【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
[0001]本公开至少一实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置具有自发光、对比度高、清晰度高、视角宽、功耗低、响应速度快、以及制造成本低等一系列优势，已经成为新一代显示装置的重点发展方向之一，因此受到越来越多的关注。
[0003]为了提高消费者的用户体验，显示装置正往大屏化、全屏化发展，由此设计了打孔屏、全面屏等显示屏，对于打孔屏来说，其破坏了显示屏原有的显示结构，显示屏在打孔附近具有较多可能使显示装置中的显示器件失效的因素，因此如何优化打孔附近的结构是本领域技术人员不断研究的课题。
技术实现思路
[0004]本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板具有开孔区、至少部分围绕所述开孔区的布线区以及至少部分围绕所述布线区的显示区，且包括衬底基板，其中，所述布线区包括设置在所述衬底基板上的第一信号线以及设置在所述第一信号线的远离所述衬底基板一侧的断...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，具有开孔区、至少部分围绕所述开孔区的布线区以及至少部分围绕所述布线区的显示区，且包括衬底基板，其中，所述布线区包括设置在所述衬底基板上的第一信号线以及设置在所述第一信号线的远离所述衬底基板一侧的断电隔离柱，所述断电隔离柱至少部分围绕所述开孔区，所述断电隔离柱具有面向所述开孔区的第一侧面以及面向所述显示区的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面中的至少一个具有凹陷。2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述断电隔离柱包括设置在所述第一信号线的远离所述衬底基板一侧的第一子隔离柱以及设置在所述第一子隔离柱的远离所述衬底基板一侧的第二子隔离柱，所述第一子隔离柱的远离所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影相对于所述第二子隔离柱的靠近所述衬底基板一侧的表面在所述衬底基板上的正投影内缩。3.根据权利要求2所述的显示基板，还包括设置在所述第一信号线的远离所述衬底基板一侧的第一平坦化层，在所述布线区，所述第一平坦化层包括至少部分围绕所述开孔区的第一凹陷环以及至少部分围绕所述第一凹陷环的第二凹陷环，所述第一凹陷环和所述第二凹陷环之间的所述第一平坦化层的材料形成所述第一子隔离柱。4.根据权利要求1
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3任一所述的显示基板，其中，所述断电隔离柱在所述衬底基板上的正投影与所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；或者所述断电隔离柱在所述衬底基板上的正投影与相邻的两第一信号线之间的间隙在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。5.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述显示区包括多个子像素，所述子像素包括设置在所述衬底基板上的像素驱动电路以及设置在所述像素驱动电路远离所述衬底基板一侧的发光器件，所述发光器件包括在远离所述衬底基板的方向依次叠层设置的第一电极、发光层以及第二电极，所述显示区还包括设置在相邻的两发光器件之间的底切结构，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述底切结构位于所述像素驱动电路和所述发光器件之间，所述发光层的至少部分在所述底切结构处断开。6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述发光层包括电荷产生层，所述电荷产生层在所述底切结构处断开。7.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第二电极在所述底切结构处连续设置。8.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述发光层和所述第二电极在所述断电隔离柱处断开。9.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述底切结构包括设置在所述像素驱动电路远离所述衬底基板一侧的第一子结构以及设置在所述第一子结构的远离所述衬底基板一侧的第二子结构，所述第一子结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子结构在所述衬底基板上的正投影内部。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在所述显示区，所述第一平坦化层位于所述像素驱动电路远离所述衬底基板一侧，所述第一平坦化层的远离所述衬底基板的部分形成所述第一子结构。11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子结构的厚度低于所述第一子隔离柱的厚度。12.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第二子隔离柱和所述第二子结构同层设置。13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二子隔离柱和所述第二子结构的材料为无机绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓雷，魏悦，杨国强，高肖肖，胡斌，王邻，安旭东，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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