【技术实现步骤摘要】
一种固态存储设备温控方法
[0001]本专利技术涉及一种固态存储设备温控方法,属于固态硬盘
技术介绍
[0002]固态存储设备具有IO响应速度快的优点被广泛应用于高速频繁读写的存储系统中,而其功耗通常也与性能成正相关,固态硬盘在一些高负载读写场景下长时间工作往往会导致其温度快速上升(尤其是散热条件有限的情况下),当超过一定温度后,其内部闪存颗粒中存储的数据稳定性就会下降,其他部件的寿命也可能受到影响,因此需要温控措施来限制固态硬盘的性能和功耗,保证其工作在安全的温度范围内。
[0003]固态硬盘各组成部件中,通常运行功耗最大的部分是闪存颗粒,因为其在固态硬盘内部集成的数量较多、工作并发度高,单片耗电也较多(特别是执行写命令时),对固态硬盘升温速度贡献较大。因此,需要一种通过让固件后端程序限制闪存颗粒的并发度来实现对温度的控制的方法。
技术实现思路
[0004]本专利技术目的是提供了一种固态存储设备温控方法,节省算力提高输入输出性能,确保在限制固态硬盘温度、功耗的同时不损失过多的性能,保证最大逻辑单元号并发数计算结果的准确性和实时性。
[0005]本专利技术为实现上述目的,通过以下技术方案实现:包括多CPU核心架构的固态硬盘主控芯片,所述多中央处理器核心架构的固态硬盘主控芯片包括四个大核:Core0、Core1、Core2、Core3,两个小核:mCore4、mCore5;所述Core0为前端核,所述Core1、Core2为算法核,所述Core3为后端核,所述Core2也为后端 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种固态存储设备温控方法,其特征在于,包括多CPU核心架构的固态硬盘主控芯片,所述多中央处理器核心架构的固态硬盘主控芯片包括四个大核:Core0、Core1、Core2、Core3,两个小核:mCore4、mCore5;所述Core0为前端核,所述Core1、Core2为算法核,所述Core3为后端核,所述Core2也为后端核,所述mCore4为辅助核;所述前端核Core0周期性采样固态硬盘盘各部位传感器温度值,并计算复合温度,将复合温度发送给辅助核mCore4;所述后端核Core2、Core3实时采集各自的工作中逻辑单元号数量,并反馈给辅助核mCore4;辅助核mCore4对采样数据做累加和平均,并检测复合温度是否超过条件阈值,若超过阈值,则根据实际负载水平和温度档位调整逻辑单元号最大并发数限值;后端核Core2、Core3从辅助核mCore4上得到并发数限值,调整闪存控制器。2.根据权利要求1所述的固态存储设备温控方法,其特征在于,所述条件阈值为68
‑
70℃。3.根据权利要求1所述的固态存储设备温控方法,其特征在于,每个逻辑单元号设置一个逻辑单元号控制块数据结构,管理该逻辑单元号的状态和当前执行及后续待执行的闪存命令;闪存控制器每个通道设置一个通道管理块数据结构,按优先级保存正在执行命令的逻辑单元号控制块句柄及该通道的属性参数;所述算法核Core1发送至后端核Core2、Core3的消息根据其闪存物理地址分配到对应通道下属逻辑单元号的命令执行列表中。4.根据权利要求3所述的固态存储设备温控方法,其特征在于,所述后端核Core2、Core3实时采集各自的工作中逻辑单元号数量具体方式如下:在逻辑单元号控制块中添加一个属性成员,用于反应每个逻辑单元号上执行命令的数量;在通道管理块中添加一个属性成员,表示一个通道下当前正在执行命令的逻辑单元号的数量;在固件程序的全局范围内增设一个各核均可访问计数值,表示所有通道下正在执行命令的逻辑单元号数量总和;实现对逻辑单元号并发数的计数;定义两个多核间共享的全局变量,分别表示每个通道下允许执行命令的最大逻辑单元号数量和固态硬盘整盘所有通道下允许执行命令的最大逻辑单元号数量,实现对逻辑单元号并发数的限制;所述全局变量通过辅助核mCore4计算并赋值,后端核Core2、Core3使用全局变量判断逻辑单元号数量。5.根据权利要求4所述的固态存储设备温控方法,其特征在于,所述后端核Core2、Core 3使用全局变量判断逻辑单元号数量具体方式如下:当固件后端程序准备给闪存控制器发送新的读写擦等命令时,分别检查全局及新命令所在通道正在工作中的逻辑单元号数量是否均未达到上限,若满足条件则将新命令发给闪存控制器,并更新工作中的逻辑单元号计数值,否则新命令暂缓执行,保证同一时刻并发的逻辑单元号数量不超过上限;逻辑单元号中命令成功执行后,固件首先将该逻辑单元号控制块中用于反应每个逻辑单元号上执行命令的数量的属性增加1,若增加后此值为1,则该逻辑单元号刚好由空闲状态转执行命令的状态,该逻辑单元号所属通道管理块的表示一个通道下当前正在执行命令
的逻辑单元号的数量的属性成员及表示...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐源长,李瑞东,王璞,
申请(专利权)人:山东华芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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