一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，所述结构包括顶层结构、键合锚点、阻挡半墙和衬底；所述顶层结构在衬底上方，通过键合锚点键合加工，所述衬底上包含键合锚点和阻挡半墙，所述衬底、键合锚点和阻挡半墙为同一块材料刻蚀形成，所述顶层结构与衬底在电学上结构上不导通。阻挡半墙的存在可防止金属淀积过程中，金属粒子反弹粘附于顶层结构和键合锚点的结合处，造成顶层结构与衬底间的短路，极大提升产品良率。极大提升产品良率。极大提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构


[0001]本技术涉及微电子机械系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical Systems,MEMS)
，更具体地，涉及一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构。

技术介绍

[0002]MEMS器件的制备通常需要加工多层复杂的结构组合，多层结构间的电气连接异常复杂，一些场合需要结构间电气连接导通，一些场合则需要结构间绝缘。短路失效是MEMS器件常见失效，因为MEMS器件结构复杂，区别于MOS工艺的平面结构，通常在体结构上做延申和刻蚀，结构间的绝缘不能简单的通过钝化层来解决，那么设计一种通用的防止金属淀积短路的MEMS工艺结构就变得非常有意义，该结构的存在可以极大的减少MEMS器件短路失效，提高产品良率。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，采用MEMS工艺制作，目的是解决MEMS器件短路失效问题。本技术采用如下的技术方案：
[0004]本技术所述一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，其特征在于，包括顶层结构、键合锚点、阻挡半墙和衬底；所述顶层结构在衬底上方，通过键合锚点键合加工；所述衬底上包含键合锚点和阻挡半墙；所述衬底、键合锚点和阻挡半墙为同一块材料刻蚀形成，所述顶层结构与衬底在电学上结构上不导通。2.根据权利要求1所述的防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，其特征在于，所述的顶层结构和衬底采用半导体或绝缘体材料。3.根据权利要求2所述的防止金属淀积短路的MEMS工艺结构，其特征在于，所述的顶层结构和衬底采用陶瓷、蓝宝石、硅、玻璃、环氧树脂、聚酰亚胺的一种或几...

【专利技术属性】
技术研发人员：周浩楠，李宋，张亚婷，
申请(专利权)人：北京智芯传感科技有限公司，
类型：新型
国别省市：