一种氘代组合物、有机电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种氘代组合物、有机电致发光器件和显示装置。所述氘代组合物包括由化合物A经氘代反应制备得到的氘代混合物；所述化合物A具有如式I所示结构。以本发明专利技术提供的氘代组合物作为空穴层材料，制备得到的OLED器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种氘代组合物、有机电致发光器件和显示装置


[0001]本专利技术属于有机电致发光材料
，具体涉及一种氘代组合物、有机电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]显示器集电子、通信和信息处理技术于一体，被视为电子工业继电子和计算机之后的又一个重大发展机会。显示技术及显示器在信息技术的发展过程中占据了十分重要的地位。电视、电脑、电话以及各类仪器仪表上的显示器为人们的日常生活和工作提供者大量的信息。近年来，新型显示技术，成为人们的研究重点，其中平板显示器具有重量小、功耗低极易携带方便等优点，成为研究热点。
[0003]在目前的多种平板显示器中，液晶显示器(LCD)具有重要地位，但是，液晶显示器(LCD)具有许多不足：自身不发光，需要靠光源或借助环境光、存在视角问题、响应速度慢、分辨率不高等。因此，人们一直在寻找新的平板显示技术。有机电致发光现象早在1963年就已经被发现，但在当时并未引起人们的重视；直到1987年美国柯达公司Tang研究小组发表了以有机荧光材料和空穴材料制成直流低电压驱动的高亮度、高效率的薄膜型有机电致发光器件(OLED)后，该技术才重新得到关注，并开创了一个全新的研究领域。
[0004]OLED具有突出的优势，如功耗低、响应速度快、易弯曲、视角广、可大面积显示、发光色彩全等，并可与现有的多种标准、技术兼容制成低成本的发光器件，在实现彩色平板显示方面展现出广阔的应用前景。在过去的数十年里，OLED作为一种新的显示技术已经获得了长足发展，在平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示领域中获得了广泛应用。
[0005]当前，有机电致发光已经成为主流的显示技术，相应的，各种新型的OLED材料也被开发。作为空穴层材料，包括空穴注入材料、空穴传输材料、电子阻挡材料，目前主要是含有一个以上N原子的三芳胺类化合物。但是，其各种性能尚待提高，尤其在效率、寿命、电压等方面。
[0006]因此，开发更多种类、性能更加完善的空穴类材料，以满足其在高性能OLED器件的使用需求，是本领域的研究重点。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种氘代组合物、有机电致发光器件和显示装置。本专利技术中通过将三芳胺类化合物进行氘代反应，得到氘代混合物，并以得到的氘代混合物为空穴层材料，由此制备得到的OLED器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种氘代组合物，所述氘代组合物包括由化合物A经氘代反应制备得到的氘代混合物；
[0010]所述化合物A具有如式I所示结构：
[0011][0012]其中，Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C12～C20的杂芳基；
[0013]Ar
11
、Ar
12
之间可以通过单键连接，Ar
21
、Ar
22
之间可以通过单键连接；Ar、Ar
12
之间可以通过单键连接，Ar、Ar
11
之间可以通过单键连接，Ar、Ar
21
之间可以通过单键连接，Ar、Ar
22
之间可以通过单键连接；
[0014]n选自0或1；
[0015]Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种。
[0016]本专利技术中通过将三芳胺类化合物进行氘代反应，得到氘代混合物，并以得到的氘代混合物为空穴层材料，由此制备得到的OLED器件具有较低的驱动电压、较高的电流效率和较长的寿命。
[0017]在显示
，三芳胺类化合物常被用作空穴层材料，用于制备有机电致发光器件，但是由此制备得到的有机电致发光器件的各项性能尚待提高，尤其在效率、寿命、电压等方面。因此，现有技术中，可以使用氘代的三芳胺类化合物用作空穴层材料，以此来提高有机电致发光器件的各项性能，但是现有技术中制备氘代的三芳胺类化合物的过程较为繁琐，且成本较高。例如在合成氘代的三芳胺类化合物D8
‑
HTSP2的制备过程如下：
[0018][0019]上述制备过程中，需要采用2
‑
溴氘代联苯，而为了得到纯度较高的2
‑
溴氘代联苯，需要繁琐的反应和提纯过程，因此导致氘代的三芳胺类化合物D8
‑
HTSP2的制备较为繁琐，且成本较高，且以D8
‑
HTSP2为空穴层材料时，制备得到的OLED器件的综合性能较差。
[0020]本专利技术中，通过对具有特定结构化合物(化合物A)进行氘代反应，经过简单后处理得到的氘代混合物，用此氘代混合物制备得到的OLED发光器件的综合性能较好，驱动电压较低，电流效果较高，使用寿命较长。
[0021]此氘代混合物的制备避免了繁琐的提纯工作，制备方法简单，反应条件温和，后处理简单。
[0022]需要说明的是，在有机反应过程中，当反应分子上的反应活性位点没有显著区别
时，很难在特点反应位点进行取代反应，因此，本专利技术中，通过对化合物A进行氘代反应后，得到的是一种混合物(氘代混合物)。
[0023]本专利技术中，Ar
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、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40(例如可以是C6、C8、C10、C12、C16、C20、C24、C28、C30、C32、C36或C40等)芳基、取代或未取代的C12～C20(例如可以是C6、C8、C10、C12、C16、C20、C24、C28、C30、C32、C36或C40等)的杂芳基。
[0024]Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷基、C1～C12(例如可以是C1、C2、C5、C6、C8、C10或C12等)烷氧基、C6～C12(例如可以是C6、C7、C8、C9、C10、C11或C12)芳基中的至少一种。
[0025]以下作为本专利技术的优选技术方案，但不作为对本专利技术提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本专利技术的目的和有益效果。
[0026]作为本专利技术的优选技术方案，所述Ar
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、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar各自独立选自下述取代或未取代本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氘代组合物，其特征在于，所述氘代组合物包括由化合物A经氘代反应制备得到的氘代混合物；所述化合物A具有如式I所示结构：其中，Ar
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、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar各自独立地选自取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C12～C20的杂芳基；Ar
11
、Ar
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之间可以通过单键连接，Ar
21
、Ar
22
之间可以通过单键连接；Ar、Ar
12
之间可以通过单键连接，Ar、Ar
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之间可以通过单键连接，Ar、Ar
21
之间可以通过单键连接，Ar、Ar
22
之间可以通过单键连接；n选自0或1；Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种。2.根据权利要求1所述的氘代组合物，其特征在于，所述Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
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、Ar各自独立选自下述取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、芴基、苯并芴基、二苯并芴基、三亚苯基、荧蒽基、芘基、苝基、螺芴基、茚并芴基、氢化的苯并蒽基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并呋喃、萘并苯并噻吩、二萘并噻吩、二萘并呋喃、二苯并呋喃并苯并呋喃；所述取代的取代基各自独立地选自C1～C12烷基、C1～C12烷氧基、C6～C12芳基中的至少一种；优选地，所述Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、Ar
22
、Ar中所述取代的取代基各自独立地选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1
‑
甲基环戊基、1
‑
甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9
‑
二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的氘代组合物，其特征在于，所述Ar选自如下取代或未取代基团中的任意一种：苯基、联苯基、萘基、菲基、蒽基、9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、螺芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三亚苯基、芴基、苯并芴基；所述取代的取代基选自甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、环己基、环戊基、1
‑
甲基环戊基、1
‑
甲基环己基、甲氧基、苯基、联苯基、9,9
‑
二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘基中的至少一种；优选地，所述Ar
11
、Ar
12
、Ar
21
、...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐建宝，王雪岚，李志强，王占奇，金振禹，陆金波，黄常刚，
申请(专利权)人：阜阳欣奕华材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：