101与电阻器件102集成在同一块砷化镓材质集成电路中。可以理解地，放大模块101与电阻器件102所处的温度环境一致，根据环境温度的高低，可以调节电阻器件102的阻值大小，使放大模块101的增益差被部分或者完全抵消，达到更好的增益温度补偿效果。
[0023]可以理解地，在部分实施例中，放大模块101可以包含多级放大电路，该多级放大
电路级间可以串联电阻器件102，以达到增益温度补偿效果。
[0024]实施本技术的射频功率放大器增益温度补偿电路，具有以下有益效果：通过砷化镓半导体电阻器件对温度的固有物理特性，抵消放大模块对温度的增益衰退，控制放大模块的输出幅度，实现射频功率放大器集成电路的增益温度补偿功能，实施简单易实现，且效果稳定，不额外耗费大量版图面积，控制了成本。
[0025]以上实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据此实施，并不能限制本技术的保护范围。凡跟本技术权利要求范围所做的均等变化与修饰，均应属于本技术权利要求的涵盖范围。
[0026]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器增益温度补偿电路，包括：射频功率放大器集成电路，所述射频功率放大器集成电路包括：放大模块，所述放大模块的输入端连接输入信号，所述放大模块的输出端连接输出信号，其特征在于，所述射频功率放大器集成电路还包括：电阻器件；所述电阻器件连接于所述放大模块的输出端和输出信号之间；...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢善谊，张海涛，张泽洲，
申请(专利权)人：芯百特微电子无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：