【技术实现步骤摘要】
双向电流型误差修调电路
[0001]本专利技术涉及模数转换器
，特别是涉及一种双向电流型误差修调电路。
技术介绍
[0002]在流水线型模数转换器(ADC)等高速模数转换器中，微分误差和增益误差将直接影响模数转换器的转换精度和线性度，因此误差修调是高速模数转换器常用的提高电路性能的技术手段。传统的权重修调技术是通过在基准分段电阻串中串联或并联额外电阻的方式改变电阻分压权重，对电路关键节点电压进行单向修调，从而减小模数转换器微分误差和增益误差以提升电路整体性能。
[0003]但现有权重修调技术需要串并联很多额外的电阻，对应修调电路比较复杂、成本高，受工艺器件影响大，还会增加电路面积与功耗，同时调节方式不灵活，一般只能沿着增大或者减小单一方向调节，无法满足目前高速模数转换器对精度和线性度的设计要求，限制了误差修调技术在高速模数转换器中的应用。
[0004]因此，目前亟需一种简单灵活的模数转换器误差修调技术方案。
技术实现思路
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双向电流型误差修调电路，其特征在于，包括：电阻分压模块，接收基准电压并对所述基准电压进行分压处理，得到多个不同大小的节点基准分压；可控电流源模块，与所述电阻分压模块连接，为所述电阻分压模块中的节点提供可控修调电流，通过所述可控修调电流对所述节点基准分压进行修调，所述可控修调电流的值在预设范围内可调。2.根据权利要求1所述的双向电流型误差修调电路，其特征在于，所述电阻分压模块包括多个分压电阻，所述基准电压经多个依次串联的所述分压电阻后接地，相邻两个所述分压电阻的公共端输出一个所述节点基准分压。3.根据权利要求1所述的双向电流型误差修调电路，其特征在于，所述可控电流源模块包括：电压电流转换单元，接收所述基准电压并对所述基准电压进行电压
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电流转换处理，得到基准电流；修调码发生单元，产生N位并行的修调码；电流复制选择单元，与所述电压电流转换单元及所述修调码发生单元连接，包括N个并行设置的电流复制选择子单元，N个所述电流复制选择子单元与N位所述修调码一一对应连接，每个所述电流复制选择子单元对所述基准电流进行复制，得到单位修调电流，并在所述修调码的控制下对所述单位修调电流进行选择输出，N个所述电流复制选择子单元的输出电流汇合成所述可控修调电流；其中，N为大于或者等于2的整数。4.根据权利要求3所述的双向电流型误差修调电路，其特征在于，所述电压电流转换单元包括运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一PMOS管及第二PMOS管，所述运算放大器的反相输入端接所述基准电压，所述运算放大器的同相输入端经串接的所述第一电阻后接地，所述运算放大器的输出端经依次串接的所述第二电阻及所述第一电容后接所述运算放大器的同相输入端，所述第一PMOS管的源极接电源电压，所述第一PMOS管的栅极接所述运算放大器的输出端，所述第一PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的栅极接所述运算放大器的同相输入端，所述第二PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管及所述第二PMOS管上分别流过所述基准电流。5.根据权利要求4所述的双向电流型误差修调电路，其特征在于，所述电流复制选择子单元包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管及反相器，所述第三PMOS管的源极接所述电源电压，所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的源极，所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极接所述电源电压，所述第五PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的漏极接所述第六PMOS管的源极，所述第六PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的漏极，所述第七PMOS管的源极接所述第四PMOS管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：文荟麟，雷郎成，高炜祺，王忠焰，
申请(专利权)人：重庆吉芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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