本发明专利技术涉及显示装置。该显示装置包括：基板；第一半导体层，布置在基板上；第一栅电极，布置在第一半导体层上；第一存储电极，与第一栅电极的至少一部分重叠并且与第一栅电极形成第一电容器；以及第一电极，布置在第一存储电极上并且与第一存储电极一起形成第二电容器。第一存储电极包括第一开口，第一电极包括第二开口，并且第一开口和第二开口彼此重叠。并且第一开口和第二开口彼此重叠。并且第一开口和第二开口彼此重叠。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月2日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0054198号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及显示装置。
技术介绍
[0004]显示装置用于显示屏幕，并且可以体现为液晶显示器或有机发光二极管显示器等。这类显示装置可以用于诸如移动电话、导航单元、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置。
[0005]诸如有机发光二极管显示器的显示装置可以具有其中显示装置可以使用柔性基板而被弯曲或者折叠的结构。
[0006]在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开的
技术介绍
的理解，并且因此，它可能包含不构成在该国对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0007]实施例致力于通过提供从半导体层排放的脱氢路径而提供具有改善的显示质量和可靠性的显示装置。实施例致力于提供高分辨率显示装置。
[0008]实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：基板；第一半导体层，布置在基板上；第一栅电极，布置在第一半导体层上；第一存储电极，与第一栅电极的至少一部分重叠并且与第一栅电极形成第一电容器；以及第一电极，布置在第一存储电极上并且与第一存储电极一起形成第二电容器。第一存储电极可以包括第一开口，第一电极可以包括第二开口，并且第一开口和第二开口可以彼此重叠。
[0009]第一电容器可以是存储电容器，第二电容器可以是保持电容器，并且第一电容器和第二电容器可以在垂直于基板的表面的方向上重叠。
[0010]第一半导体层可以包括在第一晶体管中包括的第一半导体，并且第一半导体可以与第一栅电极的至少一部分、第一存储电极的至少一部分和第一电极的至少一部分重叠。
[0011]第一晶体管可以是驱动晶体管。
[0012]第一电极可以接收驱动电压。
[0013]第二开口的尺寸可以大于第一开口的尺寸。
[0014]显示装置可以进一步包括布置在第一电极上的第一数据导电层，并且第一数据导电层的一部分可以电连接到第一栅电极。
[0015]显示装置可以进一步包括：第一栅绝缘层，布置在第一半导体层和第一栅电极之间；第二栅绝缘层，布置在第一栅电极和第一存储电极之间；第一绝缘层，布置在第一存储电极和第一电极之间；以及第二绝缘层，布置在第一电极和第一数据导电层之间。穿过第一
开口和第二开口的第三开口可以形成在第二绝缘层、第一绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层中。
[0016]显示装置可以进一步包括：第二半导体层，布置在第二绝缘层上；第三栅导电层，布置在第二半导体层上；以及第二数据导电层，布置在第一数据导电层上。
[0017]显示装置可以进一步包括第二晶体管至第九晶体管。
[0018]实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：基板；第一半导体，包括在第一晶体管中并且布置在基板上；第一栅电极，布置在第一半导体上；第一存储电极，与第一栅电极的至少一部分重叠并且与第一栅电极形成第一电容器；以及第一电极，布置在第一存储电极上并且与第一存储电极一起形成第二电容器。第一电容器和第二电容器可以在垂直于基板的表面的方向上重叠，第一存储电极可以包括第一开口，第一电极可以包括第二开口，并且第一开口和第二开口的至少一部分可以彼此重叠。
[0019]第一电容器可以是存储电容器，并且第二电容器可以是保持电容器。
[0020]第一晶体管可以是驱动晶体管，并且第一晶体管可以与第一存储电极和第一电极重叠。
[0021]第一电极可以接收驱动电压。
[0022]第二开口的尺寸可以大于第一开口的尺寸。
[0023]显示装置可以进一步包括布置在第一电极上的第一数据导电层，并且第一数据导电层的一部分可以电连接到第一栅电极。
[0024]显示装置可以进一步包括：第一栅绝缘层，布置在第一半导体和第一栅电极之间；第二栅绝缘层，布置在第一栅电极和第一存储电极之间；第一绝缘层，布置在第一存储电极和第一电极之间；以及第二绝缘层，布置在第一电极和第一数据导电层之间。穿过第一开口和第二开口的第三开口可以形成在第二绝缘层、第一绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层中。
[0025]显示装置可以进一步包括：第二半导体层，布置在第二绝缘层上；第三栅导电层，布置在第二半导体层上；以及第二数据导电层，布置在第一数据导电层上。
[0026]显示装置可以进一步包括第二晶体管至第九晶体管。
[0027]第一晶体管至第九晶体管中的至少一些晶体管可以是p型晶体管，并且第一晶体管至第九晶体管中的其余晶体管可以是n型晶体管。
[0028]根据实施例，可以通过提供从半导体层排放的脱氢路径而提供具有改善的显示质量和可靠性的显示装置。还可以提供高分辨率显示装置。
附图说明
[0029]图1图示了示出根据实施例的显示装置的使用状态的示意性透视图。
[0030]图2图示根据实施例的显示装置的分解示意性透视图。
[0031]图3图示根据实施例的显示装置的示意性框图。
[0032]图4图示根据另一实施例的显示装置的示意性透视图。
[0033]图5图示包括在根据实施例的发射显示装置中的像素的示意性电路图。
[0034]图6图示了示出施加到图5的像素的信号的示意性波形图。
[0035]图7至图17各自示意性地图示取决于根据实施例的显示装置中的显示面板层的制
造顺序的每一层的结构。
[0036]图18图示显示面板层的示意性截面。
[0037]图19图示仅示出显示面板层的一部分的放大示意图。
[0038]图20图示仅示出显示面板层的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
[0039]在下文中将参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了实施例。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，所有这些都不脱离本公开的精神或者范围。
[0040]如本文所使用的，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
[0041]在说明书和权利要求中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为表示包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”以及“或”可以用于结合或者分离的意义，并且可以被理解为等同于“和/或”。
[0042]在说明书和权利要求中，短语
“…
中的至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自
…
的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以被理解为表示包括“A、B或者A和B”的任何组合。
[0043]为了清楚地描述本公开，省略了与描述无关的部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记指代相同或者相似的组成元件本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；第一半导体层，布置在所述基板上；第一栅电极，布置在所述第一半导体层上；第一存储电极，与所述第一栅电极的至少一部分重叠并且与所述第一栅电极形成第一电容器；以及第一电极，布置在所述第一存储电极上并且与所述第一存储电极一起形成第二电容器，其中，所述第一存储电极包括第一开口，所述第一电极包括第二开口，并且所述第一开口和所述第二开口彼此重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电容器是存储电容器，所述第二电容器是保持电容器，并且所述第一电容器和所述第二电容器在垂直于所述基板的表面的方向上重叠。3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括在第一晶体管中包括的第一半导体，并且所述第一半导体与所述第一栅电极的至少一部分、所述第一存储电极的至少一部分和所述第一电极的至少一部分重叠。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一晶体管是驱动晶体管。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极接收驱动电压。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金亨锡，姜章美，朴埈贤，郑珉在，田武泾，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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