一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法技术

本发明专利技术提供一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，包括有如下步骤：S1、通过黄光、蚀刻及清洗工艺，洗去附着在氧化铟锡绝缘层上的异物；S2、将阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液中，使氧化铟锡共通电极形成局部破洞；S3、在氧化铟锡绝缘层表面镀氧化铟锡像素电极；S4、在氧化铟锡像素电极表面涂覆光阻膜，并通过黄光曝光工艺，将未被遮盖的光阻膜剥离；S5、对氧化铟锡像素电极蚀刻处理；S6、通过清洗工艺洗去残留的光阻膜。氧化铟锡共通电极形成局部破洞，氧化铟锡共通电极与氧化铟锡像素电极不再导通，从而避免了显示屏出现暗点的缺陷，提高了产品的良率。提高了产品的良率。提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示屏
，尤其涉及一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法。

技术介绍

[0002]图1是FFS技术(Fringe Field Switching，边缘场开关)显示屏在像素区的断面图，其由、薄膜电晶体基板1、器件绝缘层2、保护层8、平坦层9、氧化铟锡(ITO)共通电极3、氧化铟锡绝缘层4、氧化铟锡(ITO)像素电极5、液晶分子6、彩色滤光片基板13组成，氧化铟锡共通电极3与氧化铟锡像素电极5产生边缘电场，使氧化铟锡像素电极5间及氧化铟锡像素电极5正上方的液晶分子6在电场线7的作用下，在(平行于基板)平面方向产生旋转转换，从而在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。图1是不施加电压，液晶分子6旋向使光无法透过的常黑模式；图2是施加电压后，液晶分子6沿着电场方向排列，经过扭转变形后透光。
[0003]边缘场开关技术的显示屏具有高穿透率、视角宽广、耗电量低、反应速度快、耐压性高等优点。FFS技术广泛应用在半导体器件为非晶硅、低温多晶硅及金属氧化物的显示屏。
[0004]但是，由于车间环境或设备因素，部分显示屏阵列基板的氧化铟锡绝缘层4在镀膜前或镀膜过程总是会不可避免的附着上异物，如图3所示，氧化铟锡绝缘层4在镀膜前或镀膜过程落下的异物12，经黄光及蚀刻及清洗工艺后，异物被清除，使氧化铟锡绝缘层4留下破洞缺损10，如图4所示，在进入到薄膜工艺进行氧化铟锡像素电极镀膜时，氧化铟锡绝缘层4上的破洞缺损10，导致氧化铟锡像素电极与氧化铟锡共通电极形成导通的状态。后续黄光工艺，因光阻膜11具有流动性，致使氧化铟锡像素电极层在凹陷处被光阻覆盖，导致后续蚀刻工艺时，氧化铟锡像素电极图形完成后，经过清洗工艺后，最终氧化铟锡像素电极与氧化铟锡共通电极形成通路。氧化铟锡像素电极与氧化铟锡共通电极通路后，显示屏出现暗点缺陷。
[0005]为了避免上述问题，现行控制氧化铟锡绝缘层破洞缺损的方式如下：1、降低镀膜前异物水平，即对清洗制程进行优化，增加异物去除能力，减少基板在环境的停留时间，避免导致异物持续掉落。2、降低镀膜过程中异物水平，即优化镀膜参数，减少异物产生，提高镀膜腔室维护保养频度。3、氧化铟锡绝缘层二次镀膜，即在氧化铟锡绝缘层第一次成膜后，将异物去除，再进行氧化铟锡绝缘层第二次成膜，以覆盖氧化铟锡绝缘层的破洞缺损。
[0006]但是，现行绝缘层异物控制技术，并无法突破洁净室洁净等级技术壁垒，以及氧化铟锡绝缘层镀膜设备材料技术限制，因此异物水平，显示屏缺陷无法进一步降低，而且，目前的控制方法会增加生产成本及降低产能。

技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，能够避免氧化铟锡像素电极与氧化铟锡共通电极的导通，降低显示屏的暗
点缺陷，提高产品的良率。
[0008]本专利技术是这样实现的：
[0009]第一方面，本专利技术提供了一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，包括有如下步骤：
[0010]S1、对氧化铟锡绝缘层附着异物的阵列基板，通过黄光、蚀刻及清洗工艺，洗去附着在氧化铟锡绝缘层上的异物，使氧化铟锡绝缘层留下缺损破洞；
[0011]S2、将经过步骤S1处理过的阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液中，使氧化铟锡绝缘层缺损破洞下方的氧化铟锡共通电极形成局部破洞；
[0012]S3、在氧化铟锡绝缘层表面镀氧化铟锡像素电极；
[0013]S4、在氧化铟锡像素电极表面涂覆光阻膜，并通过黄光曝光工艺，将未被遮盖的光阻膜剥离；
[0014]S5、对氧化铟锡像素电极蚀刻处理；
[0015]S6、通过清洗工艺洗去残留的光阻膜。
[0016]进一步的，所述氧化铟锡蚀刻液为草酸溶液。
[0017]进一步地，在所述步骤S2中，经经过步骤S1处理过的阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液时长为150秒至220秒。
[0018]进一步地，所述氧化铟锡蚀刻液的浸泡温度为35℃至45℃。
[0019]本专利技术的优点在于：将去除异物后的阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液中，使氧化铟锡绝缘层缺损破洞下方的氧化铟锡共通电极形成局部破洞，再经过光阻覆膜、黄光曝光以及蚀刻处理后，氧化铟锡共通电极与氧化铟锡像素电极不再导通，从而避免了显示屏出现暗点的缺陷，提高了产品的良率。
附图说明
[0020]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的说明。
[0021]图1为FFS技术下显示屏的未施加电压时的截面图。
[0022]图2为FFS技术下显示屏的施加电压时的截面图。
[0023]图3为氧化铟锡绝缘层附着异物时的结构示意图。
[0024]图4为洗去氧化铟锡绝缘层附着异物后的结构示意图。
[0025]图5为洗去氧化铟锡绝缘层附着异物后，进入薄膜工艺示意图。
[0026]图6为本专利技术制备工艺流程示意图。
[0027]图7为本专利技术制备方法示意图。
[0028]图中标号说明：
[0029]1、薄膜电晶体基板；2、器件绝缘层；3、氧化铟锡共通电极；4、氧化铟锡绝缘层；5、氧化铟锡像素电极；6、液晶分子；7、电场线；8、保护层；9、平坦层；10、破洞缺损；11、光阻膜；12、异物；13、彩色滤光片基板。
具体实施方式
[0030]针对现行绝缘层异物控制技术，无法突破洁净室洁净等级技术壁垒，以及氧化铟锡绝缘层镀膜设备材料技术限制，因此异物水平，显示屏缺陷无法进一步降低。而且，在出
现异物导致氧化铟锡绝缘层破损时，目前的控制方法还会增加生产成本及降低产能的问题，本专利技术提出了一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，总体思路如下：
[0031]在阵列基板的氧化铟锡绝缘层出现破洞缺损后，通过氧化铟锡蚀刻液浸泡，将裸露在外的氧化铟锡共通电极进行局部蚀刻。蚀刻工艺完成后，氧化铟锡绝缘层破洞缺损处的氧化铟锡共通电极也形成破洞缺损，未被氧化铟锡绝缘层覆盖的氧化铟锡共通电极形成局部破洞后，经过后续的薄膜、黄光、蚀刻工艺环节后，最终形成的氧化铟锡像素电极图形，并不会与氧化铟锡共通电极形成导通。
[0032]实施例一
[0033]请参阅图6和图7，本专利技术提供了一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，包括有如下步骤：
[0034]S1、对氧化铟锡绝缘层附着异物的阵列基板，通过黄光、蚀刻及清洗工艺，洗去附着在氧化铟锡绝缘层上的异物，使氧化铟锡绝缘层留下缺损破洞，如图6中(a)所示。
[0035]S2、将经过步骤S1处理过的阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液中，如图6中(b)所示，使氧化铟锡绝缘层缺损破洞下方的氧化铟锡共通电极形成局部破洞，如图6中(c)所示。
[0036]S3、在氧化铟锡绝缘层表面镀氧化铟锡像素电极，如图6中(d)所示。
[0037]S4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免FFS技术下的显示屏ITO上下电极导通的制备方法，其特征在于：包括有如下步骤：S1、对氧化铟锡绝缘层附着异物的阵列基板，通过黄光、蚀刻及清洗工艺，洗去附着在氧化铟锡绝缘层上的异物，使氧化铟锡绝缘层留下缺损破洞；S2、将经过步骤S1处理过的阵列基板浸泡在氧化铟锡蚀刻液中，使氧化铟锡绝缘层缺损破洞下方的氧化铟锡共通电极形成局部破洞；S3、在氧化铟锡绝缘层表面镀氧化铟锡像素电极；S4、在氧化铟锡像素电极表面涂覆光阻膜，并通过黄光曝光工艺，将未被遮盖的光阻膜剥离；S5、对氧化铟锡像素电极蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄德伦，姚承军，林成旺，夏宗法，黄志鸿，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：