一种发光器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光器件，涉及发光器件技术领域；为了解决高压倒装LED芯片出光效率不高问题；包括至少两个设置于衬底一侧面的发光模组，发光模组由结构相同的第一发光单元和第二发光单元，以及设置于第一发光单元和第二发光单元之间的隔离槽构成，所述第一发光单元和第二发光单元形成电连接的区域内部含有图形化微结构。本实用新型专利技术优化第一发光单元和第二发光单元的内部组成使之呈图形化微结构，使用时电流经过图形化结构的阻挡，改变了电流单一流向的方向，相比较现有技术中发光器件内部电流横向扩展通道较单一的情况，增加多通道电流流通的路径，从而增加电流横向扩展，使发光器件热量分散的更为均匀，进而提升发光器件的使用寿命。器件的使用寿命。器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件


[0001]本技术涉及发光器件
，尤其涉及一种发光器件。

技术介绍

[0002]LED是一种半导体发光器件，通过使用化合物半导体的特性将电气信号转换成诸如红外光、紫外光、以及可视光的光的形式，具有能耗低、体积小、寿命长等优点，在诸如显示设备和照明设备等各种领域中已经被广泛应用。近年来许多新型LED芯片出现在公众视野内，其中高压LED芯片和倒装芯片均引起了广泛的关注，其中，高压LED芯片作为高功率LED的解决方案，其是将传统的大颗低压LED芯片分隔成多个发光单元之后串联而成。高压LED芯片所需要的驱动电流远低于大颗低压LED芯片，有着封装成本低、驱动电源效率高、线路损耗低等优势，并且可依据不同的输入电压的需求决定芯片中发光单元的数量和大小，进行对晶片的切割，便于实现客制化的服务，同时，往往为了提高发光效率，还同时使用倒装LED芯片的技术。
[0003]但现有技术中的高压倒装LED芯片结构，由于有源层发射的光子为各向等几率发射，因此在光子从出光方向发出时，在器件内部会进行多次反射，导致出光效率不高，基于此，我们提出了一种能够通过提高器件内部的反射效率，从而增加器件光效的发光器件。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种发光器件。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种发光器件，包括至少两个设置于衬底一侧面的发光模组，发光模组由结构相同的第一发光单元和第二发光单元，以及设置于第一发光单元和第二发光单元之间的隔离槽构成，所述第一发光单元和第二发光单元形成电连接的区域内部含有图形化微结构；所述第一发光单元和第二发光单元从下至上均包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、导电部和绝缘组件，导电部和绝缘组件之间设置有反射层，反射层为多层结构；
[0007]所述导电部由导电层A、导电层B和导电层C构成；
[0008]所述绝缘组件包括绝缘层一、绝缘层二和绝缘层三；
[0009]所述导电层A设置于第二半导体层和反射层之间，且导电层A与第二半导体层形成欧姆接触，导电层A与反射层电性连接；
[0010]所述导电层B贯穿第二半导体层及有源层后延伸至第一半导体层内部凹陷处，且导电层B与第一半导体层形成电性连接；所述导电层C设置于反射层的顶部面，且导电层C与反射层电性连接；
[0011]所述导电层C为多层金属结构；所述绝缘层一覆盖于导电层B外表面，绝缘层一的两端覆盖于衬底的顶部面；所述绝缘层二设置于导电层B和导电层C之间，且绝缘层二分布于绝缘层三的外表面；
[0012]串联区域未覆盖绝缘层三的垂直方向必然覆盖绝缘层二；所述绝缘层三覆盖于第
二半导体层的外表面，且与导电层A与反射层的两侧相贴合；所述第一发光单元和第二发光单元的顶部面设置有与导电层B和导电层C电性连接的焊盘，且焊盘覆盖于绝缘层一的外表面；所述第一发光单元中的导电层B与第二发光单元中的导电层C电性连接。
[0013]与现有技术相比，本技术提供了一种发光器件，具备以下有益效果：
[0014]1.该发光器件，优化第一发光单元和第二发光单元的内部组成使之呈图形化微结构，使用时电流经过图形化结构的阻挡，改变了电流单一流向的方向，相比较现有技术中发光器件内部电流横向扩展通道较单一的情况，增加多通道电流流通的路径，从而增加电流横向扩展，使发光器件热量分散的更为均匀，进而提升发光器件的使用寿命。
[0015]2.该发光器件通过设置的图形化微结构，当从有源层发射的光子为各向等几率发射时，光线在外延、导电部、绝缘组件三种不同折射率介质界面会发生反射和折射，当平行光照射到不同折射率界面时又会产生干涉，进而能够提高器件内部的反射效率，增加了器件的出光效率。
[0016]3.该发光器件将焊盘设置于绝缘层一的外表面，绝缘层一能够减弱因金属热膨胀产生的应力，进而减弱/缓解器件内部结构应力，提升器件的稳定性。
[0017]4.该发光器件在导电层B内外层设置绝缘层一以及绝缘层二，避免第一单元和第二单元串联位置焊盘与导电部接触，减少了金属直接接触的面积，分散了电流流通通道，进而可避免出现由于器件内部串联位置的局部电荷累积而引起的放电现象，抑制了金属迁移，达到提升器件稳定性的目的。
附图说明
[0018]图1为本技术提出的一种发光器件的结构示意图；
[0019]图2为本技术提出的光线照射到不同折射率介质界面状态示意图；
[0020]图3为本技术提出的发光器件内部电流流向示意图；
[0021]图4为本技术提出的A部分放大结构示意图。
[0022]图中：1第一发光单元、2第二发光单元、3隔离槽、100衬底、200第一半导体层、201第二半导体层、300有源层、400导电层A、401导电层B、402导电层C、500反射层、600焊盘、700绝缘层一、701绝缘层二、702绝缘层三。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0024]实施例1
[0025]一种发光器件，如图1
‑
4所示，包括至少两个设置于衬底100一侧面的发光模组，发光模组由结构相同的第一发光单元1和第二发光单元2，以及设置于第一发光单元1和第二发光单元2之间的隔离槽3构成；如图1所示，所述第一发光单元1和第二发光单元2形成电连接的区域内部含有图形化微结构；所述第一发光单元1和第二发光单元2从下至上均包括第一半导体层200、有源层300、第二半导体层201、导电部和绝缘组件；所述导电部和绝缘组件之间设置有反射层500，优选的，反射层500可为多层结构；如图2
‑
3所示，本实施例中通过设
置的图形化微结构，当从有源层300发射的光子为各向等几率发射时，光线在外延、导电部、绝缘组件三种不同折射率介质界面会发生反射和折射，当平行光照射到不同折射率界面时又会产生干涉，进而能够提高器件内部的反射效率，增加了器件的出光效率。
[0026]进一步的，所述导电部由导电层A400、导电层B401和导电层C402构成，其中，导电层A400设置于第二半导体层201和反射层500之间，且导电层A400与第二半导体层201形成欧姆接触，导电层A400与反射层500电性连接；
[0027]优选的，所述导电层B401贯穿第二半导体层201及有源层300后延伸至第一半导体层200内部凹陷处，且导电层B401与第一半导体层200形成电性连接；
[0028]优选的，所述导电层C402设置于反射层500的顶部面，且导电层C402与反射层500电性连接，优选的，导电层C402可为多层金属结构；
[0029]进一步的，所述绝缘组件包括绝缘层一700、绝缘层二701和绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括至少两个设置于衬底(100)一侧面的发光模组，发光模组由结构相同的第一发光单元(1)和第二发光单元(2)，以及设置于第一发光单元(1)和第二发光单元(2)之间的隔离槽(3)构成，其特征在于，所述第一发光单元(1)和第二发光单元(2)形成电连接的区域内部含有图形化微结构；所述第一发光单元(1)和第二发光单元(2)从下至上均包括第一半导体层(200)、有源层(300)、第二半导体层(201)、导电部和绝缘组件，导电部和绝缘组件之间设置有反射层(500)，反射层(500)为多层结构；所述导电部由导电层A(400)、导电层B(401)和导电层C(402)构成；所述绝缘组件包括绝缘层一(700)、绝缘层二(701)和绝缘层三(702)；所述导电层A(400)设置于第二半导体层(201)和反射层(500)之间，且导电层A(400)与第二半导体层(201)形成欧姆接触，导电层A(400)与反射层(500)电性连接；所述导电层B(401)贯穿第二半导体层(201)及有源层(300)后延伸至第一半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，唐如梦，吴东东，张鹏辉，闻娟，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：