【技术实现步骤摘要】
一种超低Al铁基纳米晶母合金及其制备方法
[0001]本专利技术涉及合金制备
,尤其涉及一种超低Al铁基纳米晶母合金及其制备方法。
技术介绍
[0002]铁基纳米晶合金是以Fe元素为主,通常添加少量的Nb、Cu、Si、B等元素。按一定成分配比熔炼成熔融金属溶液,经快速凝固形成非晶态材料,然后在特定工艺条件下(温度、磁场和力场)退火形成纳米晶。纳米晶材料充分利用晶粒尺寸效应,在晶粒尺寸≤20nm时,纳米晶材料具有优异的软磁性能、低矫丸力、低铁损和高磁导率,广泛应用于精密电流互感器、磁放大器、高频变换器等器件。随着信息通讯、新能源汽车和5G终端第三代半导体技术的发展,对纳米晶材料尤其是高频软磁性能提出了更高要求,极薄规格(≤薄15μm)成为铁基纳米晶带材主要发展方向之一。
[0003]制备铁基纳米晶合金极薄带材的原材料为纯铁、金属硅、电解铜、铌铁、硼铁。制备工艺流程包括:将配好的原料在熔炼炉制备出初次母合金锭,经中频感应炉二次熔炼提纯成二次母合金熔液;溶液浇至中间包、导流槽和喷杯,在一定压力条件下经喷嘴喷缝喷制成目 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超低Al铁基纳米晶母合金,其特征在于,所述超低Al铁基纳米晶母合金的表达式为Fe
h
Si
a
B
b
Nb
c
Cu
d
Al
e
Ti
f
M
g
;其中,a为Si的含量,在8.0~9.0wt%之间;b为B的含量,在1.0~2.0wt%之间;c为Nb的含量,在5.0~6.0wt%之间;d为Cu的含量,在1.0~1.5wt%之间;e为Al的含量,≤40ppm;f为Ti的含量,≤80ppm;g为其它杂质M的含量,总量不超过0.5wt%;所述超低Al铁基纳米晶母合金中的纯铁通过两次布料得到。2.根据权利要求1所述的超低Al铁基纳米晶母合金,其特征在于,所述纯铁的第一次布料和第二次布料的质量比为(0.5
‑
2):1;和/或,e≤20ppm;f≤60ppm。3.一种超低Al铁基纳米晶母合金带材,其特征在于,采用权利要求1或2所述的超低Al铁基纳米晶母合金制备得到;所述带材的带宽为82
‑
142mm,优选为92
‑
102mm;带厚范围为12
‑
18um,优选为14
‑
16um。4.一种超低Al铁基纳米晶母合金的制备方法,其特征在于,所述超低Al铁基纳米晶母合金的表达式为Fe
h
Si
a
B
b
Nb
c
Cu
d
Al
e
Ti
f
M
g
,其中,a+b+c+d+e+f+g+h=1,M表示其他杂质;所述制备方法包括以下步骤:S1、按表达式Fe
h
Si
a
B
b
Nb
c
Cu
d
Al
e
Ti
f
M
g
将原料分成两次布料;其中,一次布料的原料包括部分纯铁、硼铁、铌铁和纯铜,二次布料的原料包括剩余纯铁和金属硅,所述部分纯铁和所述剩余纯铁的质量比为(0.5
‑
2):1;S2、将所述一次布料的原料混合熔融,得到高铌合金;然后联合硬吹氩脱铝、造渣,再依次通过高温保温、除渣和软吹氩去除高铌合金中铌铁的夹杂物;S3、加入所述二次布料的原料,联合硬吹氩、二次高温保温和软吹氩镇静对所述高铌合金进行稀释,即得到超低Al铁基纳米晶母合金。5.根据权利要求4所述的超低Al铁基纳米晶母合金的制备方法,其特征在于,b为B的含量,在1.0~2.0wt%之间;c为Nb的含量,在5.0~6.0wt%之间;d为Cu的含量,在1.0~1.5wt%之间;所述高铌合金中Nb的含量,在10.0~12.0wt%之间;和/或,所述高铌合金中B的含量,在2.0~4.0wt%之间;Cu的含量,在2.0~3.0wt%之间;和/或,a为Si的含量,在8.0~9.0wt%之间;e为Al的含量,≤20ppm;f为Ti的含量,≤60ppm;g为其它杂质M的含量,总量不超过0.5wt%。6.根据权利要求4或5所述的超低Al铁基纳米晶母合金的制备方法,其特征在于,步骤S2中,原料混合熔融后,控制温度在1350
‑
1400℃,加入氧化剂,开启氩气大流量进行硬吹氩,实现深度脱铝、脱钛;然后控制温度在1400
‑
1450℃,加入造渣剂,进行硬吹氩;接着,在1580
±
10℃下高温保温30
‑
50min,再加入除渣剂打渣后,降温,开启软吹氩,镇静30
‑
50min。7.根据权利要求6所述的超低Al铁基纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙怀远,张建民,庞靖,马庆刚,陈鹏,黄强,
申请(专利权)人:青岛云路先进材料技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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