本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括衬底基板以及设置于衬底基板一侧的驱动电路；驱动电路包括晶体管，晶体管包括：有源层，位于衬底基板的一侧；栅极结构，包括第一栅极和第二栅极，第一栅极位于有源层远离衬底基板的一侧，第二栅极位于有源层靠近衬底基板的一侧；第一栅极和第二栅极均与选通信号线电连接；栅极结构包括第一区域和第二区域，沿阵列基板的厚度方向，第一栅极和第二栅极在第一区域交叠，第一栅极和第二栅极在第二区域不交叠。采用本发明专利技术实施例提供的技术方案，通过对阵列基板中晶体管栅极的调控，实现晶体管的灵活设计，同时还提升了晶体管的相应速度，保证整体的工作效果。保证整体的工作效果。保证整体的工作效果。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展，显示面板已广泛应用于人们的生产和生活中。但是现有技术中的显示面板仍存在一些技术问题亟待解决。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，提升了驱动晶体管的相应速度，保证整体的工作效果。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板一侧的驱动电路；所述驱动电路包括晶体管，所述晶体管包括：
[0005]有源层，位于所述衬底基板的一侧；
[0006]栅极结构，包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧；所述第一栅极和所述第二栅极均与选通信号线电连接；
[0007]所述栅极结构包括第一区域和第二区域，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一区域交叠，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第二区域不交叠。
[0008]第二方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。
[0009]第三方面，本专利技术实施例提供一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
[0010]本专利技术实施例提供一种阵列基板，阵列基板的驱动电路中包括晶体管，该晶体管包括位于晶体管有源层的两侧的第一栅极和第二栅极，并且第一栅极和第二栅极均与选通信号线电连接，即第一栅极和第二栅极均可以驱动该晶体管，从而可以提升晶体管的相应速度。进一步的，栅极结构包括第一区域和第二区域，在第一区域内第一栅极和第二栅极存在交叠，即晶体管在第一区域为双栅驱动，在第二区域内第一栅极和第二栅极不交叠，即晶体管在第二区域为单栅驱动，即在一个晶体管内可以实现单栅和双栅的两种驱动效果，即体现了晶体管的灵活设计。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0013]图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0014]图3是本专利技术实施例提供的一种像素驱动电路的电路元件图；
[0015]图4是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0016]图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0017]图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0018]图7是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0019]图8是本专利技术实施例提供的一种栅极驱动电路的电路元件图；
[0020]图9是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0021]图10是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0022]图11是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0023]图12是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0024]图13是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0025]图14是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0027]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它单元。
[0028]图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，参考图1和图2，本专利技术实施例提供一种阵列基板10，该阵列基板10包括衬底基板100以及设置于衬底基板100一侧的驱动电路200；驱动电路200包括晶体管210，晶体管210包括：有源层211，位于衬底基板100的一侧；栅极结构212，包括第一栅极212a和第二栅极212b，第一栅极212a位于有源层211远离衬底基板100的一侧，第二栅极212b位于有源层211靠近衬底基板100的一侧；第一栅极212a和第二栅极212b均与选通信号线电连接；栅极结构212包括第一区域212(1)和第二区域212(2)，沿阵列基板10的厚度方向，第一栅极212a和第二栅极2112b在第一区域212(1)交叠，第一栅极212a和第二栅极212b在第二区域212(2)不交叠。
[0029]具体的，本专利技术实施例提供的阵列基板10包括衬底基板100及衬底基板100一侧的驱动电路200，驱动电路200可以包括像素驱动电路或栅极驱动电路等。进一步的，参考图1和图2所示，驱动电路200包括交替设置的绝缘层和金属层，举例来说，金属层可以包括源层211、栅极结构212、源极213、漏极和电容基板214等，绝缘层可以包括栅极绝缘结构220、层间绝缘结构230和平台化层240等，本专利技术实施例对具体的膜层结构不进行限定，本领域的
相关技术人员可以根据实际的生产需要进一步的调整膜层之间的设置关系。
[0030]其中，驱动电路200包括晶体管210，晶体管210包括上述的金属膜层，即源层211、栅极结构212、源极213、漏极和电容基板214等，需要说明的是，图1和图2是阵列基板10的结构示意图，该截面为剖面示意图，基于不同的剖线示出的阵列基板10的结构方位存在差异，即图中213用于示例性的代表源极，也可以用于代表漏极，本专利技术实施例对此不进行具体的限定。
[0031]进一步的，栅极结构212包括第一栅极212a和第二栅极212b，并且第一栅极212a和第二栅极212b位于晶体管210有源层211的两层，具体的，第一栅极212a位于有源层211远离衬底基板100的一侧，第二栅极212b位于有源层211靠近衬底基板100的一侧。同时，第一栅极212a和第二栅极212b均通过连接结构300电连接选通信号线(图中未具体示出)，即实现第一栅极212a和第二栅极212b均可以驱动该晶体本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板一侧的驱动电路；所述驱动电路包括晶体管，所述晶体管包括：有源层，位于所述衬底基板的一侧；栅极结构，包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧；所述第一栅极和所述第二栅极均与选通信号线电连接；所述栅极结构包括第一区域和第二区域，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一区域交叠，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第二区域不交叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域设置有所述第一栅极或所述第二栅极。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的输出端与像素电极电连接；所述驱动晶体管中所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括驱动晶体管和开关晶体管，所述驱动晶体管的输出端与像素电极电连接，所述开关晶体管的输入端与显示信号线电连接；所述驱动晶体管中所述第一区域的面积大于所述开关晶体管的所述第一区域的面积。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括输出晶体管，所述输出晶体管的输出端与所述栅极驱动电路的输出端电连接；所述输出晶体管中所述第一区域的面积大于所述输出晶体管中所述第二区域的面积。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括输出晶体管和控制晶体管，所述输出晶体管的输出端与所述栅极驱动电路的输出端电连接，所述控制晶体管的输入端与控制信号线电连接；所述输出晶体管中所述第一区域的面积大于所述控制晶体管的所述第一区域的面积。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管还包括栅极绝缘结构，所述栅极绝缘结构包括第一栅极绝缘结构和第二栅极绝缘结构；所述第一栅极绝缘结构位于第一栅极和所述有源层之间，所述第二栅极绝缘结构位于所述第二栅极和所述有源层之间；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫，柳家娴，
申请(专利权)人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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