硅片的碱抛光方法及太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种硅片的碱抛光方法以及一种太阳电池的制备方法。硅片的碱抛光方法，包括以下步骤：对硅片进行碱抛光；将碱抛光后的硅片放置在温度为20℃～35℃的碱清洗液中进行碱洗；将碱洗后的硅片放置在温度为20℃～35℃的水中进行水洗。其中，所述碱清洗液中的第一碱性试剂的质量分数为0.37％～0.63％，所述碱清洗液中的双氧水的质量分数为0.25％～0.42％。本发明专利技术能够提高太阳电池的外观和良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
硅片的碱抛光方法及太阳电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种硅片的碱抛光方法及太阳电池的制备方法。

技术介绍

[0002]在制备太阳电池时，通常追求硅片的薄片化，以降低生产成本。然而，随着硅片厚度的降低，当硅片经制绒和碱抛光步骤后，硅片的碎片率也增加。其中，制绒是为了在硅片表面形成金字塔绒面，碱抛光是对金字塔绒面进行抛光，以有效降低载流子的表面复合速率，提高少子寿命，且增加光的内反射，从而提高后续制备的太阳电池的转换效率。
[0003]其中，碱抛光步骤通常包括预清洗、碱抛光、碱清洗、水洗、酸洗、慢提拉以及烘干。为了降低硅片的碎片率，通常需要调整碱抛光对金字塔绒面的抛光程度。具体地，即将硅片背面塔基宽度从原来12μm降至当前的7μm，且在塔基宽度减小的同时将塔高由原来的210nm上升到310nm。在此背景下，对碱抛光后的硅片的清洗力度也需要相应提升。即碱清洗的清洗力度需要提升。目前，碱清洗是指使用温度为60℃～80℃的碱清洗液对硅片进行清洗。
[0004]然而，当碱抛光后的硅片进入到后续退火工序本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的碱抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：对硅片进行碱抛光；将碱抛光后的硅片放置在温度为20℃～35℃的碱清洗液中进行碱洗；以及将碱洗后的硅片放置在温度为20℃～35℃的水中进行水洗；其中，所述碱清洗液中的第一碱性试剂的质量分数为0.37％～0.63％，所述碱清洗液中的双氧水的质量分数为0.25％～0.42％。2.如权利要求1所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述碱洗的时间为100s～120s。3.如权利要求1所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，在对所述硅片进行碱抛光之前，还包括以下步骤：将所述硅片放置在预清洗液中进行预清洗；其中，所述预清洗液中的第二碱性试剂的质量分数为0.37％～0.63％，所述预清洗液中的双氧水的质量分数为0.42％～0.67％。4.如权利要求3所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，所述预清洗的温度为30℃～50℃，所述预清洗的时间为30s～60s。5.如权利要求1至4中任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，在所述碱抛光之后，且在所述碱洗之前，还包括以下步骤：对碱抛光后的硅片进行水洗。6.如权利要求1至4中任一项所述的硅片的碱抛光方法，其特征在于，在将碱洗后的硅片放置在温度为20℃～35℃的水中...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙才杨，朱昌俊，杨学进，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：