外延片结构、外延功能器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种外延片结构、外延功能器件及制备方法，该外延片结构用于键合至设置有多个驱动单元的驱动衬底上，外延片结构包括：承载衬底、功能单元和占位单元；功能单元和占位单元设置于承载衬底上，且功能单元键合于承载衬底，功能单元在承载衬底上的位置与驱动单元中的有效驱动单元在驱动衬底上的位置相对应，占位单元在承载衬底上的位置与驱动单元中的不良驱动单元在驱动衬底上的位置相对应。的不良驱动单元在驱动衬底上的位置相对应。的不良驱动单元在驱动衬底上的位置相对应。

【技术实现步骤摘要】
外延片结构、外延功能器件及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种外延片结构、外延功能器件及制备方法。

技术介绍

[0002]在目前的半导体相关器件的制程中，通常需要在一个衬底(例如晶圆)上外延制备特定的功能结构，然后将该衬底键合至设置有驱动电路的另一个衬底上，以将功能结构与驱动电路结合为器件整体。该工艺已经被广泛应用于微型发光二极管(Micro LED)的制备中。
[0003]在实际的生产中，驱动电路通常是在晶圆上制备的集成电路，一个晶圆上通常同时设置有多个含有驱动电路的裸片(Die)，由于工艺的限制，制备的裸片具有一定的良率，因而一个晶圆上总是包含不良的裸片。另一方面，外延制备的功能结构也存在一定的良率，导致一个晶圆上也总是包含不良的功能结构。这两个因素共同导致了最终键合后得到的器件的良率偏低，同时也造成了资源的浪费。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种外延片结构、外延功能器件及制备方法，以提高资源的利用率并改善键合后器件的良率。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延片结构，其特征在于，所述外延片结构用于键合至设置有多个驱动单元的驱动衬底上，所述外延片结构包括：承载衬底、功能单元和占位单元；所述功能单元和所述占位单元设置于所述承载衬底上，且所述功能单元键合于所述承载衬底，所述功能单元在所述承载衬底上的位置与所述驱动单元中的有效驱动单元在所述驱动衬底上的位置相对应，所述占位单元在所述承载衬底上的位置与所述驱动单元中的不良驱动单元在所述驱动衬底上的位置相对应。2.根据权利要求1所述的外延片结构，其特征在于，所述功能单元包括微型发光二极管。3.根据权利要求1所述的外延片结构，其特征在于，所述占位单元远离所述承载衬底的一侧表面与所述功能单元远离所述承载衬底的一侧表面相齐平。4.根据权利要求1～3任意一项所述的外延片结构，其特征在于，还包括功能键合层，所述功能键合层设置于所述功能单元和所述承载衬底之间，且所述功能单元通过所述功能键合层键合于所述承载衬底。5.根据权利要求4所述的外延片结构，其特征在于，还包括承载键合层，所述承载键合层覆盖于所述承载衬底上，所述功能键合层键合于所述承载键合层。6.根据权利要求5所述的外延片结构，其特征在于，所述功能键合层的材料包括氧化硅、氮化硅、环氧树脂、聚酰亚胺、铟锡氧化物和金属中的一种或多种；和/或，所述承载键合层的材料包括氧化硅、氮化硅、环氧树脂、聚酰亚胺、铟锡氧化物和金属中的一种或多种。7.根据权利要求1～3及5～6任意一项所述的外延片结构，其特征在于，所述占位单元包括半导体材料，所述外延片结构还包括占位键合层，所述占位键合层设置于所述占位单元和所述承载衬底之间，且所述占位单元通过所述占位键合层键合于所述承载衬底。8.根据权利要求1～3及5～6任意一项所述的外延片结构，其特征在于，还包括介质层，所述介质层设置于所述功能单元和所述占位单元之间的间隙中。9.根据权利要求8所述的外延片结构，其特征在于，所述介质层的材料为介质材料，所述占位单元中也包括所述介质材料。10.根据权利要求1～9任意一项所述的外延片结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在功能原生衬底上制备功能外延层；对所述功能外延层和所述功能原生衬底进行切割处理，以形成多个设置于所述功能原生衬底上的所述功能单元；提供承载衬底，将所述功能单元及相连接的所述功能原生衬底键合至所述承载衬底上，所述功能单元设置于所述功能原生衬底和所述承载衬底之间，并且在所述承载衬底上设置所述占位单元；以及，去除所述功能原生衬底，露出所述功能单元。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在对所述功能外延层和所述功能原生衬底进行切割处理之前，还包括：在所述功能外延层远离所述功能原生衬底的一侧制备功能键合材料层；在对所述功能外延层和所述功能原生衬底进行切割处理的步骤中，还切割所述功能键
合材料层，以形成设置于所述功能单元远离所述功能原生衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦颖，张逸飞，陈丽娜，
申请(专利权)人：上海世美爱科技合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：