一种直射式非气密性光耦的开封方法技术

本发明专利技术公开了一种直射式非气密性光耦的开封方法，通过对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的位置和深度进行定位，再将发光二极管和光敏三极管引出端分别固定，降低了开封后器件部分结构脱落丢失的可能性；接着对光耦正面和背面采用对称激光开封法，降低了发光二极管和光敏三极管的分离难度。本发明专利技术提供的直射式非气密性光耦开封方法，对正确地给出直射式非气密性光耦的DPA评价或准确分析出失效原因提供了关键的技术保障。出失效原因提供了关键的技术保障。

【技术实现步骤摘要】
一种直射式非气密性光耦的开封方法


[0001]本专利技术属于半导体开封
，特别涉及一种非气密性三维多芯片封装存储器模块的开封方法。

技术介绍

[0002]光耦合器也称为光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。非气密性光耦的基本结构是将发光二极管和光敏三极管封装在同一外壳内，并用透明树脂(即导光胶)灌封充填作光传递介质，通常将发光二极管的管脚作输入端，光敏三极管的引脚作为输出端，当输入端加电信号时，发光二极管发出的光信号通过透明树脂光导介质投射到光敏三极管后，转换成电信号输出，实现了以光为媒介的电、光、电信号转换传输，因其对输入和输出信号具有良好的隔离效果，而广泛用于各种电路中。目前，非气密性光耦有两种比较常见的传输结构：反射式平面结构和直射式立体结构。反射式平面结构光耦因其发光二极管和光敏三极管位于同一平面，因此可以使用激光开封方法进行开封。而直射式立体结构光耦因其发光二极管和光敏三极管位于对立面使其开封难度大大增加。
[0003]中国专利CN105598589A名称为激光开封方法中公布通过激光烧蚀和酸腐蚀的方法对塑封器件进行开封，这种方法只适用于发光二极管和光敏三极管位于同一平面的反射式平面结构非气密性光耦，而对于发光二极管和光敏三极管位于对立面的直射式立体结构非气密性光耦却不适用。
[0004]中国专利CN112108481A名称为一种解剖塑封光耦的方法中公布通过打磨直射式非气密性光耦，使其露出一侧光耦隔离片，再使用水口钳对其施加机械应力实现对光耦的解剖。这种方法实际操作难度大：一，光耦器件属于小型器件，而水口钳类工具相对较大，不仅不利于对光耦施加应力，而且会导致光耦溅飞丢失；二，这种方法只打磨光耦一侧，而光耦另一侧封装完好，很难通过该方法中施加应力的对其进行解剖。
[0005]长期以来一般通过传统酸腐蚀的方法对直射式非气密性光耦进行开封，该方法虽操作简单效率高，但会破坏光耦的基本框架，同时使键合系统及芯片粘接系统受到破坏而只剩下裸芯片，使得破坏性物理分析(简称：DPA)中的键合强度试验无法进行，而且会引入新的失效因素，增加了失效分析的难度。因此，如何完整地解剖直射式非气密性光耦，对正确分析其失效原因和准确地给出DPA评价就显得及其关键。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于针对现有直射式非气密性光耦开封方法无法保证直射式非气密性光耦完整性的缺点以及先打磨再施加机械应力方法实操难的问题，提供一种直射式非气密性光耦开封方法，其具有开封成本低，操作简单，可保持其键合系统及芯片粘接系统完整性的优点。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0008]一种直射式非气密性光耦的开封方法，包括如下步骤：
[0009]S1、对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位，得到发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息；
[0010]S2、对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定；
[0011]S3、对光耦正面、背面及两个侧面进行局部激光烧蚀直至暴露出隔离片；
[0012]S4、对经过激光烧蚀的直射式非气密性光耦中的发光二极管和光敏三极管进行分离，将粘覆在发光二极管或光敏三极管上的隔离片揭开，暴露出发光二极管和光敏三极管；
[0013]S5、对分离后的发光二极管和光敏三极管进行化学腐蚀去除发光二极管和光敏三极管上的导电胶；
[0014]S6、对经过化学腐蚀的发光二极管和光敏三极管芯片进行超声清洗，完成开封。
[0015]优选的，步骤S1中使用X射线检测仪对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位。
[0016]优选的，步骤S2中选用焊料焊接法对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定。
[0017]优选的，步骤S3中使用激光开封机对光耦正面、背面及两个侧面进行局部激光烧蚀直至暴露出隔离片。
[0018]优选的，步骤S3中所述的激光烧蚀，激光发射速度选用50
‑
1000mm/s，功率选用30
‑
80％。
[0019]优选的，步骤S3中所述的激光烧蚀，激光发射速度选用50mm/s，激光发射功率选用80％。
[0020]优选的，步骤S3中所述的激光烧蚀，激光发射速度选用1000mm/s，激光发射功率选用30％。
[0021]优选的，步骤S3中所述的激光烧蚀，光耦正面和背面选用对称激光开封法对隔离片无基板遮挡处进行激光开封。
[0022]优选的，步骤S5中选用常温的浓硫酸对分离后的发光二极管和光敏三极管进行化学腐蚀去除发光二极管和光敏三极管上的导电胶。
[0023]优选的，步骤S6中将其置于丙酮或酒精中对经过化学腐蚀的发光二极管和光敏三极管芯片进行超声清洗，完成开封。
[0024]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果为：
[0025]本专利技术一种直射式非气密性光耦的开封方法，通过对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位；接着对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定在一起以防后续光耦塑封框架局部被去除后，发光二极管和光敏三极管部分结构脱落丢失；接着对光耦进行激光烧蚀，分离，化学烧蚀完成开封，本专利技术提供的直射式非气密性光耦开封方法具有开封成本低，操作简单，可保持其键合系统及芯片粘接系统完整性，对正确地给出直射式非气密性光耦的DPA评价或准确分析出失效原因提供了关键的技术保障。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例中一种直射式非气密性光耦的开封方法流程示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例中一种直射式非气密性光耦的结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例中一种直射式非气密性光耦的对称激光开封示意图；
[0029]其中，1为光耦隔离片，2为发光二极管，3为光敏三极管。
具体实施方式
[0030]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。
[0031]参照附图，本专利技术提供的一种直射式非气密性光耦开封方法，包括如下步骤：
[0032]S1、对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位，得到发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息；具体地，使用X射线检测仪对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位，得到发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息；
[0033]S2、对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定，具体地对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端选用焊料焊接法分别固定在一起；
[0034]S3、对光耦正面、背面及两个侧面进行局部激光烧蚀直至暴露出隔离片，使用激光开封机对直射式非气密性光耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直射式非气密性光耦的开封方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位，得到发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息；S2、对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定；S3、对光耦正面、背面及两个侧面进行局部激光烧蚀直至暴露出隔离片；S4、对经过激光烧蚀的直射式非气密性光耦中的发光二极管和光敏三极管进行分离，将粘覆在发光二极管或光敏三极管上的隔离片揭开，暴露出发光二极管和光敏三极管；S5、对分离后的发光二极管和光敏三极管进行化学腐蚀去除发光二极管和光敏三极管上的导电胶；S6、对经过化学腐蚀的发光二极管和光敏三极管芯片进行超声清洗，完成开封。2.根据权利要求1所述的一种直射式非气密性光耦的开封方法，其特征在于，步骤S1中使用X射线检测仪对直射式非气密性光耦内部发光二极管和光敏三极管的大小、位置和深度信息进行定位。3.根据权利要求1所述的一种直射式非气密性光耦的开封方法，其特征在于，步骤S2中选用焊料焊接法对定位后的直射式非气密性光耦的发光二极管和光敏三极管引出端分别固定。4.根据权利要求1所述的一种直射式非气密性光耦的开封方法，其特征在于，步骤S3中使用激光开封机对光耦正面、背面及两个侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王燕丽，胡圣，陈立刚，
申请(专利权)人：西安太乙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：