一种透射阵天线制造技术

本发明专利技术提供一种透射阵天线，涉及天线技术领域，其中，所述透射阵天线包括：馈源阵列，所述馈源阵列上设置有双圆极化磁电偶极子天线；平面透射阵，所述平面透射阵与所述馈源阵列相对设置，所述平面透射阵上设置有双圆极化相移单元，所述双圆极化相移单元为透射式半波片。本发明专利技术实施例的透射阵天线的平面化程度较高，使得透射阵天线易于加工。使得透射阵天线易于加工。使得透射阵天线易于加工。

【技术实现步骤摘要】
一种透射阵天线


[0001]本专利技术涉及天线
，尤其涉及一种透射阵天线。

技术介绍

[0002]透射阵天线由馈源天线和调节相位的平面透射阵组成。透射阵天线是一种将馈源天线产生的球面波经过平面透射阵阵面调相后转变为均匀平面波继续辐射以实现高增益特性的装置。透射阵天线是在透镜天线的基础上演变而来的，透射阵天线摒弃了传统透镜天线非平面化的缺点，使得透射阵天线更加易于加工、更加易于与系统相集成。目前，透射阵天线通常采用接收天线
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金属探针
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发射天线结构，虽然在一定程度上改善了传统透镜天线非平面化的缺点，但采用非平面化的金属探针的结构使得透射阵天线的加工难度较大。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种透射阵天线，以解决现有透射阵天线采用金属探针的结构使得透射阵天线的加工难度较大的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种透射阵天线，所述透射阵天线包括：
[0006]馈源阵列，所述馈源阵列上设置有双圆极化磁电偶极子天线；
[0007]平面透射阵，所述平面透射阵与所述馈源阵列相对设置，所述平面透射阵上设置有双圆极化相移单元，所述双圆极化相移单元为透射式半波片。
[0008]可选的，所述馈源阵列上设置有N个双圆极化磁电偶极子天线，所述N个双圆极化磁电偶极子天线对称排布在所述平面透射阵的焦点两侧，N为大于1的偶数。
[0009]可选的，所述双圆极化磁电偶极子天线包括依次设置的第一基片层、第二基片层、第三基片层及第四基片层，所述第一基片层背向所述第二基片层的一侧设置有馈电网络层，所述第二基片层朝向所述第一基片层的一侧设置有金属地板层，所述第四基片层的两侧均设置有馈电枝节层，所述第四基片层背向所述第三基片层的一侧设置有矩形贴片层，所述馈电枝节层与所述馈电网络层连接，所述矩形贴片层与所述金属地板层连接。
[0010]可选的，所述双圆极化磁电偶极子天线的矩形贴片层朝向所述平面透射阵方向设置。
[0011]可选的，所述馈电网络层包括两个输入端口和八个输出端口，所述两个输入端口分别为左旋圆极化输入端口和右旋圆极化输入端口，所述八个输出端口分别通过八个金属化通孔连接至八个馈电枝节；
[0012]其中，在所述左旋圆极化输入端口被激励，所述右旋圆极化输入端口连接匹配负载的情况下，所述双圆极化磁电偶极子天线辐射左旋圆极化波；在所述右旋圆极化输入端口被激励，所述左旋圆极化输入端口连接匹配负载的情况下，所述双圆极化磁电偶极子天线辐射右旋圆极化波。
[0013]可选的，所述双圆极化相移单元包括至少两层基片层及至少三层金属层，所述至
少两层基片层包括第五基片层和第六基片层，所述至少三层金属层包括第一金属层、第二金属层及第三金属层；
[0014]其中，所述第五基片层背向所述第六基片层的一侧设置有所述第一金属层，所述第五基片层朝向所述第六基片层的一侧设置有所述第二金属层，所述第六基片层的一侧设置有所述第三金属层，所述至少三层金属层使得所述双圆极化相移单元在x极化方向和y极化方向的相对相位差为180
°
。
[0015]可选的，所述至少两层基片层还包括第七基片层和第八基片层，所述第五基片层、第六基片层、第七基片层及第八基片层依次设置；
[0016]所述至少三层金属层还包括第四金属层、第五金属层、第六金属层、第七金属层及第八金属层，所述第六基片层背向所述第七基片层的一侧设置有所述第三金属层，所述第六基片层朝向所述第七基片层的一侧设置有所述第四金属层，所述第七基片层背向所述第八基片层的一侧设置有所述第五金属层，所述第七基片层朝向所述第八基片层的一侧设置有所述第六金属层，所述第八基片层朝向所述第七基片层的一侧设置有所述第七金属层，所述第八基片层背向所述第七基片层的一侧设置有所述第八金属层。
[0017]可选的，所述第一金属层与所述第八金属层的形状和大小相同，所述第二金属层与所述第七金属层的形状和大小相同，所述第三金属层与所述第六金属层的形状和大小相同，所述第四金属层与所述第五金属层的形状和大小相同。
[0018]可选的，所述平面透射阵上设置有M个类型的双圆极化相移单元，所述M个类型的双圆极化相移单元中每两个类型的双圆极化相移单元之间存在相同的预设相位差，M为大于等于4的整数。
[0019]可选的，M的值为8，所述预设相位差为22.5
°
。
[0020]可选的，所述M个类型的双圆极化相移单元在所述平面透射阵上呈周期分布，以形成独立的左旋圆极化相位分布和右旋圆极化相位分布。
[0021]本专利技术实施例中，所述透射阵天线包括：馈源阵列1，所述馈源阵列1上设置有双圆极化磁电偶极子天线2；平面透射阵3，所述平面透射阵3与所述馈源阵列1相对设置，所述平面透射阵3上设置有双圆极化相移单元4，所述双圆极化相移单元4为透射式半波片。这样，透射阵天线的平面化程度较高，使得透射阵天线易于加工；并且，采用透射式半波片形式的双圆极化相移单元4，使得透射阵天线架构简单。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术实施例提供的一种透射阵天线的结构图；
[0024]图2是本专利技术实施例提供的一种馈源阵列的结构图；
[0025]图3是本专利技术实施例提供的双圆极化磁电偶极子天线的结构图；
[0026]图4是本专利技术实施例提供的另一种双圆极化磁电偶极子天线的结构示意图；
[0027]图5是本专利技术实施例提供的一种馈电网络层的结构示意图；
[0028]图6是本专利技术实施例提供的一种矩形贴片层的结构示意图；
[0029]图7是本专利技术实施例提供的一种双圆极化相移单元的结构示意图；
[0030]图8是本专利技术实施例提供的另一种双圆极化相移单元的结构示意图；
[0031]图9a是本专利技术实施例提供的一种双圆极化相移单元交叉极化的透射系数随频率的变化图；
[0032]图9b是本专利技术实施例提供的一种双圆极化相移单元主极化的透射系数随频率的变化图；
[0033]图9c是本专利技术实施例提供的一种双圆极化相移单元交叉极化的透射相位随频率的变化图；
[0034]图10是本专利技术实施例提供的一种双圆极化相移单元交叉极化的透射相位随8个类型的双圆极化相移单元和旋转角度变化的分布图；
[0035]图11是本专利技术实施例提供的一种双圆极化磁电偶极子天线左旋圆极化端口的反射系数、右旋圆极化端口的反射系数，以及两个端口之间的耦合系数随频率的变化图；
[0036]图12a是本专利技术实施例提供的一种x
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透射阵天线，其特征在于，所述透射阵天线包括：馈源阵列，所述馈源阵列上设置有双圆极化磁电偶极子天线；平面透射阵，所述平面透射阵与所述馈源阵列相对设置，所述平面透射阵上设置有双圆极化相移单元，所述双圆极化相移单元为透射式半波片。2.根据权利要求1所述的透射阵天线，其特征在于，所述馈源阵列上设置有N个双圆极化磁电偶极子天线，所述N个双圆极化磁电偶极子天线对称排布在所述平面透射阵的焦点两侧，N为大于1的偶数。3.根据权利要求1所述的透射阵天线，其特征在于，所述双圆极化磁电偶极子天线包括依次设置的第一基片层、第二基片层、第三基片层及第四基片层，所述第一基片层背向所述第二基片层的一侧设置有馈电网络层，所述第二基片层朝向所述第一基片层的一侧设置有金属地板层，所述第四基片层的两侧均设置有馈电枝节层，所述第四基片层背向所述第三基片层的一侧设置有矩形贴片层，所述馈电枝节层与所述馈电网络层连接，所述矩形贴片层与所述金属地板层连接。4.根据权利要求3所述的透射阵天线，其特征在于，所述双圆极化磁电偶极子天线的矩形贴片层朝向所述平面透射阵方向设置。5.根据权利要求3所述的透射阵天线，其特征在于，所述馈电网络层包括两个输入端口和八个输出端口，所述两个输入端口分别为左旋圆极化输入端口和右旋圆极化输入端口，所述八个输出端口分别通过八个金属化通孔连接至八个馈电枝节；其中，在所述左旋圆极化输入端口被激励，所述右旋圆极化输入端口连接匹配负载的情况下，所述双圆极化磁电偶极子天线辐射左旋圆极化波；在所述右旋圆极化输入端口被激励，所述左旋圆极化输入端口连接匹配负载的情况下，所述双圆极化磁电偶极子天线辐射右旋圆极化波。6.根据权利要求1所述的透射阵天线，其特征在于，所述双圆极化相移单元包括至少两层基片层及至少三层金属层，所述至少两层基片层包括第五基片层和第六基片层，所述至少三层金属层包括第一金属层、第二金属层及第三金属层；其中，所述第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋之浩，童宣锋，邓伟，曹景阳，洪伟，董佳，邵庆瑶，
申请(专利权)人：东南大学中国移动通信集团有限公司，
类型：发明
国别省市：