芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质，其芯片存储管理方法包括：在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据目标地址参数，确定当前内存地址并对当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于目标内存地址，执行数据访问操作。通过对芯片内部闪存的若干个内存地址进行循环跳变来增加数据访问的操作次数，也即，在芯片响应于数据访问操作时，确定目标地址参数，通过根据目标地址参数对当前内存地址进行循环跳变来确定目标地址参数，以执行数据访问操作，可以解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，有效利用芯片的内存空间，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。进而降低芯片存储管理的成本。进而降低芯片存储管理的成本。

【技术实现步骤摘要】
芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质


[0001]本申请涉及芯片存储
，尤其涉及一种芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质。

技术介绍

[0002]芯片内部的闪存(即flash)用于存储用户数据，这些数据需要在断电时保持，其中，闪存的存储流程通常包括擦除和写入操作。
[0003]一般情况下，芯片内部闪存的擦写次数限制为10万次，如果程序的擦写次数超过这个限制，将导致所操作的内存永久失效，进而提高数据存储管理的成本。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种芯片存储管理方法、装置、终端设备以及存储介质，旨在解决芯片内部闪存的耐久性差的技术问题，提升芯片内部闪存的耐久性，进而降低芯片存储管理的成本。
[0005]为实现上述目的，本申请提供一种芯片存储管理方法，所述芯片存储管理方法包括：
[0006]在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；
[0007]根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；/>[0008]基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片存储管理方法，其特征在于，所述芯片存储管理方法包括以下步骤：在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数；根据所述目标地址参数，确定当前内存地址并对所述当前内存地址进行循环跳变，得到目标内存地址；基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作。2.如权利要求1所述的芯片存储管理方法，其特征在于，所述在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数的步骤包括：在响应于数据写入操作时，获取初始地址参数；基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数。3.如权利要求2所述的芯片存储管理方法，其特征在于，所述基于预设循环条件，对所述初始地址参数进行计数操作，得到所述目标地址参数的步骤包括：对所述初始地址参数进行计数操作，得到计数后的地址参数；检测所述计数后的地址参数是否符合所述循环条件；若所述计数后的地址参数符合所述循环条件，则对所述计数后的地址参数进行置零，并对预设基地址进行数据擦除操作，得到所述目标地址参数；若所述当前变化值不符合所述循环条件，则得到所述目标地址参数。4.如权利要求2所述的芯片存储管理方法，其特征在于，所述基于所述目标内存地址，执行所述数据访问操作的步骤包括：根据所述目标内存地址，执行所述数据写入操作，并向预设数组中写入所述目标地址参数。5.如权利要求4所述的芯片存储管理方法，其特征在于，所述在响应于数据访问操作时，确定目标地址参数的步骤包括：在响应于数据读取操作时，从所述数组中读取若干地址参数；基于预设若干写入状态条件，从所述若干地址参数中确定所述目标地址参数。6.如权利要求5所述的芯片存储管理方法，其特征在于，所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴聪，夏云飞，张宙，叶频，
申请(专利权)人：深圳市全智芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：