【技术实现步骤摘要】
一种功耗表征计算方法、系统、设备及介质
[0001]本专利技术涉及功耗计算
,尤其是涉及一种功耗表征计算方法、系统、设备及介质。
技术介绍
[0002]标准单元表征库是一种电路信息库,用于描述数字电路的行为和性能。这个库通常用于芯片设计中,包括时序分析和功耗分析等。由于这些信息会随工作条件(如工艺,温度,电压等)而变化,因此该库中的模型和参数是基于一定的工艺和温度条件下进行测量和测试的。
[0003]表征库的数据量大,FAB在表征时会只取较少的采样点,导致在插值或外推取值时会产生误差,影响仿真结果的准确性。FAB提供表征库的文件数量有限,只有最好/标准/最差等若干工作条件,比如想评估芯片在标准偏好的工作条件下的情况,只能用相近工作条件下的表征库,同样也导致影响了评估的准确性。
技术实现思路
[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术提出一种功耗表征计算方法、系统、设备及介质,能够通过自动生成功耗仿真的工作场景对应的仿真网表,并且仿真网表的信息足够详细,同时采 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功耗表征计算方法,其特征在于,所述功耗表征计算方法包括:获取功耗仿真的配置文件和工作条件;通过所述配置文件和所述工作条件遍历所述功耗仿真的工作场景生成仿真网表;通过电路仿真器运行所述仿真网表得到运行结果文件,并解析所述运行结果文件得到所述仿真网表对应的仿真数据;通过自定义数据结构将所述仿真数据可视化存储。2.根据权利要求1所述的功耗表征计算方法,其特征在于,所述通过所述配置文件和所述工作条件遍历所述功耗仿真的工作场景生成仿真网表,包括:通过所述配置文件确定功耗仿真的晶体管模型和标准单元电路结构;通过所述晶体管模型、所述标准单元电路结构和所述工作条件遍历所述功耗仿真的工作场景生成仿真网表。3.根据权利要求2所述的功耗表征计算方法,其特征在于,所述通过所述晶体管模型、所述标准单元电路结构和所述工作条件遍历所述功耗仿真的工作场景生成仿真网表,包括:遍历所述工作条件,得到所有第一工作场景;在每个所述第一工作场景下遍历所述标准单元电路结构,得到所有第二工作场景;在每个所述第二工作场景工作场景下遍历输入信号的组合,得到所有第三工作场景;在每个所述第三工作场景工作场景下遍历所述输入信号的转换时间和输出电容负载,得到所有所述功耗仿真的工作场景;将每个所述功耗仿真的工作场景按照遍历顺序生成所述仿真网表。4.根据权利要求2所述的功耗表征计算方法,其特征在于,所述输入信号转换时间和所述输出电容负载根据采样点数量的需求调整遍历次数。5.根据权利要求2所述的功耗表征计算方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋贤坤,龚辉平,
申请(专利权)人:珠海芯聚科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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