电极及其制造方法技术

电极(1)具备基材膜(2)、金属基底层(3)、和导电性碳层(4)。从厚度方向上的导电性碳层(4)的一面向另一侧行进了4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)小于0.01，所述氧与碳之比是使用X射线光电子能谱法测定的。光电子能谱法测定的。光电子能谱法测定的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电极及其制造方法。

技术介绍

[0002]已知有通过溅射在基材膜的厚度方向的一面配置导电性碳层从而制造电极的方法(例如，参见下述专利文献1。)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：WO2016/013478号

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]对于电极，要求更优异的耐久性。但是，专利文献1所记载的方法中存在极限。需要说明的是，耐久性包括即使在进行了长期保管后也能够抑制电极性能的降低。
[0008]本专利技术提供电极活性的耐久性优异的电极及其制造方法。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术(1)包括电极，其朝向厚度方向的一侧依次具备基材膜、金属基底层、和导电性碳层，从厚度方向上的前述导电性碳层的一面向另一侧行进了4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)小于0.01，所述氧与碳之比是利用X射线光电子能谱法测定的。
[0011]本专利技术(2)包括(1)所述的电极，其中，前述导电性碳层的一面中的氧与碳之比(O/C)为0.1以下。
[0012]本专利技术(3)包括(1)或(2)所述的电极，其中，前述导电性碳层具备sp2键合和sp3键合。
[0013]本专利技术(4)包括电极的制造方法，其为(1)至(3)中任一项所述的电极的制造方法，其具备下述工序：第1工序，准备基材膜；第2工序，将金属基底层配置于前述基材膜的厚度方向的一面；和第3工序，通过水的分压为1.40
×
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‑4Pa以下的气氛下的溅射，将导电性碳层配置于前述金属基底层的厚度方向的一面。
[0014]本专利技术(5)包括(4)所述的电极的制造方法，其中，前述基材膜的材料为树脂，在前述第1工序之后且在前述第3工序之前，还具备在减压气氛下对前述基材膜进行加热的第4工序。
[0015]本专利技术(6)包括(4)或(5)所述的电极的制造方法，其中，在前述第1工序之后且在前述第2工序之前，还具备通过溅射而将第2导电性碳层配置于前述基材膜的厚度方向的一侧的第5工序，在前述第5工序、前述第2工序和前述第3工序中，利用卷对卷(roll
‑
to
‑
roll)法并使用共用的腔室。
[0016]本专利技术(7)包括(4)至(6)中任一项所述的电极的制造方法，其中，在前述第1工序中，准备厚度为10μm以上、500μm以下的前述基材膜。
[0017]专利技术效果
[0018]由本专利技术的制造方法得到的电极的电极活性的耐久性优异。
附图说明
[0019][图1]图1为本专利技术的电极的制造方法的一个实施方式的流程图。
[0020][图2]图2A至图2D为基于图1的制造工序图。图2为第1工序和第4工序。图2B为第5工序。图2C为第2工序。图2D为第3工序。
具体实施方式
[0021]<一个实施方式>
[0022]参照图2D的左侧放大图对本专利技术的电极的一个实施方式进行说明。
[0023]电极1具有厚度。电极1在面方向上延伸。面方向与厚度方向正交。电极1具有在面方向上延伸的膜形状。电极1朝向厚度方向的一侧依次具备基材膜2、金属基底层3、和导电性碳层4。
[0024]基材膜2具有在面方向上延伸的膜形状。
[0025]作为基材膜2的材料，例如，可举出树脂、及陶瓷材料(例如，硅)。从确保优异的挠性的观点考虑，优选可举出树脂。
[0026]作为树脂，例如，可举出聚酯树脂、乙酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚烯烃树脂(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚环烯烃聚合物)、(甲基)丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯醇树脂、聚芳酯树脂、及聚苯硫醚树脂。优选可举出聚酯树脂。作为聚酯树脂，例如，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、及聚萘二甲酸乙二醇酯。若树脂为聚酯树脂(更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯)，则基材膜2的挠性优异，但另一方面，在后续的第3工序中，有气氛中的水的分压变高的倾向。这是由于聚酯树脂的含水率比较高。然而，在本实施方式中，即使树脂为聚酯树脂，也能够通过第4工序(加热工序)来抑制第3工序中的水的分压变高。
[0027]基材膜2的厚度例如为2μm以上，优选为10μm以上，另外，例如为1000μm以下，优选为500μm以下。若基材膜2的厚度为上述的范围，则能够以优异的输送性来实施卷对卷法。
[0028]金属基底层3被配置于基材膜2的厚度方向的一面。金属基底层3的材料没有限定。作为金属基底层3的材料，例如，可举出钛、钽、铬、钼、及钨。从电极1的稳定性的观点考虑，优选可举出钛。
[0029]金属基底层3的厚度例如为5nm以上，优选为6nm以上，另外，例如为50nm以下，优选为20nm以下。
[0030]导电性碳层4被配置于金属基底层3的厚度方向的一面。导电性碳层4的物性没有限定。例如，导电性碳层4具备sp2键合和sp3键合。即，导电性碳层4含有具有sp2键合的碳及具有sp3键合的碳作为主成分。即，导电性碳层4是具有石墨型结构及金刚石结构的层。
[0031]sp3键合的原子数相对于sp3键合的原子数与sp2键合的原子数的合计而言的比例没有限定。sp3键合的原子数相对于sp3键合的原子数与sp2键合的原子数的合计而言的比例例如为0.1以上、0.9以下。
[0032]从厚度方向上的导电性碳层4的一面向另一侧行进了4.5nm的位置的氧与碳之比
(O/C)小于0.01。
[0033]若从厚度方向上的导电性碳层4的一面向另一侧行进了4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)为0.01以上，则电极1的耐久性降低，尤其是长期保管后的对于铁氰化物而言的电极1的活性降低。
[0034]4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)优选为0.009以下，更优选为0.007以下，进一步优选为0.005以下，尤其优选为0.003以下。氧与碳之比(O/C)的下限没有限定。4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)的下限例如为0.000。
[0035]氧与碳之比使用X射线光电子能谱法(ESCA)来测定。比是相对于碳的元素比率[atomic％]而言的氧的元素比率[atomic％]。
[0036]X射线光电子能谱法的测定条件记载于实施例中。
[0037]导电性碳层4的一面中的氧与碳之比(O/C)例如为0.1以下，优选为0.07以下，更优选为0.05以下。导电性碳层4的一面中的氧与碳之比(O/C)例如为0.00以上，优选为0.01以上。
[0038]若导电性碳层4的一面中的氧与碳之比(O/C)为上述的上限以下，则能够抑制长期保管后的对于铁氰化物而言的电极1的活性的降低。
[0039]导电性碳层4的厚度没有限定。导电性碳层4的厚度例如为0.1nm以上，优选为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.电极，其朝向厚度方向的一侧依次具备基材膜、金属基底层、和导电性碳层，从厚度方向上的所述导电性碳层的一面向另一侧行进了4.5nm的位置的氧与碳之比(O/C)小于0.01，所述氧与碳之比(O/C)是利用X射线光电子能谱法测定的。2.如权利要求1所述的电极，其中，所述导电性碳层的一面中的氧与碳之比(O/C)为0.1以下。3.如权利要求1或权利要求2所述的电极，其中，所述导电性碳层具备sp2键合和sp3键合。4.电极的制造方法，其为权利要求1至权利要求3中任一项所述的电极的制造方法，其具备下述工序：第1工序，准备基材膜；第2工序，将金属基底层配置于所述基材膜的厚度方向的一面；和第3工序，通过水的分压为1.40
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【专利技术属性】
技术研发人员：末次智和，笹原一辉，拜师基希，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：