本发明专利技术公开了一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流ＭＯＳＦＥＴ的驱动信号，包括：电压检测隔离电路，用于获取同步整流ＭＯＳＦＥＴ的漏极、源极电压；比较电路，用于比较同步整流ＭＯＳＦＥＴ漏极和源极的电压大小；和驱动电路，用于根据比较的结果生成驱动信号并提供给同步整流ＭＯＳＦＥＴ的栅极。还公开了一种同步整流管驱动方法，包括以下步骤：检测同步整流ＭＯＳＦＥＴ的源极、漏极电压；比较同步整流ＭＯＳＦＥＴ漏极和源极的电压大小；根据比较的结果生成驱动信号并提供给同步整流ＭＯＳＦＥＴ的栅极。本发明专利技术能简单有效地获得工作于电流断续模式的变换电路拓扑中的同步整流管驱动信号。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及同步整流技术，特别是涉及一种。
技术介绍
获取更高的效率是电能变换装置的一个重要的发展趋势。同步整流技术是低压大 电流场合提高效率通常采用的一种方法，它的基本原理是采用低导通电阻的MOSFET(金属 氧化物半导体场效应晶体管)替代整流二极管，以降低整流电路的导通损耗。在Buck(降 压型)硬开关变换电路及其衍生电路拓扑中，同步整流管的控制信号与主功率管相同或反 向，因此同步整流管驱动信号的获得较容易。但是，在工作于电流断续模式(DCM)的反激变 换或LLC谐振变换等拓扑中，同步整流管驱动信号的获得则较为困难。若同步整流管直接 采用与主功率管相同或反向的驱动信号，则会出现电流反灌等问题，严重影响电路的正常 工作。对此，通常可采用电流型驱动方案，即检测同步整流管电流信号的方向以控制其开通 和关断。因此，如何检测同步整流管电流信号的方向，进行处理以获得同步整流管的驱动 信号，使其体现出二极管单向导电特性，是工作于电流断续模式的电路拓扑(例如反激变 换或LLC谐振变换等)实现同步整流的关键。
技术实现思路
本专利技术的主要目的就是解决现有技术中的问题，提供一种同步整流管驱动装置和 驱动方法，能够简单有效地获得同步整流管的驱动信号。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流MOSFET的驱动信号，其特征在于， 包括电压检测隔离电路，用于获取所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压；比较电路，用于比较所述同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；和驱动电路，用于根据所述比较的结果生成驱动信号并提供给所述同步整流MOSFET 的栅极。优选地，所述电压检测隔离电路包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管 的阴极耦合到所述同步整流MOSFET的漏极，所述第一二极管的阳极耦合到所述比较器的 反相输入端，所述第二二极管的阴极耦合到所述同步整流MOSFET的源极，所述第二二极管 的阳极耦合到所述比较器的同相输入端。优选地，所述驱动电路包括具有第三三极管和第四三极管的推挽电路，所述第 三三极管和第四三极管的基极耦合到所述比较电路的输出端，所述第三三极管和第四三极 管的发射极耦合到所述同步整流MOSFET的栅极，所述第三三极管的集电极耦合到辅助电 源，所述第四三极管的集电极耦合到所述同步整流MOSFET的源极。优选地，所述驱动电路包括集成驱动IC，所述集成驱动IC的输入端耦合到所述比3较电路的输出端，所述集成驱动IC的输出端耦合到所述同步整流MOSFET的栅极。一种同步整流电路，包括同步整流MOSFET和如上所述的同步整流管驱动装置。优选地，所述同步整流电路为Buck、全桥、半桥、正激、反激、推挽或谐振电路拓扑。一种同步整流管驱动方法，其特征在于，包括以下步骤A.检测同步整流MOSFET的源极、漏极电压；B.比较所述同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；C.根据所述比较的结果生成驱动信号并提供给所述同步整流MOSFET的栅极。优选地，所述步骤A包括用相互匹配的两个二极管对同步整流MOSFET的漏极、源 极电压进行检测和隔离。优选地，所述步骤C中采用推挽电路或集成驱动IC来生成所述驱动信号。本专利技术有益的技术效果是本专利技术的同步整流管驱动装置包括电压检测隔离电路、比较电路和驱动电路，电 压检测隔离电路获取同步整流MOSFET的漏极、源极电压，比较电路比较同步整流MOSFET漏 极和源极的电压大小，驱动电路则根据比较的结果生成驱动信号并提供给同步整流MOSFET 的栅极，这样，通过对同步整流MOSFET漏极、源极电压的检测，就能够判断出其漏极、源极 间电流信号的方向，并据此产生相应的自驱动信号，以使得同步整流MOSFET体现出二极管 单向导电特性，从而满足同步整流电路在电流断续模式下工作的要求。采用本专利技术的，能简单而有效地实现在例如反激 变换或LLC谐振变换等各类电路拓扑下的同步整流，并能由此降低产品的成本。附图说明图1本专利技术同步整流管驱动装置的电路原理图；图2为图1所示电路的特征工作波形图；图3为本专利技术同步整流管驱动装置一种实施例的电路原理图；图4为本专利技术同步整流管驱动装置另一种实施例的电路原理图；图5为本专利技术同步整流管驱动方法的基本流程图。以下通过具体实施方式并结合附图对本专利技术作进一步说明。具体实施例方式如图1所示，同步整流管驱动装置包括电压检测隔离电路TEST、比较电路CMP和 驱动电路DRV三个部分。其中，电压检测隔离电路TEST的输入端耦合到同步整流MOSFET 的漏极和源极，电压检测隔离电路TEST的输出端耦合到比较电路CMP同相输入端+和反相 输入端_，比较电路CMP的输出端耦合到驱动电路DRV的输入端，而驱动电路DRV的输出端 耦合到同步整流MOSFET的栅极。电压检测隔离电路TEST用于获取同步整流MOSFET的漏 极、源极电压Vds，如下文将述及，优选可采用高压精确匹配的双二极管来实现该信号的检 测。比较电路CMP用于比较同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小，比较结果反映同步整 流MOSFET漏极电流Id的流向。驱动电路DRV则用于根据该比较结果生成驱动信号Vdrv 并送往同步整流MOSFET的栅极。根据本专利技术的电路的特征工作波形由图2示意性地展示。本文中的术语“匹配”是指，当两个二极管通过相同的正向电流时，其管压降基本相等。在实际应用中，常常将两个二极管做在一个封装中，构成精确匹配的二极管对。实施例一如图3所示，电压检测隔离电路TEST优选包括第一二极管Dl和第二二极管D2，第 一二极管Dl的阴极接同步整流MOSFET SR的漏极，第二二极管D2的阴极接同步整流MOSFET SR的源极，第一二极管Dl和第二二极管D2的阳极分别接比较器CMP的反相输入端-和同 相输入端+。比较电路CMP优选包括第三二极管D3、第一三极管Ql和第二三极管Q2，其中第 一三极管Ql的发射极接第一二极管Dl的阳极，第一三极管Ql的集电极通过第一电阻Rl 接辅助电源Vcc，第一三极管Ql和第二三极管Q2的基极与第三二极管D3的阳极相接，第 三二极管D3的阴极与第二三极管Q2的集电极通过第二电阻R2接辅助电源Vcc，第二三极 管Q2的发射极接同步整流MOSFET SR的源极。驱动电路优选采用推挽电路，该推挽电路包括第三三极管Q3和第四三极管Q4，第 三三极管Q3和第四三极管Q4的基极与第三二极管D3的阴极、第二三极管Q2的集电极相 接，第三三极管Q3和第四三极管Q4的发射极接同步整流MOSFET SR的栅极，第三三极管Q3 的集电极接辅助电源Vcc，第四三极管Q4的集电极接同步整流MOSFET SR的源极。请参考图2、3，根据本实施例，由高压精确匹配二极管对(即第一、二二极管)D1、 D2检测和隔离同步整流管SR的漏极、源极电压Vds，所得的信号送往由精确匹配三极管对 (即第一、二三极管)Q1、Q2、第三二极管D3以及第一、二电阻R1、R2构成的比较电路，经比 较后，再送往由第三、四三极管Q3、Q4构成的推挽驱动电路，后者生成的驱动信号送往同步 整流MOSFET SR的栅极。典型地，当比较结果为漏极电压小于源极电压即Vds为负时，驱动 信号Vdrv为高电平信号，该信号驱动同步整本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流ＭＯＳＦＥＴ的驱动信号，其特征在于，包括：电压检测隔离电路，用于获取所述同步整流ＭＯＳＦＥＴ的漏极、源极电压；比较电路，用于比较所述同步整流ＭＯＳＦＥＴ漏极和源极的电压大小；和驱动电路，用于根据所述比较的结果生成驱动信号并提供给所述同步整流ＭＯＳＦＥＴ的栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：纪圣儒，
申请(专利权)人：艾默生网络能源系统北美公司，
类型：发明
国别省市：US
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