一种负载功率自动控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及负载功率控制电路领域，具体为一种负载功率自动控制电路，所述控制电路包括：与电源电压VCC连接的三极管Q1；分别与所述三极管Q1连接的MOS管Q2和功率电阻R6；与所述功率电阻R6串联的精密采样电阻R7；与所述MOS管Q2连接的比较器U4；串联在所述三极管Q1与所述比较器U4之间的分压电阻R4和分压电阻R5；经过实物制作测试，在PoE领域，在90W范围内，设置任意功率，能达到

【技术实现步骤摘要】
一种负载功率自动控制电路


[0001]本技术涉及负载功率控制电路领域，具体为一种负载功率自动控制电路。

技术介绍

[0002]带远程供电的PSE以太网交换机应用越来越广泛，对于生产厂商来说，需要挂载标准的PD设备作为陪测，以检验交换机每个端口的供电能力是否符合标准，但是通常的PD设备如IPCamera、无线AP等，实际功耗不能达到IEEE规定的最大功耗，致使测试时无法检验交换机单端口可输出的最大功率及交换机最大总耗率输出，要检验交换机可输出的单端口最大功率是否符合IEEE的标准及总输出最大功率是否符合指定的输出要求，就需要一种特殊的PD设备来代替无线AP、IPCamera等实际的PD设备。
[0003]这个特殊的PD设备需具有功率稳定可调的功能，能够设定不同的功率，以适配各种PSE交换机测试需求。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种负载功率自动控制电路来解决PD设备需具有功率稳定可调的功能的问题。
[0005]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：
[0006]提供一种负载功率自动控制电路，所述控制电路包括：
[0007]与电源电压VCC连接的三极管Q1；
[0008]分别与所述三极管Q1连接的MOS管Q2和功率电阻R6；
[0009]与所述功率电阻R6串联的精密采样电阻R7；
[0010]与所述MOS管Q2连接的比较器U4；
[0011]串联在所述三极管Q1与所述比较器U4之间的分压电阻R4和分压电阻R5；
[0012]连接在所述精密采样电阻R7两端的采样电路；
[0013]与所述精密采样电阻R7串联且接地的功率电阻R8；
[0014]与所述采样电路连接的MCU；及
[0015]与所述MCU连接的数模转换DAC；
[0016]所述数模转换DAC连接所述比较器U4的输入端正极，所述比较器U4的输入端负极连接在所述分压电阻R4和所述分压电阻R5之间；
[0017]所述MOS管Q2和所述比较器U4均接地。
[0018]更进一步地，所述三极管Q1与所述MOS管Q2之间串联有限流电阻R1。
[0019]更进一步地，所述比较器U4的输出端与所述MOS管Q2之间串联有限流电阻R2。
[0020]更进一步地，所述限流电阻R2远离所述比较器U4的一端与接地之间串联有电容C1。
[0021]更进一步地，所述分压电阻R5远离所述分压电阻R4的一端接地。
[0022]更进一步地，所述比较器U4的输出端与器件电压VDD之间串联有电阻R3。。
[0023]本技术的有益效果是：
[0024]本技术用于负载需要稳定功率的场合，比如电源测试时的负载，在电源测试时需要加载稳定的不同功率的负载，本技术可将负载在总电压不变的情况下设置不同的电流来控制功率；本技术提供了实用可靠的PSE交换机测试方案，改变了原来固定几档功率的测试模式，使得满载测试成为了可能，对产品的可靠性测试提供了完美的解决方案，经过实物制作测试，在PoE领域，在90W范围内，设置任意功率，能达到
±
2W的精度，使得本技术能够广泛适用于研发、工厂端对PSE交换机的测试需求等。
附图说明
[0025]图1为本技术的逻辑框图；
[0026]图2为本技术的电路结构示意图；
具体实施方式
[0027]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。
[0030]本技术提供了以下优选的实施例：
[0031]一种负载功率自动控制电路，包括与电源电压VCC连接的三极管Q1；
[0032]分别与所述三极管Q1连接的MOS管Q2和功率电阻R6；
[0033]与所述功率电阻R6串联的精密采样电阻R7；
[0034]与所述MOS管Q2连接的比较器U4；
[0035]串联在所述三极管Q1与所述比较器U4之间的分压电阻R4和分压电阻R5；
[0036]连接在所述精密采样电阻R7两端的采样电路；
[0037]与所述精密采样电阻R7串联且接地的功率电阻R8；
[0038]与所述采样电路连接的MCU；及
[0039]与所述MCU连接的数模转换DAC；
[0040]所述数模转换DAC连接所述比较器U4的输入端正极，所述比较器U4的输入端负极连接在所述分压电阻R4和所述分压电阻R5之间；
[0041]所述MOS管Q2和所述比较器U4均接地。
[0042]参考1所示，总功率P≈VCC*Ic，Ic输出电流受Ib控制，而Ib是由MOS管Q2的通断决定，MOS管Q2的导通与否是MCU设定值和负载电压决定。
[0043]开始时，MOS管Q2关闭，ib为0，Ic为0，MCU设定需要的功率值后经过DAC转换后得到电压V+，此时V
‑
为0，比较器输出高电平，MOS管Q2打开导通，Ib产生电流，从而Ic也会产生，此时V
‑
产生电压。经过取样后MCU计算出实际的功率值，判断此时设定的功率值与实际功率值的差异，如果实际功率值大于设定值，则耦控制V+小于V
‑
，此时会关闭MOS管Q2，如果实际功率值小于设定值，则增大V+电压，提高Ib，从未增大Ic，以便增加实际功率值。
[0044]在如此的不断对MOS管Q2的开关过程中，达到设定功率和实际功率在可接受的误差范围内，从而达到恒定功率设定的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负载功率自动控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：与电源电压VCC连接的三极管Q1；分别与所述三极管Q1连接的MOS管Q2和功率电阻R6；与所述功率电阻R6串联的精密采样电阻R7；与所述MOS管Q2连接的比较器U4；串联在所述三极管Q1与所述比较器U4之间的分压电阻R4和分压电阻R5；连接在所述精密采样电阻R7两端的采样电路；与所述精密采样电阻R7串联且接地的功率电阻R8；与所述采样电路连接的MCU；及与所述MCU连接的数模转换DAC；所述数模转换DAC连接所述比较器U4的输入端正极，所述比较器U4的输入端负极连接在所述分压电阻R4和所述分压电阻R5之间；所述MOS管Q2和所述比较器U4...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷惠江，徐海华，裴志刚，
申请(专利权)人：太仓市同维电子有限公司，
类型：新型
国别省市：