本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。方法适用范围广。方法适用范围广。
【技术实现步骤摘要】
芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置
[0001]本申请涉及芯片电磁抗扰度测试
，具体地涉及一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法以及一种芯片级电磁干扰传导注入测试装置。
技术介绍
[0002]电力、工业等领域芯片，其工作在复杂的电磁环境中，极易受到周围电磁环境的影响，导致芯片严重受损或失效，降低设备及系统的可靠性。近些年来，随着集成电路尺寸的减小，芯片级的电磁兼容测试逐渐成为芯片出厂前不可或缺的过程，其测试目的主要是观察被测芯片在电磁干扰下的工作情况，从而对芯片的抗扰度等级进行判断。另外随着芯片应用环境的复杂化，芯片的抗电磁干扰性能够决定整个系统的工作性能，所以芯片在应用前的电磁抗扰度测试越来越重要。
[0003]已有的标准IEC 62215
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3（集成电路 脉冲抗扰度测量 第3部分：非同步瞬态注入法）也规定了芯片级的传导电磁抗扰度实验方法，但其中只是对实验和注入方法进行简单的建议，并未对实验等级和注入能量进行规定。并且实际测试时发现，芯片注入能量及干扰波形特征的差异也会对芯片产生不同的失效情况，因此有必要明确测试过程中实际干扰的注入能量及波形特征，以为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础。
技术实现思路
[0004]本申请实施方式的目的是提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置，该方法在测试过程中标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
[0005]为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法，所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。
[0006]通过上述技术手段，在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
[0007]本申请实施例中，所述构建测试装置，包括：
采用屏蔽线缆将被测印制电路板的干扰注入端口与干扰注入装置连接；将去耦磁珠连接在被测印制电路板的输入接口与干扰注入端口之间；采用屏蔽线缆以最小回路连接被测印制电路板的接地端和干扰注入装置的接地端。
[0008]通过上述方法构建的测试装置可以防止空间辐射场对注入信号产生干扰，同时可以去除高频干扰信号，实现对注入干扰信号的去耦，以最小回路连接的接地端能够缩短回流路径，保证信号的准确性。
[0009]本申请实施例中，根据当前被测芯片标定测试装置对应的不同注入能量及波形特征，包括：获取当前被测芯片对应引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量测试装置在不同参数下的第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算不同参数对应的注入能量及波形特征。通过获取的信号衰减曲线和具有相同频率的第一波形计算得到芯片引脚的注入波形，实现芯片引脚注入波形的标定。
[0010]本申请实施例中，获取当前被测芯片对应引脚的信号衰减曲线，包括：采用屏蔽线缆连接矢量网络分析仪和被测印制电路板的干扰注入端口；将被测印制电路板的干扰注入端口连接至被测芯片对应引脚；通过矢量网络分析仪以第一采样频率获取被测芯片对应引脚的信号衰减曲线。
[0011]通过上述技术手段，能够通过矢量网络分析仪直接获取到被测芯片对应引脚的准确信号衰减曲线。
[0012]本申请实施例中，以相同的采样频率测量测试装置在不同参数下的第一波形，包括：将负载为50欧姆的示波器连接到被测印制电路板的波形测试接口；示波器以第一采样频率测量获取测试装置在不同参数下的第一波形。
[0013]通过上述技术手段，采集到第一波形用于计算芯片引脚的注入能量及波形特征。
[0014]本申请实施例中，根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算不同参数对应的注入能量及波形特征，包括：将不同参数下的第一波形分别进行离散傅里叶变换，得到不同参数下注入波形的全频段的波形特征；分别计算各注入波形的全频段的波形特征与信号衰减曲线的差值；分别对各差值进行离散傅里叶反变换，得到不同参数对应的注入能量及波形特征。
[0015]本申请实施例中，将当前被测芯片连接到测试装置上，包括：将当前被测芯片的测试引脚连接到被测印制电路板上的干扰注入端口；将当前被测芯片的接地引脚连接到被测印制电路板的接地端。
[0016]通过上述技术手段，将当前被测芯片连接到测试装置上，以实现在测试过程中测试装置提供的注入能量及波形特征有效注入到被测芯片中，实现芯片测试。
[0017]本申请第二方面提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试装置，所述芯片级电磁干扰传导注入测试装置包括：被测印制电路板、去耦磁珠、干扰注入装置以及屏蔽线缆；所述
被测印制电路板用于安装被测芯片；所述去耦磁珠连接在被测印制电路板的输入接口与干扰注入端口之间，所述干扰注入装置通过屏蔽线缆与被测印制电路板的干扰注入端口连接；所述干扰注入装置的接地端与被测印制电路板的接地端通过屏蔽线缆以最小回路连接。
[0018]通过上述技术手段，提供一种电磁干扰传导注入测试装置，该装置采用去耦磁珠抑制高频干扰信号，实现对注入干扰信号的去耦，采用屏蔽线缆可以防止空间辐射场对注入信号产生干扰，以最小回路连接接地端能够缩短回流路径，保证信号的准确性。
[0019]本申请实施例中，所述干扰注入装置为外接干扰源装置或天线。干扰注入装置为外接干扰源装置时，干扰信号由外接干扰源装置产生，当干扰注入装置为天线时，干扰信号由天线耦合辐射形式的电磁干扰信号形成。
[0020]本申请实施例中，所述屏蔽线缆的特征阻抗为50Ω。屏蔽线缆的特征阻抗与干扰注入装置的特征阻抗相同，有效防止信号反射，保证信号完整性。
[0021]通过上述技术方案，在测试过程中标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征，然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试，最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征，为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础，该方法适用范围广。
[0022]本申请实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0023]附图是用来提供对本申请实施方式的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请实施方式，但并不构成对本申请实施方式的限制。在附图中：图1是本申请一种实施方式提供的芯片级电磁干扰传导注入测试方法流程图；图2是本申请一种实施方式提供的芯片级电磁本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法，其特征在于，所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括：构建测试装置；根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征；将当前被测芯片连接到测试装置上；采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片；记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。2.根据权利要求1所述的芯片级电磁干扰传导注入测试方法，其特征在于，所述构建测试装置，包括：采用屏蔽线缆将被测印制电路板的干扰注入端口与干扰注入装置连接；将去耦磁珠连接在被测印制电路板的输入接口与干扰注入端口之间；采用屏蔽线缆以最小回路连接被测印制电路板的接地端和干扰注入装置的接地端。3.根据权利要求1所述的芯片级电磁干扰传导注入测试方法，其特征在于，根据当前被测芯片标定测试装置对应的不同注入能量及波形特征，包括：获取当前被测芯片对应引脚的信号衰减曲线；以相同的采样频率测量测试装置在不同参数下的第一波形；根据所述信号衰减曲线和第一波形进行傅里叶变换和反变换计算不同参数对应的注入能量及波形特征。4.根据权利要求3所述的芯片级电磁干扰传导注入测试方法，其特征在于，获取当前被测芯片对应引脚的信号衰减曲线，包括：采用屏蔽线缆连接矢量网络分析仪和被测印制电路板的干扰注入端口；将被测印制电路板的干扰注入端口连接至被测芯片对应引脚；通过矢量网络分析仪以第一采样频率获取被测芯片对应引脚的信号衰减曲线。5.根据权利要求3所述的芯片级电磁干扰传导注入测试方法，其特征在于，以相同的采样频率测量测试装置在不同参数下的第一波形，包括：将负载为5...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄保成，赵扬，高杰，翟振，成睿琦，杨小娟，仝傲宇，
申请(专利权)人：国网江苏省电力有限公司常州供电分公司国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：
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