半导体器件环境可靠性测试方法和系统技术方案

本发明专利技术提供一种半导体器件环境可靠性测试方法和系统，涉及测试技术领域，所述方法包括：将场效应管划分为多个测试批次；将测试组中的场效应管放置于多种测试环境中；将对照组中的场效应管放置于对照环境中；为相同测试批次的场效应管的栅极施加相同的栅极电压，并分别为各个场效应管的漏极施加多种漏极电压，获得漏极电流；根据测试环境的变化频率和变化幅度、漏极电压和漏极电流，获得场效应管的可靠性评分；根据场效应管的可靠性评分，确定环境可靠性。根据本发明专利技术，可使测试环境的温度和湿度中的至少一种发生变化，从而测试场效应管在多种变化频率和变化幅度的变化环境中的可靠性，为场效应管的应用场景的设置提供数据基础。础。础。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件环境可靠性测试方法和系统


[0001]本专利技术涉及测试
，尤其涉及一种半导体器件环境可靠性测试方法和系统。

技术介绍

[0002]半导体器件在工作时，可能受到环境的影响，例如，半导体器件可能被设置在环境状况变化较快的环境中，例如，设置在飞行器中，而飞行器由于飞行高度变化较快，且飞行速度较快，可能迅速经历多种环境，例如，高温环境、低温环境、湿润环境等。而相关技术中，对于半导体器件的测试工作，主要测试半导体器件的耐高温性能等在恒定的恶劣环境下的性能，而未对环境状况变化较快的情况下的可靠性进行测试，从而难以确定半导体器件在这种情况下的可靠性。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体器件环境可靠性测试方法和系统，能够解决难以确定半导体器件在环境状况变化较快的情况下难以测试可靠性的技术问题。
[0004]根据本专利技术的第一方面，提供一种半导体器件环境可靠性测试方法,包括：将多个同型号的待测试的场效应管划分为多个测试批次，其中，每个测试批次的场效应管包括测试组和对照组，所述测试组和所述对照组中均包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件环境可靠性测试方法，其特征在于，包括：将多个同型号的待测试的场效应管划分为多个测试批次，其中，每个测试批次的场效应管包括测试组和对照组，所述测试组和所述对照组中均包括多个场效应管；将多个测试批次的测试组中的场效应管分别放置于多种测试环境中，其中，所述测试环境为温度和湿度中的至少一种按照设定的变化频率和变化幅度变化的环境；将多个测试批次的对照组中的场效应管放置于对照环境中，其中，所述对照环境为温度和湿度均恒定，且温度和湿度均处于预设范围内的环境；为相同测试批次的场效应管的栅极施加相同的栅极电压，并分别为各个场效应管的漏极施加多种漏极电压，获得与所述漏极电压对应的漏极电流；根据所述测试环境的变化频率和变化幅度，以及各个场效应管的漏极电压和漏极电流，获得各个测试批次的场效应管对于所述测试环境的可靠性评分；根据各个测试批次的场效应管对于所述测试环境的可靠性评分，确定所述待测试的场效应管的环境可靠性。2.根据权利要求1所述的半导体器件环境可靠性测试方法，其特征在于，根据所述测试环境的变化频率和变化幅度，以及各个场效应管的漏极电压和漏极电流，获得各个测试批次的场效应管对于所述测试环境的可靠性评分，包括：根据对照组中多个场效应管的漏极电压和漏极电流，获取对照组中各个场效应管的漏极电压和漏极电流之间的第一关系函数；根据对照组中多个场效应管对应的第一关系函数，确定参考关系函数；将所述测试组中的多个场效应管划分为多个分组，其中，每个分组的场效应管所处的测试环境的温度和湿度中的至少一种的变化频率或变化幅度不同；根据每个分组中场效应管的漏极电压和漏极电流，获取每个分组中场效应管的漏极电压和漏极电流之间的第二关系函数；根据所述第二关系函数，确定每个分组的测试关系函数；根据所述参考关系函数、所述测试关系函数、每个分组的场效应管所处的测试环境的温度和湿度中的至少一种的变化频率或变化幅度、以及测试环境的类型，确定场效应管对于所述测试环境的可靠性评分。3.根据权利要求2所述的半导体器件环境可靠性测试方法，其特征在于，所述测试环境的类型包括温度变化的测试环境，所述变化频率包括温度变化频率，所述变化幅度包括温度变化幅度，其中，根据所述参考关系函数、所述测试关系函数、每个分组的场效应管所处的测试环境的温度和湿度中的至少一种的变化频率或变化幅度、以及测试环境的类型，确定场效应管对于所述测试环境的可靠性评分，包括：根据公式，确定温度变化幅度和温度变化频率，与所述参考关系函数和所述测试关系函数之间的
第一拟合关系，其中，为第i个测试批次中测试组的第j个分组的温度变化幅度，为第i个测试批次中测试组的第j个分组的温度变化频率，为第i个测试批次中对照组的参考关系函数，为第i个测试批次中测试组的第j个分组的测试关系函数，为漏极电压的最大值，为漏极电压的最小值，U为参考关系函数和测试函数关系的自变量，和为待拟合系数，i和j均为正整数；根据多个分组的温度变化幅度、温度变化频率、测试关系函数和参考关系函数，以及所述第一拟合关系，对所述待拟合系数进行求解，获得所述待拟合系数的求解值；根据公式，确定场效应管对于第i种测试环境的可靠性评分，其中，为的求解值，为的求解值。4.根据权利要求2所述的半导体器件环境可靠性测试方法，其特征在于，所述测试环境的类型包括湿度变化的测试环境，所述变化频率包括湿度变化频率，所述变化幅度包括湿度变化幅度，其中，根据所述参考关系函数、所述测试关系函数、每个分组的场效应管所处的测试环境的温度和湿度中的至少一种的变化频率或变化幅度、以及测试环境的类型，确定场效应管对于所述测试环境的可靠性评分，包括：根据公式，确定湿度变化幅度和湿度变化频率，与所述参考关系函数和所述测试关系函数之间的第二拟合关系，其中，为第k个测试批次中测试组的第s个分组的湿度变化幅度，为第k个测试批次中测试组的第s个分组的湿度变化频率，为第k个测试批次中对照组的参考关系函数，为第k个测试批次中测试组的第s个分组的测试关系函数，为漏极电压的最大值，为漏极电压的最小值，U为参考关系函数和测试函数关系的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周悦贤，高乾，
申请(专利权)人：江苏摩派半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：