【技术实现步骤摘要】
一种整面性透明屏蔽膜
[0001]本技术涉及一种屏蔽膜，具体是一种整面性透明屏蔽膜。
技术介绍
[0002]屏蔽膜是一种抗电磁辐射、抗电磁干扰的透光屏蔽装置，主要利用屏蔽材料阻挡或衰减被屏蔽区域与外界之间的电磁能量传输，广泛适用于手机、平板、汽车、保密会议室、仪器仪表视窗等起到阻断电磁干扰作用。
[0003]目前屏蔽膜主要应用的结构有两种：(1)：镍铁合金材料制作成整面性网格做屏蔽，劣势在于网格存在透空区，屏蔽效能有一定衰弱；(2)：纯ITO透明导电薄膜方案，因其方阻过大，电场屏蔽效果差，且无法屏蔽磁场效能。
[0004]如何在保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率是现有技术需要解决的难题。因此，本领域技术人员提供了一种整面性透明屏蔽膜，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种整面性透明屏蔽膜，能够在保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种整面性透明屏蔽膜，包括：
[0008]基材层；
[0009]HC层，叠置于所述基材层；
[0010]网格层，位于所述HC层背离所述基材层的一侧，且叠置于所述HC层。
[0011]作为本技术进一步的方案：所述网格层的材料包括铜与铜镍合金中的一种。
[0012]作为本技术再进一步的方案：所述网格层的厚度为5
‑
10nm。>[0013]作为本技术再进一步的方案：所述网格层的阻抗为10
‑
30ohm。
[0014]作为本技术再进一步的方案：所述网格层的透过率为70
‑
80％。
[0015]作为本技术再进一步的方案：所述基材层的材料包括PET、COP、透明PI中的一种。
[0016]作为本技术再进一步的方案：所述基材层的厚度为25
‑
188um。
[0017]作为本技术再进一步的方案：所述HC层的厚度为0.5
‑
1um。
[0018]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0019]1、本申请的屏蔽膜能够在保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率。
[0020]2、本申请通过设置的HC层，能够有效减小基材层表面划伤风险，增加镀铜或铜镍合金的附着力。
附图说明
[0021]图1为一种整面性透明屏蔽膜的结构示意图。
[0022]图中：1、基材层；2、HC层；3、网格层。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]正如本申请的
技术介绍
中提及的，技术人经研究发现，现有技术中屏蔽膜主要应用的结构有两种，分别是镍铁合金材料制作成整面性网格做屏蔽、纯ITO透明导电薄膜方案，这两种方案各有优缺点，但是，二者均无法做到在保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率。
[0025]为了解决上述问题，本申请公开了一种整面性透明屏蔽膜，在基材层1上采用磁控溅射技术，镀纳米级Cu
‑
Ni或Cu靶材，保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率，从而提高屏蔽效果。
[0026]请参阅图1，本技术实施例中，一种整面性透明屏蔽膜，包括：
[0027]基材层1；
[0028]HC层2，叠置于所述基材层1；
[0029]网格层3，位于所述HC层2背离所述基材层1的一侧，且叠置于所述HC层2。
[0030]在本实施例中：所述网格层3的材料包括铜与铜镍合金中的一种。铜或镍均具有电磁屏蔽效果，可以屏蔽电磁信号，而铜镍合金相较于单一的铜或镍，可以提高强度、耐蚀性、硬度、电阻和热电性，并降低电阻率温度系数。
[0031]在本实施例中：所述网格层3的厚度为5
‑
10nm。网格层3的厚度太大，则不利于屏蔽膜的整体减薄，厚度太小则屏蔽效果太差，故可以选取网格层3的总厚度5
‑
10nm，以兼顾减薄性能和屏蔽性能，其中可以优选7um。
[0032]在本实施例中：所述网格层3的阻抗为10
‑
30ohm。
[0033]在本实施例中：所述网格层3的透过率为70
‑
80％。
[0034]在本实施例中：所述基材层1的材料包括PET、COP、透明PI中的一种。PET(Polyethylene terephthalate)材料硬度高、耐磨、电气绝缘性好,耐蠕变性能优异、尺寸稳定性、耐气候性佳、抗化学性稳定、吸水性低、耐弱酸、受温影响小，是制作屏蔽膜基材的优良材料。COP(环状烯烃聚合物)是一种具有独特性能的新型材料，其具有优良的光学特性、耐热性、尺寸稳定性、高频特性，且其质量较轻，含有的杂质较少，被广泛使用于透镜、导光板等光学用途领域。透明PI(聚酰亚胺)具备高强度高韧性、耐磨耗、耐高温、防腐蚀等特殊性能，且透明PI以其优良的力学性能及耐化学稳定性见长。
[0035]在本实施例中：所述基材层1的厚度为25
‑
188um。基材层1的厚度太大，则不利于屏蔽膜减薄，基材层1厚度太小，则稳定性太差，不利于实现承载，故可以选取基材层1的厚度为25
‑
188um，以兼顾承载性能和减薄性能，其中可以优先选择50um的厚度。
[0036]在本实施例中：所述HC层2的厚度为0.5
‑
1um。HC层2即为硬化涂布，它能够有效减
小基材层1表面划伤风险，增加镀铜或铜镍合金的附着力。
[0037]本技术在基材层1的表面涂布HC层2，再通过磁控溅射技术，镀纳米级Cu
‑
Ni或Cu靶材，保证整面性屏蔽的效果上，同时保证一定的透过率，从而提高屏蔽效果。其中，HC层2的设置，能够有效减小基材层1表面划伤风险，增加镀铜或铜镍合金的附着力。
[0038]显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
[0039]以上所述的，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种整面性透明屏蔽膜，其特征在于，包括：基材层(1)；HC层(2)，叠置于所述基材层(1)；网格层(3)，位于所述HC层(2)背离所述基材层(1)的一侧，且叠置于所述HC层(2)。2.根据权利要求1所述的一种整面性透明屏蔽膜，其特征在于，所述网格层(3)的材料包括铜与铜镍合金中的一种。3.根据权利要求1所述的一种整面性透明屏蔽膜，其特征在于，所述网格层(3)的厚度为5
‑
10nm。4.根据权利要求1或2或3所述的一种整面性透明屏蔽膜，其特征在于，所述网格层(3)的阻抗为10
‑
【专利技术属性】
技术研发人员：李培良，朴成珉，
申请(专利权)人：安徽精卓光显技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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