芯片结构和压力传感器制造技术

本申请涉及一种芯片结构和压力传感器，包括：器件层，具有相背设置的第一侧和第二侧，所述第一侧的上表层形成有电连接的压敏层及引线层；第一隔离层，位于所述器件层的所述第一侧，并覆盖所述压敏层及所述引线层；导电结构，位于所述器件层的所述第二侧并贯穿所述器件层至与所述引线层电连接，且所述导电结构与所述器件层中除所述引线层外的剩余部分相绝缘，所述导电结构用于将所述引线层引出至所述第二侧外部。通过导电结构将芯片结构内部的引线层引出至器件层的第二侧外部，引线层可以经导电结构与外部实现电连接，以引线层内置的形式能够避免芯片封装尺寸增大，大大简化了芯片封装流程，并提升了芯片的抗干扰能力。并提升了芯片的抗干扰能力。并提升了芯片的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
芯片结构和压力传感器


[0001]本申请涉及芯片封装
，特别是涉及一种芯片结构和压力传感器。

技术介绍

[0002]压力传感器是一种将压力信号转换为电信号的传感器，其中，微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)压力传感器以其结构简单、响应速度快、灵敏度高等突出优点得到广泛应用。而目前的MEMS压力传感器芯片通常采用引线键合(金线键合)工艺进行封装，导致器件尺寸增大和封装流程复杂。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中芯片采用引线键合工艺进行封装导致器件尺寸增大和封装流程复杂的问题提供一种芯片结构和压力传感器。
[0004]为了实现上述目的，本申请提供了一种芯片结构，包括：
[0005]器件层，具有相背设置的第一侧和第二侧，所述第一侧的上表层形成有电连接的压敏层及引线层；
[0006]第一隔离层，位于所述器件层的所述第一侧，并覆盖所述压敏层及所述引线层；
[0007]导电结构，位于所述器件层的所述第二侧并贯穿所述器件层至与所述引线层电连接，且所述导电结构与所述器件层中除所述引线层外的剩余部分相绝缘，所述导电结构用于将所述引线层引出至所述第二侧外部。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一隔离层包括：
[0009]第一绝缘层，位于所述器件层的所述第一侧，并覆盖所述压敏层及引线层；其中，所述引线层自所述器件层的上表层贯穿延伸至所述第一绝缘层背离所述器件层的表面；
[0010]第二绝缘层，位于所述第一绝缘层背离所述器件层的一侧，并覆盖延伸至所述第一绝缘层表面的引线层；
[0011]其中，所述导电结构贯穿所述器件层、所述第一绝缘层，以与位于所述第一绝缘层表面的引线层电连接。
[0012]在其中一个实施例中，所述引线层包括：
[0013]第一引线层，位于所述第一侧的上表层中，且与所述压敏层相邻接；
[0014]第二引线层，位于所述第一绝缘层的表面，并贯穿所述第一绝缘层至所述第一引线层；
[0015]其中，所述第二绝缘层覆盖所述第二引线层。
[0016]在其中一个实施例中，所述压敏层和所述引线层的数量分别为多个，且相邻的两个所述引线层间隔设置及相邻的两个所述压敏层相间隔；
[0017]其中，所述导电结构的数量对应为多个，每一个所述导电结构分别用于将对应的所述引线层引出至所述器件层第二侧的外部。
[0018]在其中一个实施例中，所述芯片结构还包括：
[0019]支撑层，位于所述第一隔离层背离所述器件层的一侧，与所述第一隔离层表面键合。
[0020]在其中一个实施例中，所述支撑层靠近所述第一隔离层一侧的表面设有凹槽；
[0021]其中，所述压敏层在所述支撑层的正投影区域位于所述凹槽内。
[0022]在其中一个实施例中，所述器件层还包括：
[0023]第二隔离层，位于所述器件层的所述第二侧并贯穿所述器件层；
[0024]其中，所述导电结构位于所述第二隔离层背离所述器件层的一侧并贯穿所述第二隔离层，以与所述引线层电连接并与所述剩余部分相绝缘。
[0025]在其中一个实施例中，所述器件层开设有第一通孔，所述第二隔离层填充所述第一通孔并延伸至所述器件层背离所述第一隔离层的表面上；
[0026]所述导电结构位于所述第二隔离层背离第一隔离层的表面，并贯穿所述第二隔离层至所述引线层。
[0027]在其中一个实施例中，所述第二隔离层开设有贯穿至所述引线层的第二通孔，所述第二通孔在所述器件层中的正投影处于所述第一通孔在所述器件层中的正投影内部，所述导电结构包括：
[0028]第一导电体，填充所述第二通孔，以与所述引线层电连接；
[0029]第二导电体，位于所述第二隔离层背离第一隔离层的表面，并覆盖所述第一导电体。
[0030]本申请提供一种压力传感器，包括如上所述的芯片结构。
[0031]上述芯片结构，通过导电结构将芯片结构内部的引线层引出至器件层的第二侧外部，引线层可以经导电结构与外部实现电连接，以引线层内置的形式能够避免芯片封装尺寸增大，大大简化了芯片封装流程，并提升了芯片的抗干扰能力。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为一实施例中提供的芯片结构示意图之一；
[0034]图2为一实施例中提供的芯片结构示意图之二；
[0035]图3为一实施例中提供的支撑层的结构示意图之一；
[0036]图4为一实施例中提供的支撑层的结构示意图之二；
[0037]图5为一实施例中提供的芯片结构示意图之三；
[0038]图6为一实施例中提供的芯片结构示意图之四；
[0039]图7为一实施例中提供的芯片结构示意图之五；
[0040]图8为一实施例中提供的芯片结构示意图之六。
[0041]附图标记说明：
[0042]器件层：100；压敏层：200；引线层：300；第一引线层：301；第二引线层：302；第一隔离层：400；第一绝缘层：401；第二绝缘层：402；导电结构：500；第一导电体501；第二导电体
502；第二隔离层600；支撑层：700。
具体实施方式
[0043]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0044]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0045]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0046]MEMS压力传感器是适用于高冲击、高过载、导电、腐蚀、辐射等恶劣环境的小体积压力传感器，其在航天航空、工业等领域有广泛应用，现有的MEMS压力传感器通常采用引线外置的封装工艺，导致芯片封装尺寸变大，封装工艺带来的大尺寸问题限制了压力传感器在尺寸要求更高的环境中使用，例如小卫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：器件层，具有相背设置的第一侧和第二侧，所述第一侧的上表层形成有电连接的压敏层及引线层；第一隔离层，位于所述器件层的所述第一侧，并覆盖所述压敏层及所述引线层；导电结构，位于所述器件层的所述第二侧并贯穿所述器件层至与所述引线层电连接，且所述导电结构与所述器件层中除所述引线层外的剩余部分相绝缘，所述导电结构用于将所述引线层引出至所述第二侧外部。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一隔离层包括：第一绝缘层，位于所述器件层的所述第一侧，并覆盖所述压敏层及引线层；其中，所述引线层自所述器件层的上表层贯穿延伸至所述第一绝缘层背离所述器件层的表面；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层背离所述器件层的一侧，并覆盖延伸至所述第一绝缘层表面的引线层；其中，所述导电结构贯穿所述器件层、所述第一绝缘层，以与位于所述第一绝缘层表面的引线层电连接。3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述引线层包括：第一引线层，位于所述第一侧的上表层中，且与所述压敏层相邻接；第二引线层，位于所述第一绝缘层的表面，并贯穿所述第一绝缘层至所述第一引线层；其中，所述第二绝缘层覆盖所述第二引线层。4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述压敏层和所述引线层的数量分别为多个，且相邻的两个所述引线层间隔设置及相邻的两个所述压敏层相间隔；其中，所述导电结构的数量对应为多个，每一个所述导电结构分别用于将对应的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁伊央，倪梁，杨力建，卢惠棉，
申请(专利权)人：深圳市汇投智控科技有限公司，
类型：新型
国别省市：