半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板；台面部，其在所述半导体基板，设置于所述多个沟槽部之间；以及正面金属层，其设置于所述半导体基板的上方，所述多个沟槽部具有：栅极沟槽部，其具有栅极导电部和栅极绝缘膜；以及虚设沟槽部，其具有虚设导电部和虚设绝缘膜，所述正面金属层具有：上侧区域，其与邻接于所述虚设沟槽部的所述台面部的上表面接触；以及埋入区，其埋入于所述半导体基板，并与所述台面部的侧壁以及所述虚设导电部接触。述虚设导电部接触。述虚设导电部接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了，在RC
‑
IGBT中，“以提供一种能够有效地降低恢复损耗的技术为目的”。在专利文献2中记载了，在RC
‑
IGBT中，在具备纵向型MOS晶体管的半导体装置中，“使构成虚设栅极结构的第二沟槽10的底部处于比构成沟槽栅极结构的第一沟槽7的底部更深的位置”。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2022
‑
15861号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
‑
84905号公报

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]随着工艺的微细化发展，如果沟槽部间的台面部的宽度变小，则在台面部形成接触孔时的允许偏离宽度也变小。
[0009]技术方案
[0010]在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板；台面部，其在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板；台面部，其在所述半导体基板，设置于所述多个沟槽部之间；以及正面金属层，其设置于所述半导体基板的上方，所述多个沟槽部具有：栅极沟槽部，其具有栅极导电部和栅极绝缘膜；以及虚设沟槽部，其具有虚设导电部和虚设绝缘膜，所述正面金属层具有：上侧区域，其与邻接于所述虚设沟槽部的所述台面部的上表面接触；以及埋入区，其埋入于所述半导体基板，并与所述台面部的侧壁以及所述虚设导电部接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述埋入区在所述虚设绝缘膜的上端的上方与所述台面部的侧壁以及所述虚设导电部接触。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置于所述半导体基板的正面，在所述层间绝缘膜，在所述虚设沟槽部的上方设置有接触孔。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第二导电型的基区，所述第二导电型的基区设置于所述半导体基板，所述埋入区的下端比所述基区的下端浅。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，从所述埋入区的上端起到下端为止的距离为从所述半导体基板的正面起到所述基区的下端为止的距离的50％以下。6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区设置于所述半导体基板的正面，所述埋入区的下端比所述接触区的下端浅。7.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区设置于所述半导体基板的正面，所述埋入区的下端比所述接触区的下端深。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在沟槽排列方向上，所述上侧区域的侧壁中的一个侧壁位于与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：御田村直树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
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