【技术实现步骤摘要】
基于图像特征的硅片质量评估方法
[0001]本专利技术涉及图像数据处理
,特别是涉及一种基于图像特征的硅片质量评估方法。
技术介绍
[0002]硅片是半导体行业非常关键的基础材料,它是制造集成电路和其他半导体器件的基础。硅片的主要原料是高纯度的单晶硅,需要经过精密的加工步骤制成。其形状为圆盘状,表面极为平整光滑,这样才能进行高精度的半导体制造工艺。硅片规格通常以英寸为单位表示直径,目前主流尺寸是12英寸(约300毫米)。随着半导体工艺的不断发展,对硅片的质量要求也越来越高。高质量的硅片是实现半导体器件持续缩小、性能提升的基础,也是半导体行业获得长足发展的关键材料。硅片的制造和质量检测是这个行业的重要一环。
[0003]硅片的质量直接影响到半导体器件的良率和性能。为了保证硅片质量,需要对其进行各项检测。基于图像处理的自动化硅片检测技术可以快速获取硅片表面图像,通过算法分析提取关键质量指标,实现对缺陷、杂质等的自动检测和分类,大大提高检测效率。与传统方法相比,图像处理技术可以检测出更微小的缺陷,判断标准更精确,重复性也更好。然而在生产硅片时由于快速加热和冷却会产生温度梯度,硅片表面较为容易产生滑移、应力和热失配,会导致晶体畸变。而硅片材料本身颜色均匀,表面光洁度很高,没有明显纹理,且硅片表面形变处的角度和高度变化很小,不会产生明显的高光和阴影差异。所以在使用图像处理技术进行检测时想要检测到形变是非常困难的。
技术实现思路
[0004]鉴于上述问题,本申请提供了一种基于图像特征的硅片质量评估方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于图像特征的硅片质量评估方法,其特征在于,包括:获取所述硅片的第一图像,对所述第一图像进行预处理得到第二图像;对所述第二图像进行边缘检测处理,得到所述硅片的边缘图像;对所述硅片的所述边缘图像进行边缘追踪处理,得到所述硅片的ROI区域;对所述ROI区域进行小波变换处理,得到所述ROI区域对应图像的高频分量信息;基于所述ROI区域对应图像的高频分量信息,计算得到所述ROI区域中每个像素点对应的局部光照变化指标;对所述ROI区域每个像素点对应的局部区域进行灰度逐级降低处理,得到每个像素点对应局部区域的灰度变化;基于每个像素点对应局部区域的灰度变化,计算得到每个像素点对应的形变灰度影响;构建所述ROI区域每个像素点对应的局部区域的灰度游程矩阵,计算每个像素点对应的纹理随机性指标;基于所述每个像素点对应的所述局部光照变化指标、所述形变灰度影响以及所述纹理随机性指标,计算得到所述ROI区域每个像素点对应的边缘形变映射;基于所述边缘形变映射对所述ROI区域采用显著性检测得到的每个像素点的显著值进行改进,得到所述ROI区域每个像素点改进后的显著值;基于所述每个像素点改进后的显著值确定硅片形变区域的形变类型和形变分布;基于所述ROI区域的所述形变类型和所述形变分布对硅片质量进行评估。2.根据权利要求1所述的基于图像特征的硅片质量评估方法,其特征在于,获取所述硅片的第一图像,对所述第一图像进行预处理得到第二图像,包括:将图像采集设备放置在与硅片平行的位置对所述硅片的表面进行图像采集,得到所述硅片的第一图像;对所述第一图像依次进行灰度化处理、滤波去噪处理以及图像增强处理,得到第二图像。3.根据权利要求1所述的基于图像特征的硅片质量评估方法,其特征在于,对所述ROI区域进行小波变换处理,得到所述ROI区域对应图像的高频分量信息,包括:对所述ROI区域采用Haar小波函数进行二维离散小波变换,得到所述ROI区域对应图像的四个频率子带,包括一个低频子带LL和三个高频子带LH、HL以及HH,其中所述ROI区域的每个像素点的高频分量系数值为:其中,表示ROI区域内的像素点,和分别表示以ROI区域内的像素点为中心构建的大小为的窗口内的像素点位置相对于以第一图像的左上角为原点、水平方向为x轴、竖直方向为y轴构建的坐标系中相对于x轴和y轴偏移的参数,、、分别表示三个高频子带在像素点上的系数值。4.根据权利要求1所述的基于图像特征的硅片质量评估方法,其特征在于,基于所述ROI区域对应图像的高频分量信息,计算得到所述ROI区域中每个像素点对应的局部光照变
化指标,包括:所述ROI区域中每个像素点对应的局部光照变化指标的计算公式为:其中,表示以ROI区域内的像素点为中心构建的大小为的窗口内的窗口中心像素点的局部光照变化指标,和分别表示以ROI区域内的像素点为中心构建的大小为的窗口内的像素点位置相对于以第一图像的左上角为原点、水平方向为x轴、竖直方向为y轴构建的坐标系中相对于x轴和y轴偏移的参数,为窗口边长,表示高频分量系数在位置的值,表示归一化函数。5.根据权利要求1所述的基于图像特征的硅片质量评估方法,其特征在于,对所述ROI区...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐坤,朱莉莉,王曼,王新,
申请(专利权)人:山东九思新材料科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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