电子材料中α粒子表面发射率确定方法以及装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用于材料检测技术领域，提供了电子材料中α粒子表面发射率确定方法以及装置。其中，所述方法包括：获取待测试电子材料的缺陷数据；根据所述待测试电子材料的缺陷数据以及预设的缺陷数据

【技术实现步骤摘要】
电子材料中
α
粒子表面发射率确定方法以及装置


[0001]本专利技术属于材料检测
，尤其涉及电子材料中α粒子表面发射率确定方法以及装置。

技术介绍

[0002]现有技术主要应用超低本底α粒子表面辐射检测装置对将制备的半导体材料及器件样品的α粒子辐射量进行测量，超低本底α粒子表面辐射检测装置一般由气体电离室辐射探测器、电源系统、信号放大器与调理电子学系统、分析软件等模块组成。利用α粒子在加电场的电离气室内与工作气体的电离效应，对电子信号进行探测收集，并利用波形分析技术α粒子产生的电子信号进行甄别，实现对被测样品α粒子发射率的测量。
[0003]然而，现有技术中的超低本底α粒子表面辐射检测装置为一种精密、贵重、结构复杂的检测设备，目前该设备在国内普及率低、技术要求高、数据处理复杂、测试所需时间较长，并且其测试价格昂贵，检测流程比较繁琐，检测过程中的高能射线/粒子极易对电子材料表面造成一定程度的损坏，进而影响或者改变电子材料的本征性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例的目的在于提供一种电子材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子材料中α粒子表面发射率确定方法，其特征在于，包括：获取待测试电子材料的缺陷数据；根据所述待测试电子材料的缺陷数据以及预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型，确定所述待测试电子材料中α粒子表面发射率；所述预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型是基于多个电子材料样本，以及各个电子材料样本的缺陷数据与α粒子表面发射率处理得到。2.根据权利要求1所述的电子材料中α粒子表面发射率确定方法，其特征在于，所述基于多个电子材料样本，以及各个电子材料样本的缺陷数据与α粒子表面发射率处理得到预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型，包括：采集多个电子材料样本；获取各个所述电子材料样本的缺陷数据；对各个所述电子材料样本进行辐射率测试，得各个所述电子材料样本的目标α粒子表面发射率；分别对各个所述电子材料样本的缺陷数据以及目标α粒子表面发射率进行拟合处理，确定拟合关系式以及拟合系数；根据所述拟合关系式以及拟合系数，确定预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型。3.根据权利要求1所述的电子材料中α粒子表面发射率确定方法，其特征在于，预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型是基于多个电子材料样本，以及各个电子材料样本的缺陷数据与α粒子表面发射率经神经网络模型训练得到。4.根据权利要求3所述的电子材料中α粒子表面发射率确定方法，其特征在于，所述基于多个电子材料样本，以及各个电子材料样本的缺陷数据与α粒子表面发射率经神经网络模型训练得到预设的缺陷数据
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α粒子表面发射率模型，包括：采集多个电子材料样本；获取各个所述电子材料样本的缺陷数据；对各个所述电子材料样本进行辐射率测试，得各个所述电子材料样本的目标α粒子表面发射率；将各个电子材料样本的缺陷数据输入至含有可变参数的神经网络模型，得到所述含有可变参数的神经网络模型输出的所述各个电子材料样本对应的响应α粒子表面发射率；获取所述各个电子材料样本对应的响应α粒子表面发射率以及与所述各个电子材料样本的对应的目标α粒子表面发射率之间的各个损失差异；判断所述各个电子材料样本的各个损失差...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹继兆，赵劲来，黎晓华，郭继平，张帆，周迎春，孙慧斌，钱海霞，
申请(专利权)人：深圳市计量质量检测研究院国家高新技术计量站，国家数字电子产品质量监督检验中心，
类型：发明
国别省市：