一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统，涉及红外发射芯片测试技术领域，包括：将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测；性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测；性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测；性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测；结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。通过设置灵敏度检测模块、功耗能量检测模块、响应时间检测模块和抗干扰性检测模块，从多维度对红外发射芯片的性能进行综合测试，更为全面的提供检测数据。数据。数据。

【技术实现步骤摘要】
一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统


[0001]本专利技术涉及红外发射芯片测试
，具体是涉及一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统。

技术介绍

[0002]红外器件，工作于0.75～1000微米（μm）波长范围内的器件。包括红外发光器件和红外探测器件两大类。常见的红外发光器件有红外发光二极管和红外激光器，红外发光二极管处于正偏时，由于空穴和电子的复合而产生红外光辐射，各种激光器包括固体激光器、气体激光器、半导体激光器和染料激光器等，都能产生红外光，红外发光二极管和半导体激光器通常都是由
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体材料做成，红外探测器件种类繁多，常见者有光电导检测器、光磁电检测器、光子牵引检测器、PIN光电二极管、肖特基光电二极管、MOS检测器、双极型光晶体管等，红外探测器件所用材料极为广泛，金属、绝缘体和超导体都可用于制作红外探测器，红外集成电路正在积极开发中，红外器件主要用于遥控、遥测和通信领域。
[0003]现有技术红外发射芯片的测试方法测量的全面性不足，对于红外发射芯片性能相关性高的指标检测欠缺，导致检测结果单一化，说服力不足，此外，在检测时，其方法的快捷性、精度及可靠性均有待提升。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，提供一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统，本技术方案解决了上述
技术介绍
中提出的现有技术红外发射芯片的测试方法测量的全面性不足，对于红外发射芯片性能相关性高的指标检测欠缺，导致检测结果单一化，说服力不足，此外，在检测时，其方法的快捷性、精度及可靠性均有待提升的问题。
[0005]为达到以上目的，本专利技术采用的技术方案为：一种红外发射芯片的性能综合测试方法，包括：将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测，性能测试机发射不同信号强度的红外信号至红外发射芯片，若红外发射芯片对红外信号作出反应，则判定该强度信号为可测信号，若红外发射芯片不对红外信号作出反应，则判定该强度信号为不可测信号，可测信号强度构成可测强度集合，不可测信号强度构成不可测强度集合，通过对可测强度集合和不可测强度集合使用强度比较法，得出红外发射芯片的最小可检测信号强度，测试过程使用二分法；性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测，性能测试机通过探针接触红外发射芯片的引脚，性能测试机提供电测试信号，测试机探针对输出的电流进行实时监控，红外发射芯片发热产生红外辐射，红外发射芯片各区域电阻产生变化，红外探测器通过光学成像物镜接收红外发射芯片的红外辐射能量，红外辐射能量分布反映到红外探测器的光敏
组件上，获得红外发射芯片的红外热像图，根据红外热像图，得到红外发射芯片不同区域的阻值，根据均值算法，计算红外发射芯片的综合阻值，并计算出红外发射芯片的功耗能量；性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测，性能测试机发射特殊红外信号，所述特殊红外信号包含连续反应指令，在连续反应指令执行时，性能测试机发射信号，红外发射芯片返回信号，作为一个循环，连续反应指令使得性能测试机与红外发射芯片之间产生一千次循环，统计一千次循环的时间，得到单次循环的时间，即红外发射芯片的响应时间；性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测，从数据库得到光线和电磁波的强度范围，性能测试机按设定的间隔产生不同强度的光线和电磁波，形成不同参数的干扰环境，在不同干扰环境下，测试红外发射芯片在各强度点位下的响应时间，使用梯度法计算红外发射芯片在光线和电磁波的连强度范围内的每一点的响应时间，计算平均响应时间，从数据库调取标准响应时间，计算得到平均响应时间偏离度；综合灵敏度检测、功耗能量检测、响应时间检测和抗干扰性检测结果，结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。
[0006]优选的，所述强度比较法包括以下步骤：对可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最小值A；对不可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最大值B；从数据库调取对红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值C；比较与C，其中，为绝对值；若大于C，则判定精度不满足要求，继续在B与A之间的范围，进行灵敏度检测，根据得到的强度的可测或不可测性，补充进入可测强度集合或不可测强度集合，重复上述步骤，直到小于等于C为止；若小于等于C，则判断精度满足要求，得到A为最小可检测信号强度。
[0007]优选的，所述二分法包括以下步骤：分别测得红外发射芯片的可测信号强度D和不可测信号强度E作为初始值；D归于可测强度集合，E归于不可测强度集合；对D和E进行迭代，取，性能测试机反射F强度的红外信号；若F强度的信号不可测，则将F归于不可测强度集合，并将F的值赋予E，重复上述步骤；若F强度的信号可测，则将F归于可测强度集合，并将F的值赋予D，重复上述步骤；当得到最小可检测信号强度时，停止上述步骤。
[0008]优选的，所述均值算法包括以下步骤：对红外发射芯片进行区块划分，均分为一千块，每块标记为，i=1，2，
…
，1000；在区块中统计红外热像图中不同颜色的占比，将占比从大到小排列；取颜色占比最大的前五种色彩，从数据库得到每种色彩所对应的阻值、、、和，并得到其所占面积，分别为、、、和；则综合阻值R为
。
[0009]优选的，所述红外发射芯片的功耗能量采用如下公式。
[0010]式中，Q为功耗能量，I为流经红外发射芯片的电流大小，R为综合阻值，t为时间。
[0011]优选的，所述梯度法包括以下步骤：对收集的数据进行处理；参数中光线的强度为，i=1，2，
…
，n，依次等距设置，电磁波的强度为，j=1，2，
…
，m，依次等距设置；与强度对应的反应时间为；对光线和电磁波的测试强度范围内的每个点（x，y）都拟合其反应时间，当x介于，y介于时，则（x，y）处的反应时间为
[0012]式中，；则平均响应时间T为
[0013]式中，V为光线和电磁波的测试强度范围围成的区域的面积。
[0014]优选的，所述平均响应时间偏离度采用如下公式：
[0015]式中，为平均响应时间偏离度，T为平均响应时间，为额定响应时间。
[0016]优选的，所述红外发射芯片性能评定标准如下：数据库中调用额定最小可检测信号强度M，计算最小可检测信号强度A与额定最小可检测信号强度M的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；数据库中调用额定功耗能量N，计算功耗能量Q与额定功耗能量N的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；数据库中调用额定响应时间，计算红外发射芯片的响应时间与额定响应时间的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；数据库中调用额定平均响应时间偏离度，计算平均响应时间偏离度与额定平均响本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，包括：将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测，性能测试机发射不同信号强度的红外信号至红外发射芯片，若红外发射芯片对红外信号作出反应，则判定该强度信号为可测信号，若红外发射芯片不对红外信号作出反应，则判定该强度信号为不可测信号，可测信号强度构成可测强度集合，不可测信号强度构成不可测强度集合，通过对可测强度集合和不可测强度集合使用强度比较法，得出红外发射芯片的最小可检测信号强度，测试过程使用二分法；性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测，性能测试机通过探针接触红外发射芯片的引脚，性能测试机提供电测试信号，测试机探针对输出的电流进行实时监控，红外发射芯片发热产生红外辐射，红外发射芯片各区域电阻产生变化，红外探测器通过光学成像物镜接收红外发射芯片的红外辐射能量，红外辐射能量分布反映到红外探测器的光敏组件上，获得红外发射芯片的红外热像图，根据红外热像图，得到红外发射芯片不同区域的阻值，根据均值算法，计算红外发射芯片的综合阻值，并计算出红外发射芯片的功耗能量；性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测，性能测试机发射特殊红外信号，所述特殊红外信号包含连续反应指令，在连续反应指令执行时，性能测试机发射信号，红外发射芯片返回信号，作为一个循环，连续反应指令使得性能测试机与红外发射芯片之间产生一千次循环，统计一千次循环的时间，得到单次循环的时间，即红外发射芯片的响应时间；性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测，从数据库得到光线和电磁波的强度范围，性能测试机按设定的间隔产生不同强度的光线和电磁波，形成不同参数的干扰环境，在不同干扰环境下，测试红外发射芯片在各强度点位下的响应时间，使用梯度法计算红外发射芯片在光线和电磁波的连强度范围内的每一点的响应时间，计算平均响应时间，从数据库调取标准响应时间，计算得到平均响应时间偏离度；综合灵敏度检测、功耗能量检测、响应时间检测和抗干扰性检测结果，结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。2.根据权利要求1所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述强度比较法包括以下步骤：对可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最小值A；对不可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最大值B；从数据库调取对红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值C；比较与C；若大于C，则判定精度不满足要求，继续在B与A之间的范围，进行灵敏度检测，根据得到的强度的可测或不可测性，补充进入可测强度集合或不可测强度集合，重复上述步骤，直到小于等于C为止；若小于等于C，则判断精度满足要求，得到A为最小可检测信号强度。3.根据权利要求2所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述二
分法包括以下步骤：分别测得红外发射芯片的可测信号强度D和不可测信号强度E作为初始值；D归于可测强度集合，E归于不可测强度集合；对D和E进行迭代，取，性能测试机反射F强度的红外信号；若F强度的信号不可测，则将F归于不可测强度集合，并将F的值赋予E，重复上述步骤；若F强度的信号可测，则将F归于可测强度集合，并将F的值赋予D，重复上述步骤；当得到最小可检测信号强度时，停止上述步骤。4.根据权利要求3所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述均值算法包括以下步骤：对红外发射芯片进行区块划...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵明，袁楚卓，
申请(专利权)人：深圳市美矽微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：