【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路、基准电压产生方法、芯片及电子设备
[0001]本申请涉及电子电路
，具体涉及一种带隙基准电路、基准电压产生方法、芯片及电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中，带隙基准电压源通常采用一个处于放大区三极管的基极
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发射极电压Vbe与不同的三极管的Vbe之差ΔVbe相加产生。该电压源结构通常包括运算放大器和三极管构成环路。运算放大器的输入失调电压被放大并叠加在基准电压上，造成基准电压的偏移，并且该输入失调电压也会随着温度而变化，从而引入额外的温漂项，对基准电压造成极大的影响。
技术实现思路
[0003]鉴于以上问题，本申请实施例提供一种带隙基准电路、基准电压产生方法、芯片及电子设备，以解决上述技术问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种带隙基准电路，包括：
[0005]运放模块；
[0006]第一电压产生模块，与运放模块的第一输入端连接，用于产生具有负温度系数的第一电压；
[0007]第二电压产生模块，用于产生第二电压；
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：运放模块；第一电压产生模块，与所述运放模块的第一输入端连接，用于产生具有负温度系数的第一电压；第二电压产生模块，用于产生第二电压；第三电压产生模块，用于产生第三电压，所述第二电压与所述第三电压不相等，且所述第二电压与所述第三电压之差具有正温度系数；电荷存储模块，包括：第一电荷存储单元和第二电荷存储单元，所述第二电荷存储单元的第一端与所述运放模块的第二输入端连接；开关网络，用于：在第一期间，将所述第一电荷存储单元连接于在所述运放模块的第一输入端与第二输入端之间，将所述运放模块的输出端与所述第二输入端连接，将所述第二电荷存储单元的第二端与所述第二电压产生模块连接；以及在第二期间，将所述第一电荷存储单元连接于所述运放模块的第二输入端与输出端之间，将所述第二电荷存储单元的第二端与所述第三电压产生模块连接；其中，所述运放模块的输出端在所述第二期间作为基准电压的输出端。2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述电荷存储模块，还包括：第三电荷存储单元，第三电荷存储单元的第一端与所述运放模块的第二输入端连接；所述开关网络，还用于：在所述第一期间和所述第二期间中的一个期间，将所述第三电荷存储单元的第二端与参考地端连接；在所述第一期间和所述第二期间中的另一个期间，将所述第三电荷存储单元的第二端与二阶补偿端连接；其中，所述二阶补偿端用于接收与温度平方成比例的第四电压。3.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二电压产生模块，包括：第二电流镜，用于对预设电流进行镜像以生成第二电流；第二晶体管，所述第二晶体管的第一极在所述第一期间接收所述第二电流以产生所述第二电压；所述第三电压生成模块，包括：第三晶体管，所述第三晶体管的第一极在所述第二期间接收所述第二电流以产生所述第三电压；其中，所述第三晶体管与所述第二晶体管不同，以使所述第二电压不等于所述第三电压。4.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第二电压产生模块包括第三电流镜和第四晶体管，所述第三电压生成模块包括第四电流镜；其中：所述第三电流镜，用于对预设电流进行镜像以生成第三电流；
所述第四电流镜，用于对所述预设电流进行镜像以生成第四电流，所述第四电流与所述第三电流不相等；所述第四晶体管的第一极，在第一期间接收所述第三电流以产生所述第二电压，在第二期间接收所述第四电流以产生所述第三电压。5.如权利要求3或4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一电压产生模块，包括：第一电流镜，用于对所述预设电流进行镜像以生成第一电流；第一晶体管，其第一极接收所述第一电流以产生所述第一电压。6.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述开关网络包括：第一开关，连接于所述第一电荷存储单元的第一端与所述运放模块的第一输入端之间；第二开关，连接于所述第一电荷存储单元的第一端与所述运放模块的输出端之间；第三开关，连接于所述运放模块的第二输入端与输出端之间；其中，在所述第一期间，所述第一开关和所述第三开关导通，所述第二开关断开；在所述第二期间，所述第二开关导通，所述第一开关和所述第三开关断开。7.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，所述开关网络还包括：第四开关，连接于所述第二电流镜与所述第二晶体管的第一极之间；第五开关，连接于所述第二电流镜与所述第三晶体管的第一极之间；其中，在所述第一期间，所述第五开关导通，所述第四开关断开；在所述第二期间，所述第五开关断开，所述第四开关导通。8.如权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张禄鑫，欧阳振华，
申请(专利权)人：芯海科技深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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