【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于带电粒子分析器的照射控制装置
[0001]本专利技术涉及一种用于分析器布置的照射控制装置，该分析器布置被配置为确定与从样品发射的带电粒子相关的至少一个参数，其中，照射控制装置包括用于输入电磁辐射的输入部、并且被配置为用输入电磁辐射来控制样品的照射以便诱发从样品发射带电粒子。
技术介绍
[0002]光电子能谱(PES)是用于测量来自表面的光电子的成熟方法。在PES中，用电磁辐射照射样品，从而诱发光电子的发射。用光电子能谱仪分析发射的光电子。在半球偏转器型光电子能谱仪中，中心部件是对电子能量进行分析的测量区域。在角分辨光电子能谱(ARPES)中，完整的测量需要从有序排列的样品中完全检测预定的立体角。取决于样品以及激发能/动能，所需的角度范围可能会变化。角分辨率要求也随应用而变化，但通常在1度以下到最好大于0.1度的范围内。在能量分辨率方面，取决于应用，期望的跨度从0.5eV降至0.5meV。为了实现高分辨率测量，分析器布置必须具有足够的角分辨率和能量分辨率，但是由于半球形分析器布置仅接受在垂直于透镜轴的有限角度范围内发射的电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于分析器布置(100)的照射控制装置(7)，所述分析器布置被配置为确定与从样品(3)发射的带电粒子相关的至少一个参数，并且所述分析器布置能够在空间模式和角度模式中操作，在所述空间模式中，基于来自所述样品(3)的带电粒子的空间来源来分析所述带电粒子，在所述角度模式中，基于来自所述样品(3)的带电粒子的角度分布来分析所述带电粒子，其中所述照射控制装置(7)包括用于输入电磁辐射(Ri)的输入部(8)，并且被配置为用所述输入电磁辐射(Ri)来控制所述样品(3)的照射以便诱发从所述样品(3)发射带电粒子，其特征在于，所述照射控制装置(7)被配置为至少在第一模式和第二模式中操作，其中，在所述第一模式中，所述照射控制装置(7)被配置为用所述输入电磁辐射(Ri)的第一部分(Rs1)照射所述样品(3)的第一区域(Al)并且用所述输入电磁辐射(Ri)的第二部分照射所述样品(3)的第二区域(A2)，并且在所述第二模式中，所述所述照射控制装置被配置为用所述输入电磁辐射(Ri)的第二部分(Rs2)照射所述样品(3)的第二区域(A2)，并且其中，所述第二区域(A2)是所述第一区域(Al)的一部分。2.根据权利要求1所述的照射控制装置(7)，包括：
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分割元件(9)，被配置为将来自所述输入部的所述输入电磁辐射(Ri)划分成所述第一部分(Rs1)和所述第二部分(Rs2)，
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第一方向元件(10)，用于将所述电磁辐射的所述第一部分(Rs1)引导到所述第一区域(Al)；
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第二方向元件(12)，用于将所述电磁辐射的所述第二部分(Rs2)引导到所述第二区域(A2)。3.根据权利要求2所述的照射控制装置(7)，包括第一阻挡构件(17)，所述第一阻挡构件被配置为：当所述照射控制装置(7)在所述第二模式中操作时，阻挡所述输入电磁辐射的所述第一部分(Rs1)。4.根据权利要求3所述的照射控制装置(7)，包括第二阻挡构件(18)并且被配置为还在第三模式中操作，在所述第三模式中，
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所述第二阻挡构件(18)被配置为阻挡所述输入电磁辐射的所述第二部分(Rs2)，并且
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其中所述照射控制装置(7)被配置为仅用所述输入电磁辐射的所述第一部分(Rs1)照射所述样品的所述第一区域(Al)。5.根据权利要求2、3或4所述的照射控制装置(7)，其中，所述分割元件(9)是包括光圈(20)的反射镜，其中，所述反射镜被配置为将所述输入电磁辐射的所述第一部分(Rs1)或所述第二部分(Rs2)朝向对应的定向元件(10、12)反射，并且其中，所述光圈(20)被配置为允许所述输入电磁辐射的另一部分传递到对应的定向元件(10、12)。6.根据权利要求2至5中任一项所述的照射控制装置(7)，其中，所述第一方向元件(12)包括第一凹面反射镜，所述第一凹面反射镜被配置为使所述输入电磁辐射的所述第一部分(Rs1)聚焦并且将所述输入电磁辐射的所述第一部分(Rs1)引导到所述第一区域(Al)。7.根据权利要求2至6中任一项所述的照射控制装置(7)，其中，所述第二方向元件(10)包括第二凹面反射镜，所述第二凹面反射镜被配置为使所述输入电磁辐射的所述第二部分(Rs2)聚焦并且将所述输入电磁辐射的第二部分(Rs2)引导到所述第二区域(A2)。8.根据权利要求6或7所述的照射控制装置(7)，其中，所述第一凹面反射镜和所述第二凹面反射镜被布置成使得来自所述分割元件的对应的电磁辐射(Rs1...
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