一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺制造技术

本发明专利技术涉及功能晶体材料制备技术领域，公开了一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺，包括：水冷不锈钢腔体和混气装置，所述水冷不锈钢腔体内部中央设有用于放置待退火的Re3+:YAG晶体的高纯刚玉管，所述水冷不锈钢腔体顶部中央设有真空阀，所述水冷不锈钢腔体顶部两侧设有真空电极，所述水冷不锈钢腔体内部设有硅钼棒加热元件，本发明专利技术减小退火环境中杂质离子浓度、提高退火温度，降低位错、沉淀相等缺陷密度，提高Re3+:YAG晶体质量；在低于YAG晶体熔点120℃左右设置较小的温度梯度，采用温梯降温法对晶体进行退火处理，促进位错、沉淀相等缺陷往两端扩散，进一步提高Re3+:YAG晶体质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺


[0001]本专利技术涉及医疗器械
，具体为一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备及工艺。

技术介绍

[0002]YAG(化学式：Y3Al5O12)晶体具有物化性能稳定、硬度大、稀土可掺杂性好、热导率以和对称性高、可制备大尺寸晶体等优点，其为目前综合性能最为优良的激光基质材料。不同稀土激活离子Re3+掺杂YAG晶体则实现不同波段的激光输出：Yb3+:YAG可输出1053nm激光，Nd3+:YAG可输出1064nm激光，Tm3+:YAG可输出1940nm激光，Ho3+:YAG可输出2050nm激光，Er3+:YAG可输出2970nm激光。该类激光在工业加工、通信、医疗、科研等军事和民用领域有着广泛的应用市场。
[0003]提拉法(Czochralski法)是生长Re3+:YAG晶体最为成熟的方法：首先将合适比例的Y2O3、Al2O3和Re2O3原料放在铱金坩埚内加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出Re3+:YA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，包括：水冷不锈钢腔体(101)和混气装置(204)，其特征在于：所述水冷不锈钢腔体(101)内部中央设有用于放置待退火的Re3+:YAG晶体的高纯刚玉管(106)，所述水冷不锈钢腔体(101)顶部中央设有真空阀(201)，所述水冷不锈钢腔体(101)顶部两侧设有真空电极(104)，所述水冷不锈钢腔体(101)内部设有硅钼棒加热元件(102)，所述硅钼棒加热元件(102)与真空电极(104)电性连接，所述真空电极(104)电性连接有温控器(202)和热电偶(203)，所述水冷不锈钢腔体(101)底部两侧设有进气口(105)，所述进气口(105)一端连接有混气装置(204)。2.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，其特征在于：所述水冷不锈钢腔体(101)内部中央设有保温隔板，保温隔板将水冷不锈钢腔体(101)分割为温区A和温区B，所述保温隔板位于高纯刚玉管(106)中央外侧。3.根据权利要求2所述的一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，其特征在于：所述水冷不锈钢腔体(101)内壁设有隔热保温层(103)，所述水冷不锈钢腔体(101)两端铰接有法兰密封盖。4.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，其特征在于：所述混气装置(204)用于将高纯氩气和高纯氧气按照所需比例混合。5.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，其特征在于：所述真空阀(201)一端通过管道连接有真空泵。6.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂YAG晶体缺陷后处理设备，其特征在于：所述温控器(202)用于控制硅钼棒加热元件(102)的加热温度和加热速度，所述热电偶(203)用于测量水冷不锈钢腔体(101)内部的温度。7.根据权利要求1所述的一种稀土掺杂YAG晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋浩然，饶丹丹，史泽海，陈俊，祝明，李博文，
申请(专利权)人：安徽芯享半导光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：