光电转换器件及受发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种驱动电压的上升得到抑制的光电转换器件。另外，提供一种功耗上升得到抑制的受发光装置。本发明专利技术提供一种光电转换装置，该光电转换装置包括第一电极、第二电极和有机化合物层，其中所述有机化合物层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机化合物层包括第一层，所述第一层与所述第二电极间包括具有凸状的结构体，该结构体包括第一有机化合物。合物。合物。

【技术实现步骤摘要】
光电转换器件及受发光装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种光电转换器件、受发光装置、电子设备或半导体装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]已知显示区域中的像素包括发光元件及光电转换元件的功能面板(专利文献1)。例如，功能面板包括第一驱动电路、第二驱动电路及区域，第一驱动电路供应第一选择信号，第二驱动电路供应第二选择信号及第三选择信号，区域包括像素。像素包括第一像素电路、发光元件、第二像素电路及光电转换元件。第一像素电路被供应第一选择信号，第一像素电路根据第一选择信号获取图像信号，发光元件与第一像素电路电连接，发光元件根据图像信号发光。此外，第二像素电路在没有被供应第一选择信号的期间被供应第二选择信号及第三选择信号，第二像素电路根据第二选择信号获取摄像信号，根据第三选择信号供应摄像信号，光电转换元件与第二像素电路电连接，光电转换元件生成摄像信号。
[0004][专利文献1]国际专利申请公开第2020/152556号
专利
技术实现思路

[0005]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种驱动电压的升高得到抑制的光电转换器件。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗的增高得到抑制的受发光装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种功耗的增高得到抑制的电子设备。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖光电转换器件、新颖受发光装置或新颖电子设备。
[0006]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。上述目的以外的目的从说明书、附图、权利要求书等的记载中看来是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽取上述目的以外的目的。
[0007]本专利技术的一个方式是一种光电转换器件，包括第一电极、第二电极和有机化合物层，其中有机化合物层位于第一电极与第二电极间，有机化合物层包括第一层，第一层与第二电极间包括具有凸状的结构体，结构体包含第一有机化合物。
[0008]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中结构体为满足宽30nm以上和高30nm以上中的一方或双方的形状。
[0009]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其包括第一电极、第一层、结构体及第二电极彼此层叠的区域以及第一电极、第一层、第二电极彼此层叠的区域的双
方。
[0010]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中有机化合物层还包括第二层，并且包括第一电极、第一层、结构体、第二层、第二电极彼此层叠的区域以及第一电极、第一层、第二层、第二电极彼此层叠的区域的双方。
[0011]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第二层的厚度为15nm以上且100nm以下。
[0012]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第二层包括第三有机化合物，第三有机化合物是具有电子传输性的有机化合物，第一有机化合物的LUMO能级比第三有机化合物的LUMO能级低。
[0013]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第二层包括第三有机化合物，第三有机化合物是具有电子传输性的有机化合物，第一有机化合物的LUMO能级与第三有机化合物的LUMO能级之差为1eV以下。
[0014]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第一有机化合物的LUMO能级为
‑
4.5eV以上且
‑
3.0eV以下。
[0015]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第一层包括活性层，活性层包含第二有机化合物，第一有机化合物的LUMO能级比第二有机化合物的LUMO能级高。
[0016]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中活性层包含第二有机化合物，第一有机化合物的LUMO能级与第二有机化合物的LUMO能级之差为0.5eV以下。
[0017]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的光电转换装置，其中第一电极、活性层、第二电极彼此重叠的区域中的结构体的密度为0.04/μm2以上。
[0018]本专利技术的另一个方式是一种受发光装置，其包括任意上述光电转换器件及发光器件。
[0019]本专利技术的另一个方式是一种受发光装置，其包括任意上述光电转换器件及发光器件，其中光电转换器件中的有机化合物层还包括第二层，第二层位于第一层与第二电极之间以及结构体与第二电极之间，第二层包含具有电子传输性的第三有机化合物，发光器件包括第三电极、第四电极、位于第三电极及第四电极之间的发光层以及第三层，第三层位于发光层与第四电极之间，第三层包含具有电子传输性的第四有机化合物，第三有机化合物与第四有机化合物是同一有机化合物。
[0020]本专利技术的另一个方式是具有上述结构的受发光装置，其中第二电极与第四电极使用连续的导电材料形成。
[0021]另外，本专利技术的另一个方式是在上述结构中光电转换器件与发光器件的结构除了活性层和发光层的结构及结构体的有无以外大致相同的受发光装置。注意，在本说明书中“大致相同”是指同时制造，并容许制造时的面内分布程度的不同。
[0022]在本说明书的附图中，根据其功能对构成要素进行分类而示出为彼此独立的方框的方框图，但是，实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。
[0023]根据本专利技术的一个方式可以提供一种驱动电压的升高得到抑制的光电转换器件。另外，根据本专利技术的一个方式可以提供一种功耗的增高得到抑制的受发光装置。另外，根据
本专利技术的一个方式可以提供一种功耗的增高得到抑制的电子设备。另外，根据本专利技术的一个方式可以提供一种新颖光电转换器件、新颖受发光装置或新颖电子设备。
[0024]注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。上述效果以外的效果从说明书、附图、权利要求书等的记载中看来是显而易见的，并且可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽取上述效果以外的效果。
附图说明
[0025]图1A及图1B是说明光电转换器件的能带图的图。图2A及图2B是光电转换器件的显微镜照片及截面TEM照片。图3A至图3C是说明本专利技术的一个方式的光电转换器件的图。图4A至图4C是说明本专利技术的一个方式的受发光装置的图。图5A及图5B是说明本专利技术的一个方式的受发光装置的图。图6A至图6E是说明根据实施方式的发光器件的结构的图。图7A至图7D是说明根据实施方式的受发光装置的图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电转换器件，包括：第一电极；第二电极；以及有机化合物层，其中，所述有机化合物层位于所述第一电极与所述第二电极间，所述有机化合物层包括第一层，所述第一层与所述第二电极间包括具有凸状的结构体，并且，所述结构体包含第一有机化合物。2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中所述第一层包括活性层。3.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中所述结构体为满足宽30nm以上和高30nm以上中的一方或双方的形状。4.根据权利要求3所述的光电转换器件，其中所述第一电极、所述活性层与所述第二电极重叠的区域中的所述结构体的密度为0.04/μm2以上。5.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中所述有机化合物层还包括第二层，并且包括所述第一电极、所述第一层、所述结构体、所述第二层及所述第二电极彼此层叠的区域以及所述第一电极、所述第一层、所述第二层及所述第二电极彼此层叠的区域的双方。6.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中所述第一有机化合物的LUMO能级为
‑
4.5eV以上且
‑
3.0eV以下。7.根据权利要求2所述的光电转换器件，其中所述活性层包含第二有机化合物，并且所述第一有机化合物的LUMO能级比所述第二有机化合物的LUMO能级高，所述第一有机化合物的LUMO能级与所述第二有机化合物的LUMO能级之差为0.5eV以下。8.一种受发光装置，包括：权利要求2所述的光电转换器件；以及发光器件。9.一种受发光装置，包括：权利要求2所述的光电转换器件；以及发光器件，其中，所述光电转换器件中的有机化合物层还包括第二层，所述第二层位于所述第一层与所述第二电极之间以及所述结构体与所述第二电极之间，所述第二层包含具有电子传输性的第三有机化合物，所述发光器件包括第三电极、第四电极、位于所述第三电极与所述第四电极之间的发光层以及第三层，所述第三层位于所述发光层与所述第四电极之间，所述第三层包含具有电子传输性的第四有机化合物，并且，所述第三有机化合物与所述第四有机化合物是同一有机化合物。
10.根据权利要求9所述的受发光装置，还包括：所述第一电极、所述第一层、所述结构体、所述第二层及所述第二电极彼此层叠的区域；以及所述第一电极、所述第一层、所述第二层及所述第二电极彼此层叠的区域。11.根据权利要求9所述的受发光装置，其中连续的导电材料的第一部分被用作所述第二电极并且所述连续的导...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田大介，山下晃央，杉本和哉，镰田太介，川上祥子，梶山一辉，中泽安孝，井加田香，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：