电容器结构制造技术

本发明专利技术提供电容器结构，其中电容器结构包括一导电阵列，该导电阵列包括Ｄ１＋下层阵列，其包括三个第一Ｄ１＋导电片以及一个第二Ｄ１＋导电片；其中，三个第一Ｄ１＋导电片的两个位于Ｄ１＋下层阵列的第一行，三个第一Ｄ１＋导电片的剩余者和第二Ｄ１＋导电片从左至右地位于Ｄ１＋下层阵列的第二行，相邻的三个第一Ｄ１＋导电片互相连接，且三个第一Ｄ１＋导电片不连接于第二Ｄ１＋导电片。本发明专利技术所提供的电容器结构能增大电极板的重叠面积，可减少长且窄的金属条形接片中不需要的寄生电阻和寄生电感，所以改善了电容器结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于电容器结构。
技术介绍
在半导体集成电路中，可在半导体集成装置的设计中实现半导体电容器以 提供一个电容性组件。电容器的应用可包括混合信号(模拟/数字)装置、射频(RF)装置以及去耦合电容器，用以对高频信号进列滤波以及消除噪声。一种称作金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal， MOM)电容器结构的半导 体电容器结构因其通用性及在半导体制造的再制(reproduction )中的一致性而 广泛地应用在硅半导体集成电路中。MOM电容器结构基本包括两个平行电极板 (electrodeplate)和放置于电极板之间的绝缘体。图1是传统技术的平板电容器 结构10的示意图。如图1所示，平板电容器结构10包括村底12、放置于村底 12之上的第 一 电极板14、放置于第 一 电极板14之上的电容器电介质层(dielectric layer) 16以及放置于电容器电介质层16之上的第二电极板18。 通常，电容器结构的电容值可由方程(1 )表示 O s A/d 方程(1 )其中C表示电容值；s表示电容器电介质层的电介质常数；d表示电容器电 介质层的厚度；A表示第一电极板和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器结构，该电容器结构包括导电阵列，该导电阵列包括Ｄ１＋下层阵列，该Ｄ１＋下层阵列包括：　三个第一Ｄ１＋导电片；以及　一个第二Ｄ１＋导电片；　其中，该三个第一Ｄ１＋导电片的两个位于该Ｄ１＋下层阵列的第一行，该三个第一 Ｄ１＋导电片的剩余者和该第二Ｄ１＋导电片从左至右地位于该Ｄ１＋下层阵列的第二行，相邻的该三个第一Ｄ１＋导电片互相连接，且该三个第一Ｄ１＋导电片不连接于该第二Ｄ１＋导电片。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王佑仁，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]