一种半导体行业用单向阀焊接装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术一种半导体行业用单向阀焊接装置，包括主要由转换头、异径连接器一、异径连接器二、异径连接器三、第一联通插头、第二联通插头、集气缓冲体构成的组合体；所述转换头上两侧对应设置有异径连接器一和异径连接器二；另一侧设置有集气缓冲体；在异径连接器一端部连接有第二联通插头；在异径连接器二端部连接有第一联通插头；在集气缓冲体端部设置有异径连接器三；在第二联通插头的端部设有固定管；在组合体内部贯穿设有输气管和固定管。本实用新型专利技术结构简单，方便组合，适应性广，性能稳定。本实用新型专利技术可以使得半导体行业用特殊对接式单向阀和管路件内部的氧气在保护气中的含量达到10ppm的超高要求。达到10ppm的超高要求。达到10ppm的超高要求。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体行业用单向阀焊接装置


[0001]本技术涉及IC装备制造业中的超洁净管路零部件的焊接，焊接时，对超高纯管路件对接式单向阀与管路标准件处的焊缝内部形成稳定有效的保护效果，属于半导体行业超洁净管路零部件特种焊接技术。

技术介绍

[0002]半导体行业用的单向阀，属于超洁净管路件中的重要零部件，其内部粗糙度、洁净度、耐腐蚀性的要求极高。当前技术焊接单向阀时，对内部气体的置换效果很难达到10ppm的要求，存在焊接后焊缝内部氧化的弊端，很难达到半导体行业对超洁净管路件的超高焊接要求，严重影响了成品的质量。

技术实现思路

[0003]本技术的目的，是解决国内半导体行业中单向阀焊接时内部焊缝氧化等级达不到半导体行业要求的技术难点。本案所专利技术的一种新型半导体行业用单向阀焊接装置结构，实现了半导体行业用单向阀焊接技术难点的突破。
[0004]解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]一种半导体行业用单向阀焊接装置，包括主要由转换头、异径连接器一、异径连接器二、异径连接器三、第一联通插头、第二联通插头、集气缓冲体构成的组合体；所述转换头上两侧对应设置有异径连接器一和异径连接器二；另一侧设置有集气缓冲体；在异径连接器一端部连接有第二联通插头；在异径连接器二端部连接有第一联通插头；在集气缓冲体端部设置有异径连接器三；在第二联通插头的端部设有固定管；在组合体内部贯穿设有输气管和固定管。
[0006]本技术的有益效果是：
[0007]1、本技术结构简单，方便组合，适应性广，性能稳定。
[0008]2、本技术可以对半导体行业用超洁净管路件使用的特殊单向阀与管路件的内部气体进行有效置换，采用轨道焊机进行焊接，焊接后氦测达标1.0x109std cc/sec，内部焊缝氧化等级满足半导体行业的超高要求。
[0009]3、本技术可以使得半导体行业用特殊对接式单向阀和管路件内部的氧气在保护气中的含量达到10ppm的超高要求。
附图说明
[0010]图1为技术的组装示意图。
[0011]图2为技术的组装示意图。
[0012]图3为技术的转换头的示意图。
[0013]图4为技术的异径连接器的示意图。
[0014]图5为技术的联通插头的示意图。
[0015]图6为技术的输气管的示意图。
[0016]图7为技术的固定管的示意图。
[0017]图8为技术的集气缓冲体的示意图。
[0018]图9为技术的实例焊接示意图之一。
[0019]图10为技术的实例焊接示意图之二。
具体实施方式
[0020]下面结合附图及附图标记对本技术进一步详细说明。
[0021]如图1
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10所示，一种半导体行业用单向阀焊接装置，包括主要由转换头1、异径连接器一2、异径连接器二3、异径连接器三4、第一联通插头5、第二联通插头6、集气缓冲体9构成的组合体；所述转换头1上两侧对应设置有异径连接器一2和异径连接器二3；另一侧设置有集气缓冲体9；在异径连接器一2端部连接有第二联通插头6；在异径连接器二3端部连接有第一联通插头5；在集气缓冲体9端部设置有异径连接器三4；在第二联通插头6的端部设有固定管8；在组合体内部贯穿设有输气管7和固定管8。
[0022]所述联通插头一5将输气管7固定到单向阀待焊件的管路端，在未被焊接时引发保护气流，保持管路内部氧气在保护气中的含量达到10ppm的要求。
[0023]所述转换头1、异径连接器一2和异径连接器二3可以是任意数量、任意组合，且分布在同一通道上。
[0024]所述集气缓冲体9和异径连接器三4，可以是任意数量、任意组合，且分布在同一通道上。
[0025]所述输气管7和固定管8可以是任意尺寸、任意数量、任意组合，且设在转换头1、异径连接器一2和异径连接器二3、异径连接器一2和异径连接器二3内部。
[0026]联通插头一5可以插入对焊式单向阀管路待焊件的内部，联通插头一5可以是任意锥度、任意壁厚、任意长度，且设置在输气管7外部。
[0027]实施例
[0028]使用联通插头一5将输气管7固定到单向阀待焊件的管路端，其未被焊接并引发保护气流，对管状单向阀与标准件10或对块状单向阀与标准件11内部气体进行预吹扫，预吹扫的时间不小于20秒，置换半导体行业用特殊对焊式单向阀管路件内部氧气，使得管路件内部氧气在保护气中的含量达到10ppm的超高要求。
[0029]在焊接过程中，针对对焊式单向阀管路件内部，可进行持续的吹扫，提供持续的保护。
[0030]在焊接后，还可以通过使用不小于3.5SCFH的保护气流量，针对对焊式单向阀管路件内部继续进行持续的吹扫，继续吹扫并置换管路件内部的热冷耦合气体，置换吹扫的时间不小于30秒。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体行业用单向阀焊接装置，其特征在于，包括主要由转换头（1）、异径连接器一（2）、异径连接器二（3）、异径连接器三（4）、第一联通插头（5）、第二联通插头（6）、集气缓冲体（9）构成的组合体；所述转换头（1）上两侧对应设置有异径连接器一（2）和异径连接器二（3）；另一侧设置有集气缓冲体（9）；在异径连接器一（2）端部连接有第二联通插头（6）；在异径连接器二（3）端部连接有第一联通插头（5）；在集气缓冲体（9）端部设置有异径连接器三（4）；在第二联通插头（6）的端部设有固定管（8）；在组合体内部贯穿设有输气管（7）和固定管（8）。2.根据权利要求1所述的一种半导体行业用单向阀焊接装置，其特征在于，所述第一联通插头（5）将输气管（7）固定到单向阀待焊件的管路端，在未被焊接时引发保护气流，保持管路内部氧气在保护气中的含量达到10ppm的要求。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：华嵩松，林雪松，丁志成，袁毅军，
申请(专利权)人：沈阳富创精密设备股份有限公司，
类型：新型
国别省市：