一种调整装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及低压大电流能量转换技术领域，且公开了一种调整装置，包括：主体，调整结构，设置在主体的上方，所述调整结构包括：销轴，设置在主体的顶部，铰接板，一侧通过销轴铰接在主体的顶部，加热铜片，固定连接在铰接板的底部。通过设置的调整结构，通过设置的铰接板绕着销轴转动，将加热铜片压在全铜散热基底的顶部，通过Mos芯片阵列信号传递，两根水冷管对加热铜片进行降温，从而进行温度上的调整，结构简单，本一种调整装置实用性强，易于推广。易于推广。易于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种调整装置


[0001]本技术涉及低压大电流能量转换
，具体为一种调整装置。

技术介绍

[0002]在当前的工业用低压大电流输出整流器应用上，用于输出整流、输出换向的器件普遍使用的是肖特基二极管、快速恢复二极管、可控硅等几种功率器件。这些器件皆为压降性器件，电流流过该器件则产生固定的压降，压降大小就决定了该器件的功耗大小。目前进口的低压降大功率肖特基二极管的压降普遍在0.65V
‑
0.75V之间。若通过3000A电流，则在整流二极管部分会产生的热功率为0.75
×
3000A＝2250W，在大功率应用上损失大量的电能，以及需要高昂的散热费用。
[0003]现有技术中一般来说，MOSFET管安装在PCB板一侧，把MOSFET管的散热片贴在PCB板侧面的铝散热器上，用螺钉固定，加工和更换都比较麻烦；MOSFET管并联密植连接方式时，存在有效散热的问题。为此我们提出一种调整装置来解决
技术介绍
所提出的问题。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种调整装置。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种调整装置，包括：
[0008]主体；
[0009]调整结构，设置在主体的上方；
[0010]所述调整结构包括：
[0011]销轴，设置在主体的顶部；
[0012]铰接板，一侧通过销轴铰接在主体的顶部；
>[0013]加热铜片，固定连接在铰接板的底部；
[0014]两根水冷管，一端均与加热铜片连接；
[0015]Mos芯片阵列，固定连接在铰接板的顶部，两根水冷管的另一端均与Mos芯片阵列连接。
[0016]优选的，所述主体的顶部分别设置有全铜散热基底、陶瓷框，所述全铜散热基底固定连接陶瓷框的内侧。
[0017]优选的，所述陶瓷框与滑槽的槽壁接触且滑动连接，使陶瓷框带动全铜散热基底在滑槽内移动时更加稳定，从而调整全铜散热基底的前后距离，使加热铜片进行不同规模的距离调整。
[0018]优选的，所述调整结构还包括：
[0019]开口槽，开设在主体的顶部，通过开设的开口槽，在铰接板绕着销轴转动时，开设的开口槽足够容纳两根水冷管的体积。
[0020]优选的，所述围壁固定在全铜散热基底上，顶盖连接在围壁的顶沿，顶盖与围壁连接形成容纳空间，所述陶瓷板、驱动保护线路板以及Mos芯片阵列均位于该容纳空间内。
[0021]优选的，所述Mos芯片中Mos模块的电流在200A
‑
300A之间，从而进行多只并联使用，使用效果更好。
[0022](三)有益效果
[0023]与现有技术相比，本技术提供了一种调整装置，具备以下有益效果：
[0024]1、该一种调整装置，通过设置的调整结构，通过设置的铰接板绕着销轴转动，将加热铜片压在全铜散热基底的顶部，通过Mos芯片阵列信号传递，两根水冷管对加热铜片进行降温，从而进行温度上的调整，结构简单，本一种调整装置实用性强，易于推广。
[0025]2、该一种调整装置，通过设置的使陶瓷框带动全铜散热基底在滑槽内移动时更加稳定，从而调整全铜散热基底的前后距离，使加热铜片进行不规模的距离调整。
附图说明
[0026]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0027]图1为本技术主视图；
[0028]图2为本技术铰接板关闭下的结构示意图；
[0029]图3为本技术铰接板的结构示意图。
[0030]图中：1、主体；2、全铜散热基底；3、陶瓷框；4、滑槽；5、调整结构；501、水冷管；502、Mos芯片阵列；503、铰接板；504、开口槽；505、销轴；506、加热铜片。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0032]所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0033]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0034]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]实施例1
[0036]如图1
‑
3所示，本技术提供了一种调整装置，包括：主体1；调整结构5，设置在主体1的上方，调整结构5包括：销轴505，设置在主体1的顶部，铰接板503，一侧通过销轴505铰接在主体1的顶部，加热铜片506，固定连接在铰接板503的底部，两根水冷管501，一端均与加热铜片506连接，Mos芯片阵列502，固定连接在铰接板503的顶部，两根水冷管501的另一端均与Mos芯片阵列502连接，开口槽504，开设在主体1的顶部，通过开设的开口槽504，在铰接板503绕着销轴505转动时，开设的开口槽504足够容纳两根水冷管501的体积，围壁固定在全铜散热基底2上，顶盖连接在围壁的顶沿，顶盖与围壁连接形成容纳空间，陶瓷板、驱动保护线路板以及Mos芯片阵列均位于该容纳空间内，Mos芯片中Mos模块的电流在200A
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300A之间，从而进行多只并联使用，使用效果更好，通过设置的调整结构5，通过设置的铰接板503绕着销轴505转动，将加热铜片506压在全铜散热基底2的顶部，通过Mos芯片阵列502信号传递，两根水冷管501对加热铜片506进行降温，从而进行温度上的调整，结构简单，本一种调整装置实用性强，易于推广。
[0037]在本实施例中，通过设置的铰接板503绕着销轴505转动，将加热铜片506压在全铜散热基底2的顶部，通过M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调整装置，其特征在于，包括：主体(1)；调整结构(5)，设置在主体(1)的上方；所述调整结构(5)包括：销轴(505)，设置在主体(1)的顶部；铰接板(503)，一侧通过销轴(505)铰接在主体(1)的顶部；加热铜片(506)，固定连接在铰接板(503)的底部；两根水冷管(501)，一端均与加热铜片(506)连接；Mos芯片阵列(502)，固定连接在铰接板(503)的顶部，两根水冷管(501)的另一端均与Mos芯片阵列(502)连接；陶瓷框(3)与滑槽(4)的槽壁接触且滑动连接。2.根据权利要求1所述的一种调整装置，其特征在于：所述主体(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤伟松，郑兵，
申请(专利权)人：上海临港车规半导体研究有限公司，
类型：新型
国别省市：