自旋轨道矩材料和器件、铜铁矿氧化物的薄膜的用途制造技术

一种自旋轨道矩材料和器件、铜铁矿氧化物的薄膜的用途，涉及自旋电子领域，所述自旋轨道矩材料的化学式为ABO2；其中，A和B为不同的重金属原子，O为氧原子，并且A、B与O的原子个数比例为1:1:2。本申请实施例的自旋轨道矩材料具有较高的自旋轨道矩效率和较低的电阻率，应用于自旋轨道矩器件中可以降低器件的功耗。用于自旋轨道矩器件中可以降低器件的功耗。用于自旋轨道矩器件中可以降低器件的功耗。

【技术实现步骤摘要】
自旋轨道矩材料和器件、铜铁矿氧化物的薄膜的用途


[0001]本申请实施例涉及自旋电子领域，尤指一种自旋轨道矩材料、一种自旋轨道矩器件和一种铜铁矿氧化物的薄膜的用途。

技术介绍

[0002]自旋轨道矩（Spin Orbit Torque, SOT）器件是基于自旋轨道矩效应制备的半导体器件，其工作方式为电荷通过自旋轨道矩材料后会产生自旋流，自旋流进而对磁性层的磁矩进行控制。但目前自旋轨道矩器件还未实现大规模应用，主要因素包括：（1）驱动磁矩翻转需要一定的电流密度，但目前的自旋轨道矩材料产生的自旋轨道矩效率较低，导致无法驱动磁矩翻转；（2）目前的自旋轨道矩材料的电阻率较高。
[0003]自旋轨道矩器件的功耗关系式为：
[0004]其中，表示器件的写入功耗；表示自旋轨道矩效率，表示电阻率。
[0005]可以看出，器件的写入功耗与自旋轨道矩效率成反比，与电阻率成正比。
[0006]低自旋轨道矩效率和高电阻率会导致自旋轨道矩器件的写入功耗较高，进而在较大程度上制约了自旋轨道矩器件的广泛应用。
专利
技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自旋轨道矩材料，具有自旋轨道矩效应，其特征在于，所述自旋轨道矩材料的化学式为ABO2；其中，A和B为不同的重金属原子，O为氧原子，并且A、B与O的原子个数比例为1: 1: 2。2.根据权利要求1所述的自旋轨道矩材料，其特征在于，所述A、B各自独立地为铂、钯、钴、铬、钽、钨、铜、铪、铼、铱、金、银和钛中的任意一种。3.根据权利要求2所述的自旋轨道矩材料，其特征在于，所述A为铂和钯中的任意一种，所述B为钴和铬中的任意一种。4.根据权利要求1所述的自旋轨道矩材料，其特征在于，为ABO2的薄膜，所述ABO2的薄膜包括单层或多层ABO2原子层；其中，每一层ABO2原子层包括A原子层和BO2原子层，所述多层ABO2原子层由交错堆叠的A原子层和BO2原子层构成。5.根据权利要求4所述的自旋轨道矩材料，其特征在于，所述ABO2的薄膜为单晶薄膜或非晶状态下的薄膜。6.根据权利要求4所述的自旋轨道矩材料，其特征在于，所述ABO2的薄膜的厚度为8nm至150nm。7.一种自旋轨道矩器件，其特征在于，包括至少一种根据权利要求1至6中任一项所述的自旋轨道矩材料。8.根据权利要求7所述的自旋轨道矩器...

【专利技术属性】
技术研发人员：南天翔，张跃杰，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：