【技术实现步骤摘要】
一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤及其制备方法
[0001]本专利技术属于激光材料及其制备
，具体涉及一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤及其制备方法。
技术介绍
[0002]激光技术被认为是智能社会中人类生存和发展不可或缺的工具之一。随着社会信息化程度的不断加深，现代工业社会对于特殊波段激光的需求也变得越来越强烈。其中，中红外波段激光因其有着对烟雾的穿透能力强且波长处于红外光谱的“分子指纹区”和水的强吸收带等优点，所以中红外波段激光在医疗、军事、通信探测等领域的应用需求得到了广泛的关注。
[0003]目前，实现近中红外激光输出的方法主要有以下三种：激活离子掺杂激光器、光参量技术和半导体激光器。但是光参量技术和半导体激光器分别有着成本高昂和峰值功率较低的缺点，因此以稀土离子掺杂晶体为基础的激活离子掺杂激光器成为了关注重点。目前在中红外波段实现激光输出主要有Tm
3+
、Ho
3+
、Er
3+
、Dy
3+
等离子。其中，掺铥的激光材料有以下优点...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤，其特征在于，其化学式为Lu3‑
x
Tm
x
Al5‑
y
Sc
y
O
12
，式中，x为Tm
3+
掺杂Lu
3+
位的摩尔百分数，y为Sc
3+
掺杂Al
3+
位的摩尔百分数，x＝0.09，0.5≤y≤1。2.根据权利要求1所述的所述一种铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤，其特征在于，所述单晶光纤属于立方晶系，空间群为Ia3d，晶胞参数为a＝b＝c＝1.1941nm。3.一种如权利要求1或2所述的铥离子掺杂的镥铝钪石榴石单晶光纤的制备方法，其特征在于，采用微下拉法进行晶体生长，包括以下步骤：S1、以纯度均为99.999％的Lu2O3粉末、Tm2O3粉末、Al2O3粉末、Sc2O3粉末为原料，按化学式Lu3‑
x
Tm
x
Al5‑
y
Sc
y
O
12
中对应元素的化学计量比精确称取各原料，式中，x为Tm
3+
掺杂Lu
3+
位的摩尔百分数，y为Sc
3+
掺杂Al
3+
位的摩尔百分数，x＝0.09，0.5≤y≤1；S2、将称取的各原料放入玛瑙研钵中研磨并搅拌至原料充分混合均匀；将混合均匀的原料移入氧化铝坩埚中后放入马弗炉中进行第一次高温烧结；S3、将烧结后的原料放入球磨机中球磨，再放入塑封袋中塑封，冷等静压压制成块状；将块状原料装入氧化铝坩埚后放入马弗炉中进行第二次高温烧结；S4、烧结两次后的原料放入铱金坩埚中，装入微下拉炉中进行晶体生长，先使用机械泵将炉腔内气压抽至低真空，再开启分子泵将炉腔内抽至高真空，后向炉腔内通入高纯度惰性保护气体，并保持流动气氛；...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱新宇，徐晓东，宋青松，徐军，刘坚，陈鹏，曹桂新，
申请(专利权)人：江苏师范大学，
类型：发明
国别省市：
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