一种激光位移传感器采集电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种激光位移传感器采集电路，包括MCU控制电路、MOS管通断电路、电压采集电路、激光位移传感器快接口。MCU控制电路用于控制激光位移传感器的供电电源通断；MOS管通断电路与所述MCU控制电路连接并被所述MCU控制电路控制通断；电压采集电路是对激光位移传感器所输出的电压进行采集，激光位移传感器快接口用于接通激光位移传感器。本实用新型专利技术激光位移传感器采集电路仅用2个电阻、一个三极管和一PMOS管组成了电平输出控制电路，具有使用稳定、速度块，实用性强等优点。本实用新型专利技术激光位移传感器采集电路应用于电路板上，制作成本低，但采样数据精准。但采样数据精准。但采样数据精准。

【技术实现步骤摘要】
一种激光位移传感器采集电路


[0001]本技术涉及激光
，具体的说是涉及一种激光位移传感器采集电路。

技术介绍

[0002]激光位移传感器作为一种新兴的测量仪器，可以在不接触物体的情况下准确测量物体的数据，可以测量物体的位置、位移等变换。主要应用在尺寸测量、厚度检测、元器件检测等，目前激光位移传感器的控制电路大多都是使用ARM和FPGA作为主控，实现自动化数据采集和处理，得到相应的参数。
[0003]目前，激光位移传感器主要应用于大量数据采集的场合，需要处理庞大的数据，设备间不存在交互功能，数据有时容易错乱，导致采集后的数据不准确。
[0004]因此，需要研发一种采集电路来解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种激光位移传感器采集电路，设计该激光位移传感器采集电路的目的是降低成本、提高数据采集的精准度。
[0006]为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：本技术的一种激光位移传感器采集电路，包括：
[0007]MCU控制电路，用于控制激光位移传感器的供电电源通断；所述MCU控制电路包括NPN型三极管Q2、电阻R25和电阻R26，所述NPN型三极管Q2的基极分别连接电阻R25的第一端、电阻R26的第一端，所述电阻R26的第二端接至所述NPN型三极管Q2的发射极并接地，所述电阻R25的第二端接入MCU的JG_EN脚；
[0008]MOS管通断电路，与所述MCU控制电路连接并被所述MCU控制电路控制通断；所述MOS管通断电路包括MOS管Q3、电阻R24以及电容C44，所述MOS管Q3的源极接入所述供电电源、电阻R24的第一端，所述电阻R24的第二端接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的栅极还与所述三极管Q2的集电极连接，所述MOS管Q3的栅极和所述MOS管Q3的源极之间还连接有两个串联的二极管，该两个串联的二极管负极相接，所述MOS管Q3的漏极连接所述电容C44的第一端，所述电容C44的第二端接地；
[0009]电压采集电路，该电压采集电路是对激光位移传感器所输出的电压进行采集，所述电压采集电路包括电阻R23、电阻R22，所述电阻R23的第一端接至所述电容C44的接地端，其第二端和所述电阻R22的第一端连接，所述电阻R23、电阻R22之间的电路节点上连接至MCU的ADC12_IN0端口；
[0010]激光位移传感器快接口，用于接通激光位移传感器，具有三个连接脚，其中，激光位移传感器快接口的第一脚接至所述MOS管Q3的漏极，激光位移传感器快接口的第二脚接地，激光位移传感器快接口的第三脚和所述电阻R22的第二端连接。
[0011]进一步的，所述电阻R22的阻值均为5.1K。
[0012]进一步的，所述电阻R23的阻值均为5.1K。
[0013]进一步的，所述MOS管为PMOS管。
[0014]相对于现有技术，本技术的有益效果是：
[0015]1.本技术激光位移传感器采集电路仅用2个电阻、一个三极管和一PMOS管组成了电平输出控制电路，具有使用稳定、速度块，实用性强等优点。
[0016]2.本技术激光位移传感器采集电路应用于电路板上，制作成本低，但采样数据精准。
附图说明
[0017]图1为本技术激光位移传感器采集电路总图。
[0018]图2为图1的MCU控制电路放大图。
[0019]图3为图1的MOS管通断电路放大图。
[0020]图4为图1的电压采集电路放大图。
[0021]图5为图1的激光位移传感器快接口的电路放大图。
[0022]附图中标记：MCU控制电路1、MOS管通断电路2、电压采集电路3、激光位移传感器快接口4。
具体实施方式
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本技术所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0025]实施例1：本技术的具体结构如下：
[0026]请参照附图1，本技术的一种激光位移传感器采集电路，包括：
[0027]MCU控制电路1，用于控制激光位移传感器的供电电源通断；所述MCU控制电路1包括NPN型三极管Q2、电阻R25和电阻R26，所述NPN型三极管Q2的基极分别连接电阻R25的第一端、电阻R26的第一端，所述电阻R26的第二端接至所述NPN型三极管Q2的发射极并接地，所述电阻R25的第二端接入MCU的JG_EN脚；
[0028]MOS管通断电路2，与所述MCU控制电路1连接并被所述MCU控制电路1控制通断；所述MOS管通断电路2包括MOS管Q3、电阻R24以及电容C44，所述MOS管Q3的源极接入所述供电电源、电阻R24的第一端，所述电阻R24的第二端接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的栅极还与所述三极管Q2的集电极连接，所述MOS管Q3的栅极和所述MOS管Q3的源极之间还连接有两个串联的二极管，该两个串联的二极管负极相接，所述MOS管Q3的漏极连接所述电容C44的第一端，所述电容C44的第二端接地；
[0029]电压采集电路3，该电压采集电路3是对激光位移传感器所输出的电压进行采集，
所述电压采集电路3包括电阻R23、电阻R22，所述电阻R23的第一端接至所述电容C44的接地端，其第二端和所述电阻R22的第一端连接，所述电阻R23、电阻R22之间的电路节点上连接至MCU的ADC12_IN0端口；
[0030]激光位移传感器快接口4，用于接通激光位移传感器，具有三个连接脚，其中，激光位移传感器快接口4的第一脚接至所述MOS管Q3的漏极，激光位移传感器快接口4的第二脚接地，激光位移传感器快接口4的第三脚和所述电阻R22的第二端连接。
[0031]本实施例的一种优选技术方案：所述电阻R22的阻值均为5.1K。
[0032]本实施例的一种优选技术方案：所述电阻R23的阻值均为5.1K。
[0033]本实施例的一种优选技术方案：所述MOS管为PMOS管。
[0034]实施例2：
[0035]以下是本技术激光位移传感器采集电路的工作原理：
[0036]如图1所示，本技术的激光位移传感器采集电路中一共分为四个部分，第1部分为MCU控制电路1，主要由一个NPN三极管Q2和电阻R25、电阻R26构成一个开关电路，控制激光位移传感器的12v供电电源通断，即MCU控制电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光位移传感器采集电路，其特征在于，包括：MCU控制电路(1)，用于控制激光位移传感器的供电电源通断；所述MCU控制电路(1)包括NPN型三极管Q2、电阻R25和电阻R26，所述NPN型三极管Q2的基极分别连接电阻R25的第一端、电阻R26的第一端，所述电阻R26的第二端接至所述NPN型三极管Q2的发射极并接地，所述电阻R25的第二端接入MCU的JG_EN脚；MOS管通断电路(2)，与所述MCU控制电路(1)连接并被所述MCU控制电路(1)控制通断；所述MOS管通断电路(2)包括MOS管Q3、电阻R24以及电容C44，所述MOS管Q3的源极接入所述供电电源、电阻R24的第一端，所述电阻R24的第二端接至所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的栅极还与所述三极管Q2的集电极连接，所述MOS管Q3的栅极和所述MOS管Q3的源极之间还连接有两个串联的二极管，该两个串联的二极管负极相接，所述MOS管Q3的漏极连接所述电容C44的第一端，所述电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚澳，徐森，铁永军，兰云港，
申请(专利权)人：深圳市昊岳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：