本发明专利技术公开了一种硅片水膜去水装置，硅片生产技术领域，包括去水膜装置主体，所述去水膜装置主体的两侧分别设置有刻蚀装置和覆膜装置，所述刻蚀装置、去水膜装置主体、覆膜装置贯穿有传送装置，硅片水膜去水装置还包括红外检测装置、水膜更正装置和超声波检测装置，红外检测装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于检测硅片上水膜的厚度，水膜更正装置与红外检测装置相匹配，所述水膜更正装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于粗略更正硅片上水膜的厚度，所述超声波检测装置位于去水膜装置主体的内部，用于二次更正硅片上的水膜。与现有技术相比，根据本发明专利技术的一种硅片水膜去水装置能够对硅片上的水膜的厚度把控。膜去水装置能够对硅片上的水膜的厚度把控。膜去水装置能够对硅片上的水膜的厚度把控。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片水膜去水装置
[0001]本专利技术是关于硅片生产
，特别是关于一种硅片水膜去水装置。
技术介绍
[0002]所谓刻蚀，实际上就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法，而湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。
[0003]刻蚀机利用水膜喷淋覆盖技术，在硅片上喷淋水膜，利用SiO2亲水性将水吸附在表面，使扩散面PN结不易遭到破坏，在减小漏电同时最大限度的增加受光面积，提升效率。
[0004]在非扩散面加上水膜是防止硅片过刻的重要途径，而在实际生产过程中，硅片上的水膜会溢出至刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小，为了达到要求的浓度，要不断的增加供酸量，无形中增加了生产成本。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种硅片水膜去水装置，其能够对硅片上的水膜的厚度把控，避免水膜的厚度过厚或者过薄导致影响刻蚀效果的情况，同时还能够避免水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小的情况，减少酸的供应量，节省成本。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了一种硅片水膜去水装置，包括去水膜装置主体，所述去水膜装置主体的两侧分别设置有刻蚀装置和覆膜装置，所述刻蚀装置、去水膜装置主体、覆膜装置贯穿有传送装置，所述硅片水膜去水装置还包括红外检测装置、水膜更正装置和超声波检测装置，所述红外检测装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于检测硅片上水膜的厚度，所述水膜更正装置与红外检测装置相匹配，所述水膜更正装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于粗略更正硅片上水膜的厚度，所述超声波检测装置位于去水膜装置主体的内部，用于二次更正硅片上的水膜。
[0007]在一个或多个实施方式中，所述红外检测装置包括可调节高度的红外检测装置主体，通过红外检测装置主体能够适应不同厚度的硅片。
[0008]在一个或多个实施方式中，所述覆膜装置上固定连接有与红外检测装置主体相匹配的卡接块，所述卡接块上开设有滑槽，穿过所述滑槽与红外检测装置主体螺纹连接有螺栓，所述红外检测装置主体上设置有多组检测探头。
[0009]在一个或多个实施方式中，所述超声波检测装置包括多组超声波检测头，通过所述超声波检测头能够检测硅片上水膜的厚度，通过不同频率的超声波能够控制水膜的震动频率。
[0010]在一个或多个实施方式中，所述水膜更正装置包括气泵、连接管和出口组件，所述连接管设置在气泵和连接管之间，所述出口组件安装在覆膜装置和去水膜装置主体之间。
[0011]在一个或多个实施方式中，所述去水膜装置主体上开设有凹槽，所述凹槽的上端安装有与传送装置相匹配的漏液板，所述去水膜装置主体上安装有与凹槽相匹配的集水箱。
[0012]在一个或多个实施方式中，所述硅片水膜去水装置还包括水回收装置，所述水回收装置连通集水箱和刻蚀装置，能将集水箱中的水输送至刻蚀装置内供刻蚀装置二次利用。
[0013]在一个或多个实施方式中，所述水回收装置包括回收水管和回收泵，所述回收水管连通集水箱和刻蚀装置，所述回收泵设置在回收水管的中部。
[0014]在一个或多个实施方式中，所述硅片水膜去水装置还包括刻蚀液补偿装置，所述刻蚀装置内还设置有与刻蚀液补偿装置相匹配的刻蚀液检测装置。
[0015]在一个或多个实施方式中，所述刻蚀液补偿装置包括刻蚀液箱和输液管，所述输液管远离刻蚀液箱的一端位于刻蚀装置的内部，所述刻蚀液箱的上端还设置有加液管。
[0016]与现有技术相比，根据本专利技术的一种硅片水膜去水装置具有以下优点：
[0017]1)、能够对硅片上的水膜的厚度进行把控，避免水膜的厚度过厚或者过薄导致影响刻蚀效果的情况，同时还能够避免水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小的情况，减少酸的供应量，节省成本；
[0018]2)、能够对水膜去除的部分进行二次利用，节省成本；
[0019]3)、能够同时对多组硅片进行水膜去水，通过多重检测组件能够保证水膜的厚度达标，不易产生误差；
[0020]4)、实现自动供酸，节省人力成本。
附图说明
[0021]图1是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的结构示意图一。
[0022]图2是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的结构示意图二。
[0023]图3是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的结构示意图三。
[0024]图4是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的半剖图。
[0025]图5是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的结构示意图四。
[0026]图6是根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置的局部结构示意图。
[0027]图7是根据本专利技术一实施方式的水膜更正装置的结构示意图。
[0028]图8是根据本专利技术一实施方式的漏液板的结构示意图。
[0029]图9是根据本专利技术一实施方式的出气端的结构示意图。
[0030]主要附图标记说明：
[0031]1、刻蚀装置；2、覆膜装置；201、卡接块；2011、滑槽；202、第二刻度线；3、去水膜装置主体；301、凹槽；302、卡块；4、传送装置；5、集水箱；501、第一刻度线；502、把手；6、红外检测装置主体；601、检测探头；7、水回收装置；701、回收水管；702、回收泵；8、水膜更正装置；801、气泵；802、连接管；803、出口组件；8031、出气端；8032、出水端；9、刻蚀液补偿装置；901、刻蚀液箱；902、输液管；903、加液管；10、超声波检测头；11、刻蚀液检测装置；12、液位仪；13、螺栓；14、漏液板；15、隔板。
具体实施方式
[0032]下面结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0033]除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
[0034]参图1～图8所示，根据本专利技术一实施方式的一种硅片水膜去水装置，包括去水膜装置主体3，去水膜装置主体3的两侧分别设置有刻蚀装置1和覆膜装置2，刻蚀装置1、去水膜装置主体3、覆膜装置2贯穿有传送装置4。即传送装置4能够贯穿刻蚀装置1、去水膜装置主体3和覆膜装置2，硅片放置在传送装置4上，依次进入覆膜装置2中进行镀水膜，再进入去水膜装置主体3中进行去水膜，最终进入覆膜装置2中进行刻蚀。
[0035]通过去水膜装置主体3能够避免硅片上的水膜过厚，导致水膜上残留的水进入到覆膜装置2中的刻蚀槽中，影响刻蚀槽中刻蚀液的浓度，导致刻蚀液的浓度越来越低，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片水膜去水装置，包括去水膜装置主体，所述去水膜装置主体的两侧分别设置有刻蚀装置和覆膜装置，所述刻蚀装置、去水膜装置主体、覆膜装置贯穿有传送装置，其特征在于，所述硅片水膜去水装置还包括：红外检测装置，所述红外检测装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于检测硅片上水膜的厚度；水膜更正装置，所述水膜更正装置与红外检测装置相匹配，所述水膜更正装置位于覆膜装置和去水膜装置主体之间，用于粗略更正硅片上水膜的厚度；超声波检测装置，所述超声波检测装置位于去水膜装置主体的内部，用于二次更正硅片上的水膜。2.如权利要求1所述的一种硅片水膜去水装置，其特征在于，所述红外检测装置包括可调节高度的红外检测装置主体，通过红外检测装置主体能够适应不同厚度的硅片。3.如权利要求2所述的一种硅片水膜去水装置，其特征在于，所述覆膜装置上固定连接有与红外检测装置主体相匹配的卡接块，所述卡接块上开设有滑槽，穿过所述滑槽与红外检测装置主体螺纹连接有螺栓，所述红外检测装置主体上设置有多组检测探头。4.如权利要求1所述的一种硅片水膜去水装置，其特征在于，所述超声波检测装置包括多组超声波检测头，通过所述超声波检测头能够检测硅片上水膜的厚度，通过不同频率的超声波能够控制水膜的震动频...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：徐州中辉光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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