一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法技术

本发明专利技术公开一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法，该光纤为渐变型光纤，包括芯层和包层，芯层的折射率为抛物线型分布，包层包括三下陷包层和外包层。本发明专利技术中，芯层采用渐变抛物线型折射率分布，充分利用其可抑制非线性效应、放宽MAC对模场直径的容忍程度的优点，可较大程度降低芯层锗的掺杂量，使芯层和内包层粘度匹配更优，通过优化芯层折射率水平、调控三下陷包层的深度及宽度，可实现宏弯水平符合G.657A2的标准，满足FTTH复杂的布局环境的要求，同时拥有大的模场直径，可与常规G.652D完全兼容；外包层掺铝，可提升玻璃的粘度，拉丝时将应力集中在包层，芯层受力较少，减少光纤内部缺陷，从而降低光纤衰减。从而降低光纤衰减。从而降低光纤衰减。

【技术实现步骤摘要】
一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法


[0001]本专利技术属于光纤制造
，具体涉及一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤及制备方法。

技术介绍

[0002]随着光纤传输网络的不断演进，5G通信网络快速成长，运营商对于网络传输容量的需求不断提高，光纤的衰减损耗和非线性效应成为制约系统传输性能提升的主要因素。
[0003]低衰减损耗光纤可以有效提高光纤通信过程中的光信噪比，提高系统传输距离以减少中继站设置，降低运营成本。
[0004]光纤的非线性效应可通过增加光纤有效面积、降低光纤传输的光功率水平来抑制，因此，对于传输光纤来说，模场直径越大越好。但是，根据前期多年研究发现，在光缆截止波长小于1260nm、满足全波段传输的情况下，模场直径变大会导致MAC(定义为模场直径与截止波长的比值)变大，不利于光纤的弯曲性能。而如今在光纤到户(FTTH)大面积普及的情况下，保证狭小空间内光纤在弯曲条件下的传输性能也是必要的。
[0005]综上，开发一种低衰减、模场直径较大且弯曲不敏感的光纤是必要的，将有助于解决G.65本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述光纤为渐变型光纤，包括芯层和包层，所述芯层的折射率为抛物线型分布，所述包层包括三下陷包层和外包层。2.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述芯层折射率满足如下幂指数分布：其中，r为光纤芯子中任一点到中心位置的距离，n(r)为该点的折射率，n(0)为芯层中心位置的折射率，a为光纤芯层的半径，α为分布幂指数，α为2.0～4.5，Δ为芯层相对于纯二氧化硅的折射率差。3.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述芯层为锗氟共掺杂的石英玻璃层，其中氟的浓度不变，锗的掺杂浓度随半径增大而递减，芯层半径R1为3.5～4.5μm，相对折射率差Δ1为0.25％～0.40％。4.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述三下陷包层包括由内至外依次设置的内包层、下陷包层和缓冲下陷包层，所述芯层、外包层、内包层、缓冲下陷包层、下陷包层的相对折射率差逐渐减小。5.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述内包层掺氟，半径R2为6.5～10μm，相对折射率差Δ2为
‑
0.12％～
‑
0.04％。6.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述下陷包层掺氟，但氟的掺杂浓度随半径增大而递减，半径R3为12～17μm，相对折射率差Δ3为
‑
0.45％～
‑
0.20％。7.根据权利要求1所述的一种低衰减大模场直径弯曲不敏感单模光纤，其特征在于，所述缓冲下陷包层为氟氯共掺杂的石英玻璃层，半径R4为18～25μm，相对折射率差Δ4为
‑
0.17％～
‑
0.14％，其中氯的折射率贡献为0.05％～0.10％。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙楠，劳雪刚，王友兵，杜森，刘周伟，姜丁允，姜政，
申请(专利权)人：江苏亨通光电股份有限公司江苏亨通光纤科技有限公司，
类型：发明
国别省市：