模板基板及其制造方法、制造装置、半导体基板及其制造方法、制造装置制造方法及图纸

模板基板(7)具备：具有边缘(E)、包括边缘的周缘部(1S)及位于比周缘部靠内侧的位置的非周缘部(1P)的主基板；以及位于比主基板靠上方的位置的掩模图案，掩模图案具有：掩模部(5)；多个第一开口部(KF)，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与非周缘部(1P)重叠；以及一个以上的第二开口部(KB)，在俯视时被配置成沿着所述边缘。在俯视时被配置成沿着所述边缘。在俯视时被配置成沿着所述边缘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模板基板及其制造方法、制造装置、半导体基板及其制造方法、制造装置


[0001]本专利技术涉及模板基板等。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了使用ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)法形成与多个掩模的开口部分别对应的多个半导体部的方法。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本公开专利公报“特开2011
‑
66390号”公报

技术实现思路

[0006]本公开所涉及的模板基板具备：主基板，具有边缘、包括所述边缘的周缘部及位于比所述周缘部靠内侧的位置的非周缘部；以及掩模图案，位于比所述主基板靠上方的位置，所述掩模图案具有：掩模部；多个第一开口部，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与所述非周缘部重叠；以及一个或者多个第二开口部，被配置成在俯视时沿着所述边缘。
附图说明
[0007]图1是表示本实施方式所涉及的模板基板的结构的俯视图。
[0008]图2是图1的a
‑
a向视剖视图(非周缘部)。
[0009]图3是图1的b
‑
b向视剖视图(周缘部)。
[0010]图4是表示本实施方式所涉及的半导体基板的结构的俯视图。
[0011]图5A是图4的A
‑
A向视剖视图。
[0012]图5B是图4的c
‑
c向视剖视图。
[0013]图6是表示本实施方式所涉及的半导体基板的另一结构的剖视图。
[0014]图7是表示本实施方式所涉及的半导体基板的另一结构的剖视图。
[0015]图8是表示本实施方式所涉及的模板基板的制造方法的一例的流程图。
[0016]图9是表示本实施方式所涉及的模板基板的制造装置的一例的框图。
[0017]图10是表示本实施方式所涉及的半导体基板的制造方法的一例的流程图。
[0018]图11是表示本实施方式所涉及的半导体基板的制造装置的一例的框图。
[0019]图12是表示本实施方式所涉及的半导体器件的制造方法的一例的流程图。
[0020]图13是表示元件部的分离的一例的俯视图。
[0021]图14是表示元件部的分离以及分隔的一例的剖视图。
[0022]图15是表示本实施方式所涉及的电子设备的结构的示意图。
[0023]图16是表示本实施方式所涉及的电子设备的另一结构的示意图。
[0024]图17是表示实施例1所涉及的模板基板的结构的俯视图。
[0025]图18是图17的d
‑
d向视剖视图。
[0026]图19是表示实施例1所涉及的半导体基板的结构的俯视图。
[0027]图20是表示ELO半导体部的横向生长的一例的剖视图。
[0028]图21是表示实施例1所涉及的模板基板的另一结构的俯视图。
[0029]图22是表示包括图21的模板基板的半导体基板的结构的俯视图。
[0030]图23是表示实施例1所涉及的模板基板的另一结构的俯视图。
[0031]图24是表示实施例1所涉及的模板基板的另一结构的俯视图。
[0032]图25是表示实施例2所涉及的模板基板的结构的俯视图。
[0033]图26是表示实施例2所涉及的半导体基板的结构的俯视图。
[0034]图27是表示实施例2所涉及的模板基板的另一结构的俯视图。
[0035]图28是表示实施例2所涉及的模板基板的另一结构的俯视图。
[0036]图29是示意性地表示实施例4的结构的剖视图
[0037]图30是表示实施例4的向电子设备的应用例的剖视图。
[0038]图31是示意性地表示实施例5的结构的剖视图。
[0039]图32是表示实施例6的结构的剖视图。
具体实施方式
[0040]〔模板基板〕
[0041]图1是表示本实施方式所涉及的模板基板的结构的俯视图。图2是图1的a
‑
a向视剖视图(非周缘部)。图3是图1的b
‑
b向视剖视图(周缘部)。
[0042]如图1所示，本实施方式所涉及的模板基板7具备：主基板1，具有边缘E(端面、侧面)、包括边缘E的周缘部1S及位于比周缘部1S靠内侧的位置的非周缘部1P；以及掩模图案6(掩模层)，位于比主基板1靠上方的位置，掩模图案6具有：掩模部5；多个第一开口部KF，将第一方向(X方向)设为宽度方向，将第二方向(Y方向)设为长度方向，在俯视时与非周缘部1P重叠；以及多个第二开口部KB，在俯视时被配置为沿着边缘E。模板基板7能够用于半导体部(半导体层)的形成，例如，基于ELO法(Epitaxial Lateral Overgrowth)的GaN系半导体部(GaN系半导体晶体)的成膜。
[0043]在图1中，主基板1的边缘E(侧面、端面)包括曲面Er以及平面Ef，但并不局限于此，边缘E也可以仅由曲面或者平面构成。
[0044]各第一开口部KF在俯视时与非周缘部1P重叠即可，其整体可以位于非周缘部1P的位置，也可以其一部分位于周缘部1S，剩余的部分位于非周缘部1P。
[0045]多个第二开口部KB在俯视时沿着边缘E即可。各第二开口部KB可以整体位于非周缘部1P，也可以整体位于周缘部1S，其一部分位于非周缘部1P，剩余的部分位于周缘部1S。
[0046]在图1中，掩模图案6包括多个第二开口部KB，但并不局限于此，也可以是一个。关于第二开口部KB，既可以是以Y方向或者X方向为长度方向的矩形，也可以是正方形或者圆形，也可以是环状或者弯曲的长边形状。也可以是多个第二开口部KB的一个与另一个不同的形状。例如，也可以是在掩模图案6中包括X方向以及Y方向的至少一方的长度不同的多个第二开口部KB的结构，也可以是包括环状的第二开口部KB和矩形的第二开口部的结构。
[0047]模板基板7能够构成为在主基板1的上方具有包括晶种层3的基底层4，至少在第一以及第二开口部KF
·
KB中晶种层3的晶种部3S露出。第一以及第二开口部KF
·
KB也可以是锥形形状(朝向基底层4侧宽度变窄的形状)。
[0048]在图1的模板基板7中，在主基板1上层叠有多个层，但能够将其层叠方向设为“上方向”。此外，能够将以与基板法线平行的视线观察模板基板7等基板状的对象物称为“俯视”。
[0049]〔半导体基板〕
[0050]图4是表示本实施方式所涉及的半导体基板的结构的俯视图。图5A是图4的A
‑
A向视剖视图。图5B是图4的c
‑
c向视剖视图。如图4、图5A以及图5B所示，半导体基板10具备模板基板7和位于比掩模图案6靠上层的位置的第一以及第二半导体部8F
·
8B。半导体基板是指包括半导体部的基板，主基板1可以是半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种模板基板，具备：主基板，具有边缘、包括所述边缘的周缘部及位于比所述周缘部靠内侧的位置的非周缘部；以及掩模图案，位于比所述主基板靠上方的位置，所述掩模图案具有：掩模部；多个第一开口部，将第一方向作为宽度方向，将第二方向作为长度方向，在俯视时与所述非周缘部重叠；以及一个或者多个第二开口部，被配置成在俯视时沿着所述边缘。2.根据权利要求1所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部的至少一个与所述多个第二开口部的至少一个彼此相邻，并且在所述第二方向观察时重叠。3.根据权利要求2所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部的至少一个位于在所述第二方向上排列的两个第二开口部之间。4.根据权利要求1所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部的至少一个与所述多个第二开口部的至少一个彼此相邻，并且在所述第一方向观察时重叠。5.根据权利要求1～4中任一项所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部在第一方向上排列。6.根据权利要求5所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部包括距主基板中央的所述第一方向的距离不同的两个第一开口部，所述两个第一开口部的一方与另一方相比，所述距离大，且所述第二方向的长度小。7.根据权利要求6所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部的第二方向的最小的长度比所述一个或者多个第二开口部的第二方向的长度大。8.根据权利要求3所述的模板基板，其中，所述多个第一开口部的至少一个与所述两个第二开口部的一方的距离比俯视时的所述两个第二开口部的一方与所述边缘的距离大。9.根据权利要求1所述的模板基板，其中，所述边缘包括曲面部。10.根据权利要求9所述的模板基板，其中，所述多个第二开口部具有弯曲形状。11.根据权利要求1或4所述的模板基板，其中，所述一个第二开口部、或者所述多个第二开口部的一个具有环状。12.根据权利要求9所述的模板基板，其中，所述边缘包括与所述曲面部相连且具有与所述第一方向平行的法线的平面部。13.根据权利要求1～12中任一项所述的模板基板，其中，所述模板基板具有：晶种层，在俯视时与所述多个第一开口部重叠。14.根据权利要求1～13中任一项所述的模板基板，其中，
所述周缘部是距所述边缘为2〔m m〕以内的区域。15.根据权利要求1～14中任一项所述的模板基板，其中，所述主基板是硅基板。16.根据权利要求1～15中任一项所述的模板基板，其中，该模板基板用于GaN系半导体部的ELO形成。17.一种模板基板的制造方法，模板基板具备：具有边缘、包括所述边缘的周缘部及位于比所述周缘部靠内侧的位置的非周缘部的主基板；以及位于比所述主基板靠上方的位置的掩模图案，其中，在所述掩模图案上形成掩模部、多个第一开口部以及一个或者多个第二开口部，该第一开口部将第一方向作为宽度方向、将第二方向作为长度方向且在俯视时与所述非周缘部重叠，该第二开口部被配置成在俯视时沿着所述边缘。18.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：神川刚，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：