一种双频段高增益DRA天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双频段高增益DRA天线，其特征在于，包括第一极化板、介质谐振器和第二极化板，介质谐振器安装于第二极化板的一侧，第二极化板与第一极化板垂直设置，第一极化板上开设有安装孔，第二极化板设有与安装孔相适配的介质凸起，第二极化板抵触于介质谐振器；设置第一极化板以及第二极化板与介质谐振器连接，使得本天线能够覆盖N257和N260频段，并且增益高，提升了天线性能；第二极化板上设置的介质凸起与第一极化板上的安装孔配合能够确保第一极化板与第二极化板之间的垂直度并且第二极化板抵触在介质谐振器上能够对介质谐振器起到固定作用，降低了介质谐振器偏移而影响天线性能的风险。而影响天线性能的风险。而影响天线性能的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种双频段高增益DRA天线


[0001]本技术涉及天线
，尤其涉及一种双频段高增益DRA天线。

技术介绍

[0002]5G(5th
‑
Generation，第五代移动通信技术)作为全球业界的研发焦点，发展5G技术制定5G标准以及成为业界共识，国际电信联盟ITU在2015年6月召开的ITU
‑
RWP5D第22次会议上明确了5G的三个主要应用场景：增强型移动宽带、大规模机器通信、高可靠低延时通信。这3个应用场景分别对应着不同的关键指标，其中增强型移动带宽场景下用户峰值速度为20Gbps，最低用户体验速率为100Mbps。
[0003]由于毫米波独有的高载频、大带宽特性，是实现5G超高数据传输速率的主要手段，射频链路的EIRP(Equivalent Isotropically Radiated Power，等效全向辐射功率)为天线增益与芯片输出增益之和，在EIRP满足3GPP标准下，高增益的毫米波天线可以使芯片的输出功率降低，从而使芯片散热良好。
[0004]根据3GPP TS38.101
‑
2 5G终端射频技术规范和TR38.817终端射频技术报告可知，5GmmWave频段有N257(26.5
‑
29.5GHz)n258(24.25
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27.25GHz)n260(37
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40GHz)n261(27.5
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28.35GHz)以及新增的n259(39.5
‑
43GHz)。所以必须设计双频或者多频段天线覆盖上述频段。
[0005]现有的DRA天线的介质谐振器目前是安装在PCB上，有胶水粘和焊接这两种实现方式但是这两种都是因为工艺精度等原因使天线性能偏离仿真，所以急需解决在不影响DRA性能条件下达到固定的问题。

技术实现思路

[0006]本技术所要解决的技术问题是：提供一种双频段高增益DRA天线，以解决在不影响DRA性能条件下达到固定的问题。
[0007]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种双频段高增益DRA天线，包括第一极化板、介质谐振器和第二极化板，所述介质谐振器安装于所述第二极化板的一侧，所述第二极化板与所述第一极化板垂直设置，所述第一极化板上开设有安装孔，所述第二极化板设有与所述安装孔相适配的介质凸起，所述第二极化板抵触于所述介质谐振器。
[0008]进一步的，所述介质谐振器包括呈长方体状的辐射体，所述辐射体沿其辐射方向设有凹槽。
[0009]进一步的，所述凹槽的数量为两个，且两个所述凹槽在所述辐射体上对称设置。
[0010]进一步的，两个所述凹槽的尺寸大小一致。
[0011]进一步的，所述凹槽的横截面为矩形。
[0012]进一步的，所述辐射体的截面呈“工”字型。
[0013]进一步的，所述辐射体的数量为多个，所述介质谐振器还包括连接部，相邻两个所
述辐射体通过所述连接部连接。
[0014]进一步的，所述第二极化板的数量与所述辐射体的数量相等且一一对应连接。
[0015]进一步的，多个所述第二极化板在所述第一极化板上呈交错分布。
[0016]本技术的有益效果在于：本技术提供的双频段高增益DRA天线具有天线性能好且稳固性强的特点，设置第一极化板以及第二极化板与介质谐振器连接，使得本天线能够覆盖N257和N260频段，并且增益高，提升了天线性能；第二极化板上设置的介质凸起与第一极化板上的安装孔配合能够确保第一极化板与第二极化板之间的垂直度并且第二极化板抵触在介质谐振器上能够对介质谐振器起到固定作用，降低了介质谐振器偏移而影响天线性能的风险。
附图说明
[0017]图1为本技术实施例一的双频段高增益DRA天线的结构示意图；
[0018]图2为本技术实施例一的双频段高增益DRA天线的爆炸图；
[0019]图3为本技术实施例一的双频段高增益DRA天线的S参数图；
[0020]图4为本技术实施例二的双频段高增益DRA天线的结构示意图；
[0021]图5为本技术实施例二的双频段高增益DRA天线的爆炸图。
[0022]标号说明：
[0023]1、第一极化板；11、第一馈电层；12、第一介质层；13、安装孔；2、第二极化板；21、第二介质层；22、第二馈电层；23、介质凸起；3、介质谐振器；31、凹槽；32、辐射体；33、连接部；4、纯介质板。
具体实施方式
[0024]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0025]请参照图1至图5，一种双频段高增益DRA天线，包括第一极化板1、介质谐振器3和第二极化板2，所述介质谐振器3安装于所述第二极化板2的一侧，所述第二极化板2与所述第一极化板1垂直设置，所述第一极化板1上开设有安装孔13，所述第二极化板2设有与所述安装孔13相适配的介质凸起23，所述第二极化板2抵触于所述介质谐振器3。
[0026]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：设置第一极化板1以及第二极化板2与介质谐振器3连接，使得本天线能够覆盖N257和N260频段，并且增益高，提升了天线性能；第二极化板2上设置的介质凸起23与第一极化板1上的安装孔13配合能够确保第一极化板1与第二极化板2之间的垂直度并且第二极化板2抵触在介质谐振器3上能够对介质谐振器3起到固定作用，降低了介质谐振器3偏移而影响天线性能的风险。
[0027]进一步的，所述介质谐振器3包括呈长方体状的辐射体32，所述辐射体32沿其辐射方向设有凹槽31。
[0028]由上述描述可知，在长方体状的辐射体32的辐射方向设置凹槽31，能够使得磁力线分布更加密集，磁场强度更大，从而保证天线小型化的同时提高增益。
[0029]进一步的，所述凹槽31的数量为两个，且两个所述凹槽31在所述辐射体32上对称设置。
[0030]进一步的，两个所述凹槽31的尺寸大小一致。
[0031]进一步的，所述凹槽31的横截面为矩形。
[0032]进一步的，所述辐射体32的截面呈“工”字型。
[0033]由上述描述可知，在长方体状的辐射体32的辐射方向对称设置两个尺寸大小一致的凹槽31，能够使得磁力线分布更加密集，磁场强度更大，从而保证天线小型化的同时提高增益。
[0034]进一步的，所述辐射体32的数量为多个，所述介质谐振器3还包括连接部33，相邻两个所述辐射体32通过所述连接部33连接。
[0035]由上述描述可知，可根据实际的应用需求对所述辐射体32的数量进行设置。
[0036]进一步的，所述第二极化板2的数量与所述辐射体32的数量相等且一一对应连接。
[0037]由上述描述可知，设置多个第二极化板2与所述介质谐振器3相连，减少了第二极化板2的耗材。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双频段高增益DRA天线，其特征在于，包括第一极化板、介质谐振器和第二极化板，所述介质谐振器安装于所述第二极化板的一侧，所述第二极化板与所述第一极化板垂直设置，所述第一极化板上开设有安装孔，所述第二极化板设有与所述安装孔相适配的介质凸起，所述第二极化板抵触于所述介质谐振器。2.根据权利要求1所述的双频段高增益DRA天线，其特征在于，所述介质谐振器包括呈长方体状的辐射体，所述辐射体沿其辐射方向设有凹槽。3.根据权利要求2所述的双频段高增益DRA天线，其特征在于，所述凹槽的数量为两个，且两个所述凹槽在所述辐射体上对称设置。4.根据权利要求2所述的双频段高增益DRA天线，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，谢昱乾，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：新型
国别省市：