【技术实现步骤摘要】
氧化锗处理系统
[0001]本公开涉及锗材料领域，更具体地涉及一种氧化锗处理系统。
技术介绍
[0002]锗是重要的半导体材料，广泛地用于半导体器件和红外光学元件。二氧化锗是制备高纯锗的中间原料，二氧化锗通过氢还原来制备单质锗，单质锗再经过诸如区熔进行提纯，以制备纯度更好的锗。
[0003]二氧化锗的纯度对于后续的单质锗的制备有着重要的影响。作为中间原料的二氧化锗(以粉体存在)会含有水分，业界通常采用烘烤来去除水分。例如于2005年5月11日公开的专利文献CN1614049A中介绍采用烘箱烘烤来去除二氧化锗料含有的水和结晶水。
[0004]烘箱烘烤对于蒸发出的水并未进行任何处理，不利于生产安全和资源节约。
[0005]另外，烘箱烘烤仅是针对二氧化锗料进行除脱水处理，对于二氧化锗料含有的另外的渣质(例如油质)的脱除烘箱本身的构造难以适用。
[0006]由此，需要开发二氧化锗料处理设备，以提高二氧化锗料的纯度，适应对二氧化锗料所含的水和另外的渣质(例如油质)的处理，提高生产安全和资源节约。
[0007]此外，无论是烘箱还是需要开发的二氧化锗料处理设备，均需要进一步适应大规模生产，提高处理能力。
技术实现思路
[0008]鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种氧化锗处理系统，其能提高氧化锗料的纯度。
[0009]鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的另一目的在于提供一种氧化锗处理系统，其能适应对氧化锗料所含的水和另外的渣质的处理。
[0010
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化锗处理系统，其特征在于，氧化锗处理系统(1000)包括焙烧炉(1)、渣质罐(2)以及收集模块(3)；焙烧炉(1)用于：将装入其内的氧化锗料在流通式真空的无氧环境下进行加热烘干以从氧化锗料中分解出并向收集模块(3)排放水蒸气，以及将装入其内的氧化锗料在通入氮气的流通式真空的无氧环境下在氧化锗不升华的温度下加热焙烧，以从氧化锗料中分解出水蒸气并向收集模块(3)排放水蒸气和氮气以及从氧化锗料中分解出渣质气体并向渣质罐(2)排放渣质气体以及氮气；渣质罐(2)受控地连通于焙烧炉(1)，渣质罐(2)用于：受控地接收焙烧炉(1)加热氧化锗料分解出的渣质气体和氮气，使渣质气体在渣质罐(2)冷凝形成粘稠液体而被收集到渣质罐(2)内且使氮气从渣质罐(2)中排放给收集模块(3)；收集模块(3)受控连通于焙烧炉(1)且连通于渣质罐(2)，收集模块(3)用于：与焙烧炉(1)形成流通式真空，接收焙烧炉(1)加热烘干分解出氧化锗料的水蒸气并使水蒸气冷凝并收集，接收焙烧炉(1)加热焙烧氧化锗料分解出的水蒸气和氮气并使水蒸气冷凝并收集，接收焙烧炉(1)加热焙烧氧化锗料分解出渣质气体时经由渣质罐(2)排出的氮气并使氮气冷却。2.根据权利要求1所述的氧化锗处理系统，其特征在于，焙烧炉(1)包括外壳(10)、加热套(11)、盖体(12)、第一出口(13)、第二出口(14)、第一控制阀(15A)、第二控制阀(15B)以及氮气接入口(16)；外壳(10)具有内腔(101)、沿轴向(L)相反的第一端(102)和第二端(103)，第一端(102)封闭，第二端(103)开口；加热套(11)设置在外壳(10)内，加热套(11)对外壳(10)的内腔(101)进行加热；盖体(12)活动地设置于外壳(10)的第二端(103)，盖体(12)用于：将氧化锗料置于内腔(101)内时，将盖体(12)打开时，在将氧化锗料置于内腔(101)内后，将关闭盖体(12)以封闭第二端(103)；第一出口(13)连通于内腔(101)；第二出口(14)连通于内腔(101)；第一控制阀(15A)用于设置在第一出口(13)和渣质罐(2)之间以控制第一出口(13)与渣质罐(2)的连通；第二控制阀(15B)用于设置在第二出口(14)和收集模块(3)之间以控制第二出口(14)和收集模块(3)之间的连通；氮气接入口(16)连通于内腔(101)和外部的氮气源，用于接入来自外部氮气源提供的氮气。3.根据权利要求2所述的氧化锗处理系统，其特征在于，焙烧炉(1)还包括可移动托架(17)，可移动托架(17)用于承载氧化锗料，可移动托架(17)能够移动地出入于焙烧炉(1)的内腔(101)。4.根据权利要求3所述的氧化锗处理系统，其特征在于，可移动托架(17)与盖体(12)连接在一起，以在可移动托架(17)进入焙烧炉(1)的内腔(101)中时可移动托架(17)带动盖体(12)一起移动并使盖体(12)封...
【专利技术属性】
技术研发人员：林坤盛，吴伟平，严嘉明，
申请(专利权)人：广东长信精密设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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