【技术实现步骤摘要】
石英舟、石英舟组件及扩散炉
[0001]本公开涉及半导体生产
,尤其涉及一种石英舟、石英舟组件及扩散炉。
技术介绍
[0002]在芯片扩散掺杂工艺中,需要保证扩散掺杂均匀性。扩散掺杂均匀性主要与温度稳定性和气流稳定性有关。在温度稳定性方面,现有技术通过采用串极控温手段和自动拉温区技术来保证制程时温度误差不超过
±
1℃。在气流稳定性方面,扩散炉内的气流流动大概可以分为炉尾紊流区、炉尾层流区、工艺恒流区、炉口层流区、炉口排放区五个区域,受限于机台尺寸的影响,气体一般未形成炉尾层流的状态就会到达工艺恒流区与片源进行反应,导致片源受到紊流影响。现有技术中存在多种用于减小紊乱气流对扩散掺杂均匀性及稳定性影响的技术方案。
[0003]在现有技术的一些方案中,通过增长炉体长度来减小紊流对片源的影响,然而这样会增加机台设备占地面积,在有限的车间内不利于机台布局规划。在另一些方案中,通过在片源两侧放置数片假片以避免紊乱气流直接作用在正式片区域,然而这样会影响正式片产出效率。在又一些方案中,采取在石英舟外侧设置匀 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石英舟(100),其特征在于,包括进气端侧壁(10)和出气端侧壁(12),所述进气端侧壁(10)和所述出气端侧壁(12)上设有多个气体流通孔(14)。2.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于,所述进气端侧壁(10)上的多个所述气体流通孔(14)与所述出气端侧壁(12)上的多个所述气体流通孔(14)沿所述石英舟(100)的长度方向(X)一一相对。3.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于,所述气体流通孔(14)的直径为6~8mm。4.根据权利要求1所述的石英舟,其特征在于,所述进气端侧壁(10)和所述出气端侧壁(12)具有孔分布区域(16),多个所述气体流通孔(14)设置于所述孔分布区域(16),所述进气端侧壁(10)或所述出气端侧壁(12)的所述孔分布区域(16)的面积大于待承载硅片(1)的面积。5.根据权利要求4所述的石英舟,其特征在于,所述进气端侧壁(10)或所述出气端侧壁(12)的所述孔分布区域(16)的形状与所述待承载硅片(1)的形状匹配。6.根据权利要求1所述的石...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱合意,贾钊,窦志珍,胡恒广,
申请(专利权)人:河北光兴半导体技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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