供电单元及存储设备驱动系统技术方案

本申请公开了供电单元及存储设备驱动系统。该供电单元包括：电源模块，用于将输入电压转换为输出电压，并根据输出电压的反馈信号调节输出电压，以使输出电压在第一供电模式为第一电压值、在第二供电模式为第二电压值；以及调节模块，根据控制信号提供反馈信号，其中，调节模块包括：第一电阻，连接在电源模块的输出端与第二输入端之间；第二电阻和第三电阻，依次串联在电源模块的第二输入端与地之间；以及晶体管，与第三电阻并联，且晶体管受控于控制信号，控制信号在第一供电模式下为第一电平以关断晶体管；在第二供电模式下为第二电平以导通晶体管。该供电模块可以降低对控制信号的要求以及实际输出电压与理想输出电压的偏差。求以及实际输出电压与理想输出电压的偏差。求以及实际输出电压与理想输出电压的偏差。

【技术实现步骤摘要】
供电单元及存储设备驱动系统


[0001]本技术涉及存储卡
，特别是涉及一种供电单元及存储设备驱动系统。

技术介绍

[0002]SD卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性，被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、平板电脑和多媒体播放器等。
[0003]随着科技的发展，数据体积逐渐变大，因此SD卡的容量和传输速度逐步提升。在现有技术中，SD卡可分为低速卡和高速卡。低速卡只支持SD卡工作于低速模式，其接口的I/O电平为3.3V，在读写SD卡时速度受到限制。高速卡可根据SD卡接口I/O电平切换工作模式，当I/O电平为1.8V时，进入高速模式；当I/O电平为3.3V时，进入低速模式。
[0004]现有技术提供了一种SD卡的供电单元，可以根据控制信号将输入电压切换为1.8V或3.3V输出至SD卡的I/O接口，从而实现对SD卡传输速率的智能切换，但是由于现有技术对控制信号的要求较高，使得上述供电单元的兼容性较差，使用场景受限。因此，需要一种新的SD卡供电单元，降低对控制信号的要求，从而适配更多的应用场景。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种供电单元及存储设备驱动系统，通过改变晶体管与电阻的连接方式，降低对控制信号的要求，使供电单元适配更多的应用场景。
[0006]根据本申请的一方面，提供一种供电单元，包括：电源模块，所述电源模块包括分别用于接收输入电压与反馈信号的第一输入端与第二输入端，以及用于提供输出电压的输出端；所述电源模块用于将输入电压转换为输出电压，并根据输出电压的反馈信号调节所述输出电压，以使所述输出电压在第一供电模式被调节至第一电压值、在第二供电模式被调节至第二电压值；以及调节模块，根据控制信号向所述电源模块的第二输入端提供所述反馈信号，其中，所述调节模块包括：第一电阻，连接在所述电源模块的输出端与第二输入端之间；第二电阻和第三电阻，依次串联在所述电源模块的第二输入端与地之间；以及晶体管，与所述第三电阻并联，且所述晶体管的控制端受控于所述控制信号，所述控制信号在所述第一供电模式下为第一电平以关断所述晶体管，所述控制信号在第二供电模式下为第二电平以导通所述晶体管。
[0007]可选地，所述晶体管为NMOS管，其中，所述NMOS管的漏极与所述第二电阻和所述第三电阻的中间节点相连，源极接地，栅极作为所述晶体管的控制端接收所述控制信号。
[0008]可选地，所述晶体管为NPN型三极管，所述NPN型三极管的集电极与所述第二电阻和所述第三电阻的中间节点相连，发射极接地，基极所述晶体管的控制端接收所述控制信号。
[0009]可选地，所述调节模块还包括第一电容和第四电阻，所述第一电容连接在所述电源模块的输出端与地之间，所述第四电阻连接在所述晶体管的控制端与地之间，所述第四电阻与所述晶体管的中间节点接收所述控制信号。
[0010]可选地，所述调节模块还包括第五电阻，所述晶体管的控制端通过所述第五电阻接收所述控制信号。
[0011]可选地，所述控制信号的第二电平满足所述控制信号的第二电平电压值与所述第四电阻阻值的乘积大于所述晶体管导通阈值与所述第四电阻和所述第五电阻阻值之和的乘积。
[0012]可选地，所述供电单元还包括第一滤波模块和第二滤波模块，所述第一滤波模块包括分别连接在所述电源模块的第一输入端与地之间的第二电容和第三电容，所述第二滤波模块包括分别连接在所述输出端与地之间的第四电容和第五电容。
[0013]可选地，所述电源模块为低压差线性稳压器或DC
‑
DC电源转换器。
[0014]根据本申请的再一方面，提供一种存储设备驱动系统，其特征在于，包括:如上述任一项所述的供电单元，以及控制单元，所述控制单元通过驱动总线与存储设备相连，所述控制单元还与所述供电单元相连，为所述供电单元提供所述控制信号。
[0015]可选地，所述存储设备为SD卡或TF卡。
[0016]可选地，所述电源模块的输出电压在第一供电模式被调节至第一电压值、在第二供电模式下被调节至第二电压值以使所述存储设备工作于高速模式或低速模式。
[0017]可选地，所述控制单元为SOC芯片或MCU芯片。
[0018]根据上述实施例的供电单元，通过改变晶体管的连接方式，使控制信号的高电平可以直接作为晶体管的导通电压，降低了对控制信号的要求，提高了供电单元的兼容性。进一步地，由于各分压电阻串联，晶体管打开时，电阻分压比例更符合设计，降低了由于电阻选型对实际输出造成的影响，使控制更精确。
附图说明
[0019]通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0020]图1示出现有技术中供电单元的示意性电路图；
[0021]图2示出本技术实施例的供电单元的示意性电路图；
[0022]图3示出本技术实施例的存储设备驱动系统的示意性框图；
[0023]图4示出图3所示存储设备驱动系统的工作流程图。
具体实施方式
[0024]以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。
[0025]应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件或电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者
可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的，或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。
[0026]同时，在本专利说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域普通技术人员应当可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本专利说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。
[0027]此外，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0028]图1示出了现有技术中供电单元10的示意性电路图。供电单元10包括电源模块11以及调节模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供电单元，其特征在于，包括：电源模块，包括分别用于接收输入电压与反馈信号的第一输入端与第二输入端，以及用于提供输出电压的输出端；所述电源模块用于将输入电压转换为输出电压，并根据输出电压的反馈信号调节所述输出电压，以使所述输出电压在第一供电模式被调节至第一电压值、在第二供电模式被调节至第二电压值；以及调节模块，根据控制信号向所述电源模块的第二输入端提供所述反馈信号，其中，所述调节模块包括：第一电阻，连接在所述电源模块的输出端与第二输入端之间；第二电阻和第三电阻，依次串联在所述电源模块的第二输入端与地之间；以及晶体管，与所述第三电阻并联，且所述晶体管的控制端受控于所述控制信号，所述控制信号在所述第一供电模式下为第一电平以关断所述晶体管，所述控制信号在第二供电模式下为第二电平以导通所述晶体管。2.根据权利要求1所述的供电单元，其特征在于，所述晶体管为NMOS管，其中，所述NMOS管的漏极与所述第二电阻和所述第三电阻的中间节点相连，源极接地，栅极作为所述晶体管的控制端接收所述控制信号。3.根据权利要求1所述的供电单元，其特征在于，所述晶体管为NPN型三极管，所述NPN型三极管的集电极与所述第二电阻和所述第三电阻的中间节点相连，发射极接地，基极所述晶体管的控制端接收所述控制信号。4.根据权利要求1所述的供电单元，其特征在于，所述调节模块还包括第一电容和第四电阻，所述第一电容连接在所述电源模块的输出端与地之间，所述第四电阻连接在所述晶体管的控制端与地之间，所述第四电阻与所述晶体管的中间节点接...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，汤文轩，叶选腾，邵林莉，
申请(专利权)人：联芸科技杭州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：