显示装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种窄边框的廉价显示装置及电子设备。该显示装置具有包括发光器件的第一像素、包括受光器件的第二像素以及用来读出由第二像素获取的信息的读出电路。该读出电路具有所安装的IC芯片所包括的第一电路及以单片方式形成在形成有像素电路的衬底上的第二电路。通过采用该结构，可以从IC芯片省去相当于第二电路的电路，由此可以实现IC芯片的小型化。由此可以实现IC芯片的小型化。由此可以实现IC芯片的小型化。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器)、输入输出装置(例如，触摸面板)以及上述装置的驱动方法或制造方法。

技术介绍

[0003]近年来，显示装置应用于各种用途。例如，作为大型显示装置的用途，可以举出家用电视装置、数字标牌(Digital Signage)及公共信息显示器(PID：Public Information Display)等。此外，显示装置常常还应用于具有触摸面板的智能手机及平板终端等。
[0004]作为显示装置，例如对包括发光器件(也称为发光元件)的发光装置已在进行研发。利用电致发光(Electroluminescence，以下称为EL)现象的发光器件(也称为“EL器件”、“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化，能够高速地响应输入信号，以及能够使用直流恒压电源等而驱动等特征。
[0005]专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的一个例子。
[0006][专利文献1]日本专利申请公开第2002
‑
324673号公报

技术实现思路

[0007]通过在像素中设置受光器件，可以对显示装置赋予拍摄功能。具有拍摄功能的显示装置中，在手指或手掌接触面板表面的状态下进行拍摄，由此可以获取可用于个人识别的指纹或掌纹等图像。此外，还可以将受光器件的拍摄功能用于触摸传感器。
[0008]在此，在显示装置中设置有驱动包括发光器件的像素及包括受光器件的像素各自的驱动电路。此外，在显示装置中设置有用来从包括受光器件的像素读出数据的读出电路。
[0009]这些驱动电路及读出电路的部分或整体使用IC芯片。通过使用COG(Chip On Glass：玻璃覆晶)、COF(Chip On Film：覆晶薄膜)或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)等技术，将该IC芯片安装在形成有像素电路的衬底的边框等上。
[0010]所安装的IC芯片个数越多，显示装置的制造成本越高。这也会妨碍窄边框化。鉴于上述问题，需要以单片(monolithic)方式将驱动电路及读出电路的一部分与像素电路一起形成在同一个衬底上，以减少IC芯片的个数或者实现IC芯片的小型化。
[0011]因此，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种窄边框的廉价显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种以单片方式形成读出电路的一部分的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种窄边框的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种具有识别功能的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种高可靠性显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一在于提供一种包括上述显示装置的电子设备。
[0012]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
[0013]本专利技术的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括第一像素电路及A/D转换电路，A/D转换电路包括第一电路，第一像素电路及第一电路形成在同一个衬底上，第一电路包括电阻分压电路，电阻分压电路包括漏极与第一栅极电连接的多个晶体管，晶体管在半导体层中包含金属氧化物，并且晶体管中沿绝缘层的侧面设置有沟道形成区域。
[0014]多个晶体管可以以相邻的两个晶体管中的一个晶体管的源极与另一个晶体管的漏极及第一栅极电连接的方式串联连接。
[0015]多个晶体管可以各自包括第二栅极，在包括在多个晶体管中的第一晶体管及第二晶体管中，第二晶体管的源极电位可以低于第一晶体管的源极电位，第一晶体管的第二栅极可以与第二晶体管的源极电连接。
[0016]在衬底上可以包括第一导电层、绝缘层以及第二导电层，并且开口可以以到达第一导电层的方式设置在绝缘层及第二导电层中。
[0017]沿绝缘层的侧面设置沟道形成区域的晶体管可以包括：以覆盖开口的方式设置的包含金属氧化物的半导体层；以覆盖来源于开口的凹部的方式设置在包含金属氧化物的半导体层及第二导电层上的第二绝缘层；以及以覆盖来源于开口的凹部的方式设置在第二绝缘层上的第三导电层。
[0018]偏置区域可以设置在沿绝缘层的侧面设置沟道形成区域的晶体管所包括的半导体层的沟道与漏极之间。
[0019]A/D转换电路可以包括第二电路，第二电路可以设置在安装在衬底上的IC芯片上，并且第二电路可以与第一电路电连接。
[0020]第一像素电路包括受光器件。此外，显示装置包括第二像素电路，并且第二像素电路包括发光器件。
[0021]此外，本专利技术的另一个方式是一种电子设备，该电子设备包括上述显示装置，并且由第一像素电路获取指纹的图像进行指纹识别。
[0022]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种窄边框的廉价显示装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种以单片方式形成读出电路的一部分的显示装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种窄边框的显示装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种具有识别功能的显示装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种高可靠性显示装置。此外，根据本专利技术的一个方式，可以提供一种包括上述显示装置的电子设备。
[0023]注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。
附图说明
[0024]图1是说明显示装置的方框图；图2是说明A/D转换电路的图；图3是说明A/D转换电路的图；图4是说明A/D转换电路的图；图5A是说明电阻分压电路的图，图5B是说明供应到晶体管的背栅极的电位的图，
图5C是说明晶体管的阈值电压的漂移的图；图6A及图6B是说明电阻分压电路的图；图7A及图7B是说明纵向晶体管的图；图8A及图8B是说明纵向晶体管的图；图9A及图9B是说明晶体管的二极管连接及串联连接的图；图10A及图10B是说明晶体管的二极管连接及串联连接的图；图11A及图11C是说明晶体管的二极管连接及串联连接的图，图11B是说明与晶体管的背栅极连接的布线的图；图12A及图12C是说明晶体管的二极管连接及串联连接的图，图12B是说明与晶体管的背栅极连接的布线的图；图13A至图13C是说明晶体管的偏置区域的图；图14A至图14C是说明包括发光器件的像素电路的图，图14D是说明包括受光器件的像素电路的图；图15A是说明显示装置的一个例子的俯视图，图15B及图15C是说明显示装置的一个例子的截面图；图16是说明显示装置的构成要素的截面图；图17A至图17K是说明像素的一个例子的图；图18是说明显示装置的一个例子的立体图；图19A是说明显示装置的一个例子的截面图，图19B及图19C是说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：衬底；第一像素电路；以及A/D转换电路，其中，所述A/D转换电路包括第一电路，所述第一像素电路及所述第一电路在同一个衬底上，所述第一电路包括电阻分压电路，所述电阻分压电路包括多个晶体管，所述多个晶体管各自包括：半导体层；第一绝缘层；源极；漏极；以及第一栅极，所述第一栅极与所述漏极彼此电连接，所述多个晶体管各自在所述半导体层中包含沟道形成区域，所述多个晶体管各自在所述沟道形成区域中包含金属氧化物，并且，所述多个晶体管各自的沟道形成区域沿着所述第一绝缘层的侧面设置。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个晶体管以所述多个晶体管之第一晶体管的所述源极与相邻于所述第一晶体管的所述多个晶体管之第二晶体管的所述漏极及所述第一栅极电连接的方式串联连接。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个晶体管各自包括第二栅极，所述第二晶体管的源极电位低于所述第一晶体管的源极电位，并且所述第一晶体管的所述第二栅极与所述第二晶体管的所述源极电连接。4.一种显示装置，包括：衬底；所述衬底上的第一像素电路；以及A/D转换电路，其中，所述A/D转换电路包括所述衬底上的第一电路，所述第一电路包括电阻分压电路，所述电阻分压电路包括多个晶体管，所述多个晶体管各自包括：半导体层；第一绝缘层；开口；源极；漏极；
第一栅极；以及第二栅极，所述漏极与所述第一栅极彼此电连接，所述多个晶体管各自在所述半导体层中包含沟道形成区域，所述多个晶体管各自在所述沟道形成区域中包含金属氧化物，所述多个晶体管各自的沟道形成区域沿着所述第一绝缘层的侧面设置，所述多个晶体管以所述多个晶体管之第一晶体管的所述源极与相邻于所述第一晶体管的所述多个晶体管之第二晶体管的所述漏极及所述第一栅极电连接的方式串联连接，所述第二晶体管的源极电位低于所述第一晶体管的源极电位，所述第一晶体管的所述第二栅极与所述第二晶体管的所述源极电连接，所述第一晶体管的所述源极、所述第一晶体管的所述漏极以及所述第一绝缘层设置在所述衬底上，并且，所述第一绝缘层及所述第一晶体管的所述源极包括到达所述漏极的所述开口。5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：所述半导体层上的第二绝缘层，其中所述第一晶体管的所述第一栅极设置在所述第二绝缘层上，并且所述半导体层、所述第二绝缘层以及所述第一晶体管的所述第一栅极覆盖所述开口。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一晶体管包括设置在所述沟道形成区域与所述漏极之间的偏置区域。7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：所述源极上的第三绝缘层，其中所述第二栅极与所述源极及所述漏极重叠，并且所述第二栅极设置在所述第一绝缘层与所述第三绝缘层之间。8.一种显示装置，包括：衬底；所述衬底上的第一像素电路；以及A/D转换电路，其中，所述A/D转换电路包括所...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤学，松本裕功，中田昌孝，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：